安森美数字晶体管：简化电路设计的理想之选

在电子工程师的日常设计工作中，如何简化电路设计、降低成本并节省电路板空间是一个永恒的话题。安森美（onsemi）推出的一系列数字晶体管（BRT），为我们提供了一个出色的解决方案。本文将详细介绍安森美MUN2134、MMUN2134L、MUN5134、DTA124XE、DTA124XM3、NSBA124XF3等PNP晶体管的特点、参数及应用。

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产品概述

安森美的这一系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。通过将这些组件集成到单个器件中，BRT消除了这些单独的组件，从而降低了系统成本并节省了电路板空间。

产品特点

简化电路设计

将偏置电阻集成到晶体管中，减少了外部元件的使用，使电路设计更加简洁。工程师无需再为设计和布局外部电阻而烦恼，大大缩短了设计周期。

减少电路板空间

由于减少了外部元件，电路板上的空间得到了有效利用，有助于实现更紧凑的设计。这对于空间受限的应用，如便携式设备和小型电子产品来说尤为重要。

降低组件数量

集成化的设计减少了组件数量，降低了采购成本和库存管理的复杂性。同时，也减少了焊接点，提高了系统的可靠性。

符合多种应用需求

S和NSV前缀适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用，并且符合AEC - Q101标准，具备PPAP能力。此外，这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准，满足环保要求。

主要参数

最大额定值

在环境温度 (T_{A}=25^{circ}C) 时，这些晶体管的主要最大额定值如下：	额定值	符号	最大值	单位
集电极 - 基极电压	(V_{CBO})	50	(V_{dc})
集电极 - 发射极电压	(V_{CEO})	50	(V_{dc})
集电极连续电流	(I_{C})	100	(mA_{dc})
输入正向电压	(V_{IN(fwd)})	40	(V_{dc})
输入反向电压	(V_{IN(rev)})	7	(V_{dc})

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制，不能保证器件的功能，可能会发生损坏并影响可靠性。

热特性

不同封装的晶体管具有不同的热特性，以下是部分封装的热特性参数：	封装	总器件耗散功率 (T_{A}=25^{circ}C)	高于 (25^{circ}C) 时的降额	热阻（结到环境）	热阻（结到引脚）	结和存储温度范围
SC - 59（MUN2134）	230mW（注1），338mW（注2）	1.8mW/°C（注1），2.7mW/°C（注2）	540°C/W（注1），370°C/W（注2）	264°C/W（注2），287°C/W（注2）	-55 至 +150°C
SOT - 23（MMUN2134L）	246mW（注1），400mW（注2）	2.0mW/°C（注1），3.2mW/°C（注2）	508°C/W（注1），311°C/W（注2）	174°C/W（注1），208°C/W（注2）	-55 至 +150°C
SC - 70/SOT - 323（MUN5134）	202mW（注2），310mW（注2）	1.6mW/°C（注1），2.5mW/°C（注2）	618°C/W（注1）	280°C/W（注1），332°C/W（注2）	-55 至 +150°C

注：1. FR - 4 @ 最小焊盘；2. FR - 4 @ 1.0 x 1.0 英寸焊盘；3. FR - 4 @ (100mm^{2})，1 oz. 铜走线，静止空气；4. FR - 4 @ (500mm^{2})，1 oz. 铜走线，静止空气。

电气特性

在 (T_{A}=25^{circ}C) 时，晶体管的主要电气特性如下：	特性	符号	最小值	典型值	最大值	单位
截止特性
集电极 - 基极截止电流（(V{CB}=50V)，(I{E}=0)）	(I_{CBO})			100	(nA_{dc})
集电极 - 发射极截止电流（(V{CE}=50V)，(I{B}=0)）	(I_{CEO})			500	(nA_{dc})
发射极 - 基极截止电流（(V{EB}=6.0V)，(I{C}=0)）	(I_{EBO})			0.13	(mA_{dc})
集电极 - 基极击穿电压（(I{C}=10A)，(I{E}=0)）	(V_{(BR)CBO})	50			(V_{dc})
集电极 - 发射极击穿电压（注5）（(I{C}=2.0mA)，(I{B}=0)）	(V_{(BR)CEO})	50			(V_{dc})
导通特性
直流电流增益（注5）（(I{C}=5.0mA)，(V{CE}=10V)）	(h_{FE})	80	130
集电极 - 发射极饱和电压（注5）（(I{C}=10mA)，(I{B}=1.0mA)）	(V_{CE(sat)})			0.25	(V_{dc})
输入电压（关）（(V{CE}=5.0V)，(I{C}=100A)）	(V_{i(off)})	0.5	0.9		(V_{dc})
输入电压（开）（(V{CE}=0.3V)，(I{C}=2.0mA)）	(V_{i(on)})	1.2	2.0		(V_{dc})
输出电压（开）（(V{CC}=5.0V)，(V{B}=2.5V)，(R_{L}=1.0k)）	(V_{OL})			0.2	(V_{dc})
输出电压（关）（(V{CC}=5.0V)，(V{B}=0.5V)，(R_{L}=1.0k)）	(V_{OH})			4.9	(V_{dc})
输入电阻 (R_{1})		15.4	22	28.6	(kOmega)
电阻比 (R{1}/R{2})		0.38	0.47	0.56

注5：脉冲条件：脉冲宽度 = 300msec，占空比 ≤ 2%。

订购信息

这些晶体管提供多种封装和包装形式，具体如下：	器件	零件标记	封装	包装
MUN2134T1G	6L	SC - 59（无铅）	3000 / 卷带包装
MMUN2134LT1G，SMMUN2134LT1G*	A6L	SOT - 23（无铅）	3000 / 卷带包装
MUN5134T1G，NSVMUN5134T1G*	6L	SC - 70/SOT - 323（无铅）	3000 / 卷带包装
DTA124XET1G	6L	SC - 75（无铅）	3000 / 卷带包装
DTA124XM3T5G	6L	SOT - 723（无铅）	8000 / 卷带包装
NSBA124XF3T5G	R (180°)**	SOT - 1123（无铅）	8000 / 卷带包装

机械尺寸

文档中还提供了各种封装的机械尺寸图和详细的尺寸参数，包括SOT - 23、SC - 59 - 3、SC - 70（SOT - 323）、SC75 - 3、SOT - 1123、SOT - 723等封装。这些尺寸信息对于电路板布局和设计非常重要，工程师可以根据实际需求选择合适的封装。

总结

安森美的这一系列数字晶体管通过集成偏置电阻，为电子工程师提供了一种简化电路设计、降低成本和节省电路板空间的有效解决方案。其丰富的封装选择和良好的电气性能，使其适用于各种应用场景。在实际设计中，工程师可以根据具体需求选择合适的器件，并参考文档中的参数和尺寸信息进行设计。你在使用这类数字晶体管时遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验。