onsemi数字晶体管系列：简化电路设计的理想之选

在电子设计领域，选择合适的晶体管对于优化电路性能、降低成本和节省空间至关重要。今天，我们将深入探讨 onsemi 的一系列数字晶体管，包括 MUN2137、MMUN2137L、MUN5137、DTA144WE、DTA144WM3 和 NSBA144WF3，了解它们的特点、参数和应用场景。

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一、产品概述

这一系列数字晶体管旨在替代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即串联基极电阻和基极 - 发射极电阻。通过将这些单独的组件集成到一个器件中，BRT 消除了这些组件，从而降低了系统成本并节省了电路板空间。

二、产品特点

2.1 简化电路设计

集成的偏置电阻网络减少了外部组件的数量，使电路设计更加简洁，降低了设计复杂度。

2.2 减少电路板空间

将多个组件集成到一个器件中，有效减少了电路板上的占用空间，适合对空间要求较高的应用。

2.3 减少组件数量

减少了外部电阻等组件的使用，降低了成本和潜在的故障点。

2.4 汽车及其他应用适用

具有 S 和 NSV 前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用，并且符合 AEC - Q101 标准，具备 PPAP 能力。

2.5 环保合规

这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并且符合 RoHS 标准。

三、最大额定值

在使用这些晶体管时，需要注意其最大额定值，以确保器件的正常运行和可靠性。以下是在 (T_{A}=25^{circ} C) 时的最大额定值：	额定值	符号	最大值	单位
集电极 - 基极电压	(V_{CBO})	50	Vdc
集电极 - 发射极电压	(V_{CEO})	50	Vdc
集电极电流 - 连续	(I_{C})	100	mAdc
输入正向电压	(V_{IN(fwd)})	40	Vdc
输入反向电压	(V_{IN(rev)})	10	Vdc

超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

四、订购信息

不同的器件采用不同的封装形式，并且以不同的数量进行带盘包装。以下是具体的订购信息：	器件	部件标记	封装	包装数量
MUN2137T1G	6P	SC - 59（无铅）	3000 / 带盘
MMUN2137LT1G, NSVMMUN2137LT1G*	ACD	SOT - 23（无铅）	3000 / 带盘
MUN5137T1G	6P	SC - 70/SOT - 323（无铅）	3000 / 带盘
DTA144WET1G, NSVDTA144WET1G*	6P	SC - 75（无铅）	3000 / 带盘
DTA144WM3T5G	6P	SOT - 723（无铅）	8000 / 带盘
NSBA144WF3T5G	D (90 °)**	SOT - 1123（无铅）	8000 / 带盘

五、热特性

热特性对于晶体管的性能和可靠性至关重要。不同封装的晶体管具有不同的热特性，以下是部分封装的热特性参数：

5.1 SC - 59（MUN2137）

• 总器件功耗（(T{A}=25^{circ} C)）：(P{D}) 最大为 230 mW
• 25°C 以上降额：1.8 mW/°C
• 热阻（结到环境）：(R_{JA}) 最大为 540 °C/W
• 结和存储温度范围：(T{J},T{stg}) 为 - 55 到 + 150 °C

5.2 SOT - 23（MMUN2137L）

• 总器件功耗（(T{A}=25^{circ} C)）：(P{D}) 最大为 246 mW
• 25°C 以上降额：2.0 mW/°C
• 热阻（结到环境）：(R_{JA}) 最大为 508 °C/W
• 结和存储温度范围：(T{J},T{stg}) 为 - 55 到 + 150 °C

其他封装的热特性参数可参考文档中的详细表格。

六、电气特性

在 (T_{A}=25^{circ} C) 时，这些晶体管的电气特性如下：

6.1 关断特性

• 集电极 - 基极截止电流（(V{CB}=50V,I{E}=0)）：(I_{CBO}) 最大为 100 nAdc
• 集电极 - 发射极截止电流（(V{CE}=50V, I{B}=0)）：(I_{CEO}) 最大为 500 nAdc
• 发射极 - 基极截止电流（(V{EB}=6.0V,I{C}=0)）：(I_{EBO}) 最大为 0.13 mAdc
• 集电极 - 基极击穿电压（(I{C}=10mu A,I{E}=0)）：(V_{(BR)CBO}) 最小为 50 Vdc
• 集电极 - 发射极击穿电压（(I{C}=2.0 mA, I{B}=0)）：(V_{(BR)CEO}) 最小为 50 Vdc

6.2 导通特性

• 直流电流增益（(I{C}=5.0 mA, V{CE}=10 V)）：(h_{FE}) 最小为 80，典型值为 140
• 集电极 - 发射极饱和电压（(I{C}= 10mA,I{B} = 0.3mA)）：(V_{CE(sat)}) 最大为 0.25 Vdc
• 输入电压（关）（(V{CE}=5.0 V, I{C}=100 mu A)）：(V_{i(off)}) 典型值为 1.8 Vdc，最大为 1.2 Vdc
• 输入电压（开）（(V{CE}=0.3 V, I{C}=2.0 mA)）：(V_{i(on)}) 最小为 4.0 Vdc，典型值为 2.4 Vdc
• 输出电压（开）（(V{CC}=5.0 V, V{B}=4.0 V, R{L}=1.0 k Omega)）：(V{OL}) 最大为 0.2 Vdc
• 输出电压（关）（(V{CC}=5.0 V, V{B}=0.5 V, R{L}=1.0 k Omega)）：(V{OH}) 最小为 4.9 Vdc
• 输入电阻：(R_{1}) 最小为 32.9 kΩ，典型值为 47 kΩ，最大为 61.1 kΩ
• 电阻比：(R{1}/R{2}) 最小为 1.7，典型值为 2.1，最大为 2.6

七、典型特性

文档中还提供了一些典型特性曲线，如 (V{CE(sat)}) 与 (I{C}) 的关系、直流电流增益、输出电容、输出电流与输入电压的关系等。这些曲线可以帮助工程师更好地了解晶体管在不同工作条件下的性能。

八、机械尺寸

不同封装的晶体管具有不同的机械尺寸，文档中详细列出了 SOT - 23、SC - 59、SC - 70、SC75 - 3、SOT - 1123 和 SOT - 723 等封装的尺寸信息，包括长度、宽度、高度、引脚间距等。在进行电路板设计时，需要根据这些尺寸信息合理布局晶体管。

九、总结

onsemi 的这一系列数字晶体管通过集成偏置电阻网络，简化了电路设计，减少了电路板空间和组件数量，同时具备良好的电气性能和热特性。在汽车、消费电子等领域具有广泛的应用前景。工程师在选择晶体管时，应根据具体的应用需求，综合考虑其最大额定值、电气特性、热特性和机械尺寸等因素，以确保设计的电路稳定可靠。

你在设计中是否使用过类似的数字晶体管呢？在实际应用中遇到过哪些问题？欢迎在评论区分享你的经验和见解。