探索 onsemi MJE170/180 系列功率晶体管：设计与应用的理想之选

在电子设计领域，功率晶体管是至关重要的基础元件，其性能直接影响着电子设备的整体表现。今天，我们就来深入了解 onsemi 推出的 MJE170/180 系列互补型塑料硅功率晶体管，看看它能为我们的设计带来哪些优势。

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产品概述

MJE170/180 系列包含了 PNP 型的 MJE170G、MJE171G、MJE172G 和 NPN 型的 MJE180G、MJE181G、MJE182G 等型号。该系列专为低功率音频放大器以及低电流、高速开关应用而设计，能够满足多种电子电路的需求。

产品特性

高直流电流增益

高直流电流增益意味着晶体管能够更有效地放大电流信号，这对于音频放大器等需要精确信号放大的应用来说至关重要。它可以确保信号在放大过程中保持较高的保真度，减少失真。

高电流增益 - 带宽积

高电流增益 - 带宽积使得晶体管在较宽的频率范围内都能保持良好的性能。在高速开关应用中，这一特性可以保证晶体管能够快速响应信号的变化，提高开关速度，降低开关损耗。

环形结构降低漏电流

采用环形结构设计，有效降低了晶体管的漏电流。漏电流的降低不仅可以提高晶体管的效率，还能减少功耗，延长设备的使用寿命。

环保设计

这些器件是无铅的，并且符合 RoHS 标准。这不仅体现了 onsemi 在环保方面的责任，也满足了现代电子设备对环保材料的要求。同时，其环氧树脂符合 UL 94 V - 0 标准，具有良好的阻燃性能，提高了设备的安全性。

最大额定值

以 MJE171G、MJE181G 为例，其最大额定值如下：	参数	数值	单位
总功率耗散（@Tc = 25°C）	1.0	W
集电极电流	0.1	A

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制，不能保证器件的功能正常，可能会发生损坏并影响可靠性。

电气特性

产品的电气特性在特定测试条件下给出，除非另有说明，一般测试温度为 (T{C}=25^{circ} C)。不过，当器件在不同条件下工作时，其性能可能会有所不同。例如，特征频率 (f{T}) 可以通过公式 (f{T}=|h{f e}| cdot f_{test }) 计算得出。

安全工作区

晶体管的功率处理能力受到平均结温和二次击穿两个因素的限制。安全工作区曲线表明了晶体管的 (I{C}-V{CE}) 限制，为了保证可靠运行，必须遵守这些限制。也就是说，晶体管的耗散功率不能超过曲线所示的值。

图 5 和图 6 中的数据基于 (T{J(pk)}=150^{circ} C)，而 (T{C}) 会根据具体条件而变化。二次击穿脉冲限制在占空比达到 10% 且 (T{J(pk)}<150^{circ} C) 时有效。(T{J(pk)}) 可以根据图 4 中的数据进行计算。在高外壳温度下，热限制会使晶体管能够处理的功率低于二次击穿所施加的限制。

封装与订购信息

该系列晶体管采用 TO - 225 封装，并且都是无铅封装。具体的订购信息如下：	器件型号	封装	包装数量
MJE170G	TO - 225（无铅）	500 个/盒
MJE171G	TO - 225（无铅）	500 个/盒
MJE172G	TO - 225（无铅）	500 个/盒
MJE180G	TO - 225（无铅）	500 个/盒
MJE181G	TO - 225（无铅）	500 个/盒
MJE182G	TO - 225（无铅）	500 个/盒

机械尺寸

TO - 225 封装的机械尺寸如下：	尺寸	最小值（mm）	最大值（mm）
A	2.40	3.00
A1	1.00	1.50
b	0.60	0.90
b2	0.51	0.88
c	0.39	0.63
D	10.60	11.10
E	7.40	7.80
e	2.04	2.54
L	14.50	16.63
L1	1.27	2.54
P	2.90	3.30
Q	3.80	4.20

在进行电路板设计时，我们需要根据这些尺寸来合理安排晶体管的布局，确保其与其他元件之间有足够的空间，避免相互干扰。

总结

onsemi 的 MJE170/180 系列功率晶体管凭借其高直流电流增益、高电流增益 - 带宽积、低漏电流以及环保设计等特性，成为低功率音频放大器和低电流、高速开关应用的理想选择。在实际设计中，我们需要根据具体的应用需求，结合晶体管的最大额定值、电气特性和安全工作区等参数，合理选择和使用这些晶体管，以确保设计的可靠性和性能。

大家在使用这款晶体管的过程中，有没有遇到过什么问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享交流。