onsemi 功率晶体管 2N6xxx 系列：通用设计的理想之选

在电子设计领域，功率晶体管是实现高效放大和开关功能的关键组件。今天要为大家介绍 onsemi 推出的 2N6107、2N6109、2N6111（PNP）以及 2N6288、2N6292（NPN）系列互补硅塑料功率晶体管，这些器件为通用放大器和开关应用提供了可靠的解决方案。

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产品概述

这些 7 安培功率晶体管具备 30 - 50 - 70 伏的电压规格，功率可达 40 瓦，采用 TO - 220 紧凑型封装，不仅符合 RoHS 标准且无铅，环保又实用。其设计初衷是满足通用放大器和开关应用的需求，拥有高直流电流增益和高电流增益 - 带宽积等显著特点。

关键参数解读

最大额定值

• 集电极 - 基极电压：以 2N6111 和 2N6288 为例，其集电极 - 基极电压可达 60Vdc。
• 发射极 - 基极电压：文档虽未明确给出具体数值，但这是评估晶体管性能的重要参数之一。
• 集电极电流：包括连续集电极电流和峰值集电极电流，这决定了晶体管能够处理的电流大小。
• 总功率耗散：明确了晶体管在工作时的功率损耗情况。
• 工作和存储结温：规定了晶体管正常工作和存储时的结温范围，超出此范围可能影响器件性能和可靠性。

热特性

热阻（结到壳）为 3.125，这一参数反映了晶体管散热的难易程度，热阻越小，散热性能越好，有助于提高晶体管的稳定性和寿命。

电气特性

截止特性

• 集电极 - 发射极维持电压：不同型号的晶体管在特定测试条件下（如 IC = 100 mAdc，IB = 0）具有不同的维持电压值，如 2N6111 和 2N6288 为 30Vdc，2N6109 为 50Vdc，2N6107 和 2N6292 为 70Vdc。
• 集电极截止电流：在不同的集电极 - 发射极电压和基极 - 发射极截止电压条件下，各型号晶体管的集电极截止电流有所不同，一般在 1.0 mAdc 左右。

导通特性

• 直流电流增益：在不同的集电极电流和集电极 - 发射极电压条件下，各型号晶体管的直流电流增益范围为 30 - 150。
• 集电极 - 发射极饱和电压：当集电极电流为 7.0 Adc，基极电流为 3.0 Adc 时，集电极 - 发射极饱和电压最大为 3.5Vdc。
• 基极 - 发射极导通电压：当集电极电流为 7.0 Adc，集电极 - 发射极电压为 4.0 Vdc 时，基极 - 发射极导通电压最大为 3.0Vdc。

动态特性

• 电流增益 - 带宽积：在特定测试条件下（IC = 500 mAdc，VCE = 4.0 Vdc，ftest = 1.0 MHz），2N6288 和 2N6292 为 4.0 MHz，2N6107、2N6109 和 2N6111 为 10 MHz。
• 输出电容：在 VCB = 10 Vdc，IE = 0，f = 1.0 MHz 条件下，输出电容为 250 pF。
• 小信号电流增益：在 IC = 0.5 Adc，VCE = 4.0 Vdc，f = 50 kHz 条件下，小信号电流增益为 20。

安全工作区域

晶体管的功率处理能力受到平均结温和二次击穿两个因素的限制。安全工作区域曲线表明了晶体管在可靠运行时必须遵守的 (I{C}-V{CE}) 限制。图 5 中的数据基于 (T{J(pk)} = 150^{circ}C)，(T{C}) 会根据实际条件而变化。二次击穿脉冲限制在占空比为 10% 且 (T{J(pk)} ≤ 150^{circ}C) 时有效，(T{J(pk)}) 可根据图 4 中的数据计算得出。在高壳温情况下，热限制会使晶体管能够处理的功率低于二次击穿所施加的限制。

订购信息

目前只有 2N6292G 仍在供货，采用 TO - 220（无铅）封装，每轨 50 个单位。而 2N6107G、2N6109G、2N6111G 和 2N6288G 已停产，不建议用于新设计。若需要相关信息，可联系 onsemi 代表或访问其官网获取最新消息。

总结与思考

onsemi 的 2N6xxx 系列功率晶体管在通用放大器和开关应用中展现出了良好的性能。在实际设计中，我们需要根据具体的应用需求，仔细考虑晶体管的各项参数，确保其在安全工作区域内运行。同时，对于已停产的型号，要谨慎选择，避免在新设计中使用，以免影响产品的可靠性和可维护性。大家在使用这些晶体管时，是否遇到过一些特殊的问题呢？欢迎在评论区分享交流。