Onsemi数字晶体管系列：高效设计的理想之选

在电子设计领域，选择合适的晶体管对于电路的性能和成本控制至关重要。Onsemi推出的MUN2132、MMUN2132L、MUN5132、DTA143EE、DTA143EM3、NSBA143EF3等数字晶体管系列，为工程师们提供了强大而可靠的解决方案。

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产品概述

这些数字晶体管属于带有单片偏置电阻网络的PNP晶体管，旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，即串联基极电阻和基极 - 发射极电阻。通过将这些组件集成到单个器件中，BRT消除了单独的组件，从而降低了系统成本并节省了电路板空间。

产品特性

简化电路设计

BRT将偏置电阻集成到晶体管中，减少了外部组件的使用，使电路设计更加简洁。工程师无需再为偏置电阻的选择和布局费心，大大缩短了设计周期。

减少电路板空间

由于减少了外部电阻的使用，电路板上的空间得到了有效利用。这对于对空间要求较高的应用，如便携式设备和高密度电路板设计，尤为重要。

减少组件数量

集成的设计减少了组件数量，降低了电路板的复杂性，提高了系统的可靠性。同时，也减少了焊接点，降低了故障发生的概率。

汽车及其他应用适用

该系列晶体管提供S和NSV前缀，适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用。它们符合AEC - Q101标准，具备PPAP能力，为汽车电子等对可靠性要求极高的应用提供了保障。

环保合规

这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准，满足环保要求。

产品参数

最大额定值

在环境温度 (T_{A}=25^{circ} C) 时，该系列晶体管具有以下最大额定值：	额定值	符号	最大值	单位
集电极 - 基极电压	(V_{CBO})	50	Vdc
集电极 - 发射极电压	(V_{CEO})	50	Vdc
集电极电流 - 连续	(I_{C})	100	mAdc
输入正向电压	(V_{IN(fwd)})	30	Vdc
输入反向电压	(V_{IN(rev)})	10	Vdc

热特性

不同封装的晶体管具有不同的热特性，以下是部分封装的热特性参数示例：

• SC - 59（MUN2132）：总器件耗散功率在 (T{A}=25^{circ} C) 时为230mW，高于25°C时的降额系数为1.8mW/°C；热阻 (R{JA}) 为540°C/W，结到引脚的热阻 (R_{OL}) 为264°C/W；结和存储温度范围为 - 55°C至 + 150°C。
• SOT - 23（MMUN2132L）：具体热特性参数文档中有详细记录。
• SC - 70/SOT - 323（MUN5132）：总器件耗散功率在 (T{A}=25^{circ} C) 时为202mW，高于25°C时的降额系数为1.6mW/°C；热阻 (R{JA}) 为618°C/W，结到引脚的热阻 (R_{OL}) 为280°C/W；结和存储温度范围为 - 55°C至 + 150°C。

电气特性

在 (T_{A}=25^{circ} C) 时，该系列晶体管的电气特性如下：	特性	符号	最小值	典型值	最大值	单位
截止特性
集电极 - 基极截止电流 ((V{CB}=50 ~V, I{E}=0))	(I_{CBO})			100	nAdc
集电极 - 发射极截止电流 ((V{CE}=50V, I{B}=0))	(I_{CEO})			500	nAdc
发射极 - 基极截止电流 ((V{EB}=6.0 ~V, I{C}=0))	(I_{BO})			1.5	mAdc
集电极 - 基极击穿电压 ((I{C}=10 mu A, I{E}=0))	(V_{(BR)CBO})	50			Vdc
((I{C}=2.0 ~mA, I{B}=0))	(V_{(BR)CEO})	50			Vdc
导通特性
直流电流增益（注5） ((I{C}=5.0 ~mA, V{CE}=10 ~V))	(h_{FE})	15	27
集电极 - 发射极饱和电压（注5） ((I{C}=10mA, I{B}=1.0mA))	(V_{CE(sat)})			0.25	Vdc
输入电压（关） ((V{CE}=5.0 ~V, I{C}=100 mu A))	(V_{i(off)})		1.2	0.5	Vdc
输入电压（开） ((V{CE}=0.3 ~V, I{C}=20 ~mA))	(V_{i(on)})	3.0	2.4		Vdc
输出电压（开） ((V{CC}=5.0 ~V, V{B}=2.5 ~V, R_{L}=1.0 k Omega))	(V_{OL})			0.2	Vdc
输出电压（关） ((V{CC}=5.0 ~V, V{B}=0.25 ~V, R_{L}=1.0 k Omega))	(V_{OH})		-		Vdc
输入电阻	(R_{1})	3.3	4.7	6.1	kΩ
电阻比	(R{1}/R{2})	0.8	1.0	1.2

订购信息

该系列晶体管提供多种封装形式，不同封装的订购信息如下：	器件	零件标记	封装	包装
MUN2132T1G, NSVMUN2132T1G*	6J	SC - 59（无铅）	3000 / 卷带包装
MMUN2132LT1G, NSVMMUN2132LT1G*	A6J	SOT - 23（无铅）	3000 / 卷带包装
MUN5132T1G, NSVMUN5132T1G*	6J	SC - 70/SOT - 323（无铅）	3000 / 卷带包装
DTA143EET1G	43	SC - 75（无铅）	3000 / 卷带包装
DTA143EM3T5G, NSVDTA143EM3T5G*	6J	SOT - 723（无铅）	8000 / 卷带包装
NSBA143EF3T5G	A (90  )*	SOT - 1123（无铅）	8000 / 卷带包装

机械尺寸

文档中详细提供了SOT - 23、SC - 59 - 3、SC - 70（SOT - 323）、SC75 - 3、SOT - 1123、SOT - 723等封装的机械尺寸信息，包括各尺寸的最小值、标称值和最大值，以及引脚定义等。工程师在进行电路板设计时，可以根据这些信息进行合理的布局和焊接。

总结

Onsemi的数字晶体管系列以其集成化的设计、丰富的特性和良好的电气性能，为电子工程师提供了一个优秀的选择。无论是在简化电路设计、节省电路板空间，还是在满足特定应用需求方面，都表现出色。在实际设计中，工程师可以根据具体的应用场景和要求，选择合适的封装和型号，以实现最佳的性能和成本效益。你在使用这类数字晶体管时遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。