Onsemi数字晶体管（BRT）：简化电路设计的理想之选

电子工程师在设计电路时，常常面临着降低成本、减小电路板空间以及提高可靠性等多方面的挑战。Onsemi推出的一系列数字晶体管（BRT），为解决这些问题提供了有效的解决方案。本文将详细介绍Onsemi的MUN2214、MMUN2214L、MUN5214、DTC114YE、DTC114YM3和NSBC114YF3等型号的数字晶体管。

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一、产品概述

这一系列数字晶体管旨在替代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，即串联基极电阻和基极 - 发射极电阻。通过将这些组件集成到单个器件中，BRT消除了单独的组件，从而降低了系统成本并减少了电路板空间。

产品特性

• 简化电路设计：集成的偏置网络减少了外部组件的使用，使电路设计更加简洁。
• 减少电路板空间：单个器件替代多个组件，有效节省了电路板的空间。
• 减少组件数量：降低了组件数量，提高了系统的可靠性。
• 符合汽车和其他应用要求：具有S和NSV前缀，适用于需要独特站点和控制变更要求的汽车和其他应用，并且符合AEC - Q101标准，具备PPAP能力。
• 环保特性：这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。

二、最大额定值

在使用这些数字晶体管时，需要注意其最大额定值，以确保器件的正常运行和可靠性。以下是在环境温度 (T_{A}=25^{circ} C) 时的最大额定值：	额定值	符号	最大值	单位
集电极 - 基极电压	(V_{CBO})	50	(V_{dc})
集电极 - 发射极电压	(V_{CEO})	50	(V_{dc})
集电极连续电流	(I_{C})	100	(mA_{dc})
输入正向电压	(V_{IN(fwd)})	40	(V_{dc})
输入反向电压	(V_{IN(rev)})	6	(V_{dc})

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制，不能保证器件的功能，可能会发生损坏并影响可靠性。

三、订购信息

不同型号的数字晶体管具有不同的封装和包装形式，以下是详细的订购信息：	器件	零件标记	封装	包装
MUN2214T1G, SMUN2214T1G*	8D	SC - 59（无铅）	3000 / 卷带
MUN2214T3G, SMUN2214T3G*	8D	SC - 59（无铅）	10000 / 卷带
MMUN2214LT1G, SMMUN2214LT1G*	A8D	SOT - 23（无铅）	3000 / 卷带
MUN5214T1G, SMUN5214T1G*	8D	SC - 70/SOT - 323（无铅）	3000 / 卷带
DTC114YET1G, SDTC114YET1G	8D	SC - 75（无铅）	3000 / 卷带
DTC114YM3T5G, NSVDTC114YM3T5G*	8D	SOT - 723（无铅）	8000 / 卷带
NSBC114YF3T5G	J	SOT - 1123（无铅）	8000 / 卷带

其中，*S和NSV前缀适用于需要独特站点和控制变更要求的汽车和其他应用，并且符合AEC - Q101标准，具备PPAP能力。

四、热特性

热特性对于电子器件的性能和可靠性至关重要。不同封装的数字晶体管具有不同的热特性，以下是各型号的热特性参数：

1. SC - 59（MUN2214）

• 总器件功耗（(T_{A}=25^{circ} C)）：230 - 338 mW
• 25°C以上的降额：3.38 mW/°C
• 热阻（结到环境）：540 - 370 °C/W
• 热阻（结到引脚）：264 - 287 °C/W
• 结和存储温度范围：-55 到 +150 °C

2. SOT - 23（MMUN2214L）

• 总器件功耗（(T_{A}=25^{circ} C)）：246 - 400 mW
• 25°C以上的降额：3.2 mW/°C
• 热阻（结到环境）：508 - 311 °C/W
• 热阻（结到引脚）：174 - 208 °C/W
• 结和存储温度范围：-55 到 +150 °C

3. SC - 70/SOT - 323（MUN5214）

• 总器件功耗（(T_{A}=25^{circ} C)）：202 - 310 mW
• 25°C以上的降额：1.6 - 2.5 mW/°C
• 热阻（结到环境）：618 - 403 °C/W
• 热阻（结到引脚）：280 - 332 °C/W
• 结和存储温度范围：-55 到 +150 °C

