安森美数字晶体管:简化电路设计的理想之选
在电子设计领域,如何简化电路设计、降低成本并节省电路板空间一直是工程师们关注的重点。安森美(onsemi)的数字晶体管系列(BRT)为解决这些问题提供了优秀的解决方案。本文将详细介绍安森美数字晶体管的特点、参数以及相关应用信息。
文件下载:DTA123E-D.PDF
产品概述
安森美此次介绍的数字晶体管系列包括MUN2131、MMUN2131L、MUN5131、DTA123EE、DTA123EM3、NSBA123EF3等型号。这些PNP晶体管带有单片偏置电阻网络,旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。其偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即串联基极电阻和基极 - 发射极电阻。通过将这些组件集成到单个器件中,BRT消除了单独的组件,从而降低了系统成本并节省了电路板空间。
产品特点
简化电路设计
传统的晶体管电路需要额外的外部电阻偏置网络来实现特定的功能,而安森美的BRT将偏置电阻集成到晶体管中,大大简化了电路设计过程。工程师无需再花费大量时间去计算和选择合适的外部电阻,减少了设计的复杂性和出错的可能性。
减少电路板空间
由于BRT将多个组件集成到一个器件中,减少了电路板上的组件数量,从而节省了宝贵的电路板空间。这对于空间受限的设计,如便携式设备、小型电子产品等尤为重要。
降低组件数量
减少组件数量不仅节省了电路板空间,还降低了系统的成本。同时,组件数量的减少也意味着焊点和连接点的减少,提高了系统的可靠性和稳定性。
符合汽车及其他应用要求
该系列产品具有S和NSV前缀,适用于汽车及其他需要独特站点和控制变更要求的应用。它们符合AEC - Q101标准,具备PPAP能力,可满足汽车电子等对可靠性和质量要求较高的应用场景。
环保特性
这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),并符合RoHS标准,符合环保要求,有助于工程师设计出更环保的产品。
产品参数
最大额定值
| 在环境温度 (T_{A}=25^{circ}C) 时,该系列数字晶体管的最大额定值如下: | 额定值 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 集电极 - 基极电压 | (V_{CBO}) | 50 | Vdc | |
| 集电极 - 发射极电压 | (V_{CEO}) | 50 | Vdc | |
| 集电极电流 - 连续 | (I_{C}) | 100 | mAdc | |
| 输入正向电压 | (V_{IN(fwd)}) | 12 | Vdc | |
| 输入反向电压 | (V_{IN(rev)}) | 10 | Vdc |
需要注意的是,超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制,不能保证器件的功能,可能会发生损坏并影响可靠性。
热特性
| 不同封装的数字晶体管具有不同的热特性,以下是部分封装的热特性参数: | 封装 | 总器件功耗 (T_{A}=25^{circ}C) | 25°C 以上降额 | 热阻(结到环境) | 结和存储温度范围 |
|---|---|---|---|---|---|
| SC - 59(MUN2131) | 230mW(注1),338mW(注2) | 1.8mW/°C(注1),2.7mW/°C(注2) | 540°C/W(注1),370°C/W(注2) | -55 至 +150°C | |
| SOT - 23(MMUN2131L) | 246mW(注1),400mW(注2) | 2.0mW/°C(注1),3.2mW/°C(注2) | 508°C/W(注1),311°C/W(注2) | -55 至 +150°C | |
| SC - 70/SOT - 323(MUN5131) | 202mW(注1),310mW(注2) | 1.6mW/°C(注1),2.5mW/°C(注2) | 618°C/W(注1),403°C/W(注2) | -55 至 +150°C |
电气特性
| 在 (T_{A}=25^{circ}C) 时,该系列数字晶体管的电气特性如下: | 特性 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 关断特性 | ||||||
| 集电极 - 基极截止电流((V{CB}=50V),(I{E}=0)) | (I_{CBO}) | 100 | nAdc | |||
| 集电极 - 发射极截止电流((V{CE}=50V),(I{B}=0)) | (I_{CEO}) | 500 | nAdc | |||
| 发射极 - 基极截止电流((V{EB}=6.0V),(I{C}=0)) | (I_{EBO}) | 2.3 | mAdc | |||
| 集电极 - 基极击穿电压((I{C}=10A),(I{E}=0)) | (V_{(BR)CBO}) | 50 | Vdc | |||
| 集电极 - 发射极击穿电压(注5)((I{C}=2.0mA),(I{B}=0)) | (V_{(BR)CEO}) | 50 | Vdc | |||
| 导通特性 | ||||||
| 直流电流增益(注5)((I{C}=5.0mA),(V{CE}=10V)) | (h_{FE}) | 8.0 | 15 | |||
| 集电极 - 发射极饱和电压(注5)((I{C}=10mA),(I{B}=5.0mA)) | (V_{CE(sat)}) | 0.25 | Vdc | |||
| 输入电压(关)((V{CE}=5.0V),(I{C}=100A)) | (V_{i(off)}) | 0.5 | 1.2 | Vdc | ||
| 输入电压(开)((V{CE}=0.3V),(I{C}=20mA)) | (V_{i(on)}) | 1.7 | 2.0 | Vdc | ||
| 输出电压(开)((V{CC}=5.0V),(V{B}=2.5V),(R_{L}=1.0k)) | (V_{OL}) | 0.2 | Vdc | |||
| 输出电压(关)((V{CC}=5.0V),(V{B}=0.25V),(R_{L}=1.0k)) | (V_{OH}) | 4.9 | Vdc | |||
| 输入电阻 (R_{1}) | 1.5 | 2.2 | 2.9 | k | ||
| 电阻比 (R{1}/R{2}) | 0.8 | 1.0 | 1.2 |
注5:脉冲条件为脉冲宽度 = 300msec,占空比 ≤ 2%。
封装信息
该系列数字晶体管提供多种封装形式,包括SC - 59、SOT - 23、SC - 70/SOT - 323、SC - 75、SOT - 723、SOT - 1123等。每种封装都有其特定的尺寸和引脚连接方式,具体信息可参考数据手册。同时,数据手册中还提供了每种封装的机械外形图和推荐的安装 footprint,方便工程师进行设计。
总结
安森美的数字晶体管系列(BRT)以其简化电路设计、减少电路板空间、降低组件数量等优点,为电子工程师提供了一种高效、可靠的解决方案。无论是在汽车电子、便携式设备还是其他应用领域,这些数字晶体管都能发挥重要作用。在实际设计中,工程师可以根据具体的应用需求选择合适的型号和封装,以实现最佳的性能和成本效益。你在使用安森美数字晶体管时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
-
安森美
+关注
关注
33文章
2460浏览量
95935 -
电路设计
+关注
关注
6748文章
2892浏览量
220698 -
数字晶体管
+关注
关注
0文章
30浏览量
4641
发布评论请先 登录
安森美数字晶体管:简化电路设计的理想之选
评论