onsemi双NPN偏置电阻晶体管：设计与应用的理想之选

在电子设计领域，合适的晶体管对于电路的性能和稳定性至关重要。onsemi推出的MUN5211DW1、NSBC114EDXV6和NSBC114EDP6双NPN偏置电阻晶体管，为工程师们提供了优秀的解决方案。下面，我们就来详细了解一下这些晶体管的特点和应用。

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产品概述

这一系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。通过将这些单独的组件集成到一个器件中，BRT消除了这些单独的组件，从而降低了系统成本并减少了电路板空间。

产品特性

简化电路设计

传统的晶体管设计需要额外的外部电阻来设置偏置，而BRT将这些电阻集成到晶体管中，大大简化了电路设计过程。工程师们无需再为电阻的选型和布局花费大量时间，从而提高了设计效率。

减少电路板空间

在如今追求小型化和高密度集成的电子设备中，电路板空间变得尤为宝贵。BRT的集成设计使得电路板上的元件数量减少，从而节省了宝贵的空间，为其他元件的布局提供了更多的可能性。

降低元件数量

减少元件数量不仅可以降低成本，还能提高系统的可靠性。因为元件数量的减少意味着焊点和连接点的减少，从而降低了故障发生的概率。

符合多种标准

这些器件具有S和NSV前缀，适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用。它们通过了AEC - Q101认证，并且具备PPAP能力。此外，这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准，满足环保要求。

产品参数

最大额定值

额定值	符号	最大值	单位
集电极 - 基极电压	(V_{CBO})	50	(V_{dc})
集电极 - 发射极电压	(V_{CEO})	50	(V_{dc})
集电极电流 - 连续	(I_{C})	100	(mA_{dc})
输入正向电压	(V_{IN(fwd)})	40	(V_{dc})
输入反向电压	(V_{IN(rev)})	10	(V_{dc})

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制，不能保证器件的功能，可能会发生损坏并影响可靠性。

热特性

不同封装的晶体管在热特性上有所差异，以下是部分热特性参数：

• MUN5211DW1（SOT - 363）：单结加热时，总器件耗散功率在(T_{A}=25^{circ}C)时为250mW，高于25°C时的降额系数为2.0mW/°C；热阻（结到环境）为493°C/W，热阻（结到引脚）为188°C/W。
• NSBC114EDXV6（SOT - 563）：单结加热时，总器件耗散功率在(T_{A}=25^{circ}C)时为500mW，高于25°C时的降额系数为4.0mW/°C；热阻（结到环境）为250°C/W。
• NSBC114EDP6（SOT - 963）：单结加热时，总器件耗散功率在(T_{A}=25^{circ}C)时为231mW，高于25°C时的降额系数为1.9mW/°C；热阻（结到环境）为540°C/W。

电气特性

在(T_{A}=25^{circ}C)的条件下，这些晶体管的电气特性如下：	特性	符号	最小值	典型值	最大值	单位
截止特性
集电极 - 基极截止电流((V{CB}=50V, I{E}=0))	(I_{CBO})			100	(nA_{dc})
集电极 - 发射极截止电流((V{CE}=50V, I{B}=0))	(I_{CEO})			500	(nA_{dc})
发射极 - 基极截止电流((V{EB}=6.0V, I{C}=0))	(I_{EBO})			0.5	(mA_{dc})
集电极 - 基极击穿电压((I{C}=10mu A, I{E}=0))	(V_{(BR)CBO})	50			(V_{dc})
集电极 - 发射极击穿电压((I{C}=2.0mA, I{B}=0))	(V_{(BR)CEO})	50			(V_{dc})
导通特性
直流电流增益((I{C}=5.0mA, V{CE}=10V))	(h_{FE})	35	60
集电极 - 发射极饱和电压((I{C}=10mA, I{B}=0.3mA))	(V_{CE(sat)})			0.25	(V)
输入电压（关）((V{CE}=5.0V, I{C}=100mu A))	(V_{i(off)})		1.2		(V_{dc})
输入电压（开）((V{CE}=0.2V, I{C}=10mA))	(V_{i(on)})		2.0		(V_{dc})
输出电压（开）((V{CC}=5.0V, V{B}=2.5V, R_{L}=1.0kOmega))	(V_{OL})			0.2	(V_{dc})
输出电压（关）((V{CC}=5.0V, V{B}=0.5V, R_{L}=1.0kOmega))	(V_{OH})	4.9			(V_{dc})
输入电阻	(R_{1})	7.0	10	13	(kOmega)
电阻比	(R{1}/R{2})	0.8	1.0	1.2

产品的参数性能在列出的测试条件下由电气特性表示，除非另有说明。如果在不同条件下运行，产品性能可能无法由电气特性表示。脉冲条件为：脉冲宽度 = 300ms，占空比 ≤ 2%。

封装与订购信息

这些晶体管提供多种封装形式，如SOT - 363、SOT - 563和SOT - 963。不同封装的晶体管在订购时，其包装数量和形式也有所不同，例如MUN5211DW1T1G采用SOT - 363封装，每卷3000个；NSBC114EDP6T5G采用SOT - 963封装，每卷8000个。需要注意的是，部分器件已经停产，如NSBC114EDXV6T5G，在设计时应避免选用这些停产器件。

机械尺寸与引脚连接

文档中还提供了不同封装的机械尺寸和引脚连接信息，包括SC - 88（2.00x1.25x0.90, 0.65P）、SOT - 563 - 6（1.60x1.20x0.55, 0.50P）和SOT - 963（1.00x1.00x0.37, 0.35P）等封装的详细尺寸和引脚定义。这些信息对于电路板的设计和布局非常重要，工程师们可以根据实际需求进行参考。

总结

onsemi的MUN5211DW1、NSBC114EDXV6和NSBC114EDP6双NPN偏置电阻晶体管以其简化的设计、节省空间和成本的优势，以及良好的电气和热特性，成为电子工程师在设计电路时的理想选择。在实际应用中，工程师们可以根据具体的需求和设计要求，选择合适的封装和器件，以实现最佳的电路性能。你在使用这些晶体管的过程中遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。