4. SC - 75（DTC114YE）

• 总器件功耗（(T_{A}=25^{circ} C)）：200 - 300 mW
• 25°C以上的降额：无
• 热阻（结到环境）：600 - 400 °C/W
• 结和存储温度范围：-55 到 +150 °C

5. SOT - 723（DTC114YM3）

• 总器件功耗（(T_{A}=25^{circ} C)）：260 - 600 mW
• 25°C以上的降额：2.0 - 4.8 mW/°C
• 热阻（结到环境）：480 - 205 °C/W
• 结和存储温度范围：-55 到 +150 °C

6. SOT - 1123（NSBC114YF3）

• 总器件功耗（(T_{A}=25^{circ} C)）：254 - 297 mW
• 25°C以上的降额：2.0 - 2.4 mW/°C
• 热阻（结到环境）：421 °C/W
• 热阻（结到引脚）：193 °C/W
• 结和存储温度范围：-55 到 +150 °C

五、电气特性

电气特性是评估数字晶体管性能的重要指标。以下是在 (T_{A}=25^{circ} C) 时的电气特性参数：	特性	符号	最小值	典型值	最大值	单位
截止特性
集电极 - 基极截止电流（(V{CB}=50 V, I{E}=0)）	(I_{CBO})			100	(nA_{dc})
集电极 - 发射极截止电流（(V{CE}=50 V, I{B}=0)）	(I_{CEO})				(nA_{dc})
发射极 - 基极截止电流（(I{C}=10mu A, I{E}=0)）				0.2	(mA_{dc})
击穿电压（(I{C}=10mu A, I{E}=0)）	(V_{(BR)CBO})	50			(V_{dc})
（(I{C}=2.0 mA, I{B}=0)）					(V_{dc})
（(I{C}=5.0 mA, V{CE}=10 V)）	(h_{FE})		140
集电极 - 发射极饱和电压（注5）	(V_{CE(sat)})			0.25	(V_{dc})
输入电压（关）	(V_{i(off)})		0.7	0.5	(V_{dc})
输入电压（开）（(V{CE}=0.3 V, I{C}=1.0 mA)）	(V_{i(on)})	1.4	0.8		(V_{dc})
输出电压（开）（(V{CC}=5.0 V, V{B}=2.5 V, R_{L}=1.0 k Omega)）	(V_{OL})			0.2	(V_{dc})
输出电压（关）（(V{CC}=5.0 V, V{B}=0.5 V, R_{L}=1.0 k Omega)）	(V_{OH})	4.9			(V_{dc})
电阻R1	(R_{1})		10		(kOmega)
电阻比 (R{1}/R{2})		0.17

注5：脉冲条件为脉冲宽度 = 300 msec，占空比 ≤ 2%。

六、典型特性

文档中还给出了各型号数字晶体管的典型特性曲线，包括 (V{CE(sat)}) 与 (I{C}) 的关系、直流电流增益、输出电容、输出电流与输入电压的关系以及输入电压与输出电流的关系等。这些典型特性曲线可以帮助工程师更好地了解器件的性能，从而进行合理的电路设计。

七、机械尺寸和封装信息

文档提供了不同封装的机械尺寸和引脚配置信息，包括SOT - 23、SC - 59、SC - 70、SC - 75、SOT - 1123和SOT - 723等封装。这些信息对于电路板布局和焊接非常重要，工程师可以根据实际需求选择合适的封装。

八、总结

Onsemi的这一系列数字晶体管（BRT）具有简化电路设计、减少电路板空间和组件数量等优点，同时具备良好的热特性和电气性能。在汽车和其他对可靠性要求较高的应用中，这些器件的AEC - Q101认证和PPAP能力也为工程师提供了可靠的保障。在实际设计中，工程师可以根据具体的应用需求选择合适的型号和封装，以实现最佳的电路性能。

你在使用这些数字晶体管进行电路设计时，是否遇到过一些特殊的问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。