安森美互补偏置电阻晶体管：简化电路设计的理想之选

在电子电路设计中，如何简化设计、降低成本并节省电路板空间一直是工程师们追求的目标。安森美（onsemi）推出的一系列互补偏置电阻晶体管（BRT）——MUN5314DW1、NSBC114YPDXV6和NSBC114YPDP6，为我们提供了一个很好的解决方案。

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产品概述

这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。通过将这些单独的组件集成到一个器件中，BRT消除了对这些独立组件的需求，从而降低了系统成本并节省了电路板空间。

产品特性

简化电路设计

传统的晶体管电路需要额外的外部电阻来设置偏置，而BRT将这些电阻集成在芯片内部，大大简化了电路设计过程。工程师无需再为选择合适的电阻值和布局而烦恼，只需使用BRT即可快速搭建电路。

减少电路板空间

由于BRT将多个组件集成在一起，减少了电路板上的元件数量，从而节省了宝贵的电路板空间。这对于空间有限的设计，如便携式设备和高密度电路板，尤为重要。

降低组件数量

减少组件数量不仅可以降低成本，还可以提高电路的可靠性。更少的组件意味着更少的焊点和连接，从而减少了故障的可能性。

汽车及其他应用的适用性

这些器件具有S和NSV前缀，适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用。它们符合AEC - Q101标准，并具备PPAP能力。此外，这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。

产品参数

最大额定值

额定值	符号	最大值	单位
集电极 - 基极电压	(V_{CBO})	50	(V_{dc})
集电极 - 发射极电压	(V_{CEO})	50	(V_{dc})
集电极电流 - 连续	(I_{C})	100	(m A_{dc})
输入正向电压	(V_{IN(fwd)})	40	(V_{dc})
输入反向电压	(V_{IN(rev)})	6	(V_{dc})

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制，不能保证器件的功能，可能会发生损坏并影响可靠性。

电气特性

特性	符号	最小值	典型值	最大值	单位
截止特性
集电极 - 基极截止电流 ((V{CB}=50V, I{E}=0))	(I_{CBO})			100	(n A_{dc})
集电极 - 发射极截止电流 ((V{CE}=50V, I{B}=0))	(I_{CEO})			500	(n A_{dc})
发射极 - 基极截止电流 ((V{EB}=6.0V, I{C}=0))	(I_{EBO})			0.2	(m A_{dc})
集电极 - 基极击穿电压 ((I{C}=10mu A, I{E}=0))	(V_{(BR)CBO})	50			(V_{dc})
集电极 - 发射极击穿电压 (注7) ((I{C}=2.0mA, I{B}=0))	(V_{(BR)CEO})	50			(V_{dc})
导通特性
直流电流增益 (注7) ((I{C}=5.0 mA, V{CE}=10 V))	(h_{FE})	80	140
集电极 - 发射极饱和电压 (注7) ((I{C}=10mA, I{B}=0.3mA))	(V_{CE(sat)})			0.25	(V)
输入电压 (关) ((V{CE}=5.0 V, I{C}=100 mu A))(NPN) ((V{CE}=5.0 V, I{C}=100 mu A))(PNP)	(V_{i(off)})		0.7	0.3	(V_{dc})
输入电压 (开) ((V{CE}=0.2 V, I{C}=1.0 mA))(NPN) ((V{CE}=0.2 V, I{C}=1.0 mA))(PNP)	(V_{i(on)})	1.4	0.8		(V_{dc})
输出电压 (开) ((V{CC}=5.0 V, V{B}=2.5 V, R_{L}=1.0 k Omega))	(V_{OL})			0.2	(V_{dc})
输出电压 (关) ((V{CC}=5.0 V, V{B}=0.5 V, R_{L}=1.0 k Omega))	(V_{OH})	4.9			(V_{dc})
输入电阻	(R_{1})	7.0	10	13	(kOmega)
电阻比	(R{1}/R{2})	0.17	0.21	0.25

注7：脉冲条件：脉冲宽度 = 300 ms，占空比 ≤ 2%

热特性

不同封装和工作条件下的热特性有所不同。例如，MUN5314DW1（SOT - 363）在单结加热和双结加热时的总器件功耗、降额系数和热阻都有相应的参数。这些热特性对于评估器件在不同工作环境下的性能和可靠性非常重要。

封装和订购信息

这些器件提供多种封装选项，如SOT - 363、SOT - 563和SOT - 963。不同封装的器件在引脚连接和尺寸上有所不同，工程师可以根据具体的应用需求选择合适的封装。

订购信息中还列出了不同器件的包装数量和运输方式。需要注意的是，部分器件已经停产，如NSBC114YPDXV6T5G，不建议用于新设计。

总结

安森美的互补偏置电阻晶体管MUN5314DW1、NSBC114YPDXV6和NSBC114YPDP6为电子工程师提供了一种简化电路设计、降低成本和节省电路板空间的有效解决方案。它们具有多种特性和良好的电气性能，适用于各种应用场景。在选择和使用这些器件时，工程师应仔细考虑其参数和特性，以确保满足设计要求。

你在实际设计中是否使用过类似的集成晶体管呢？你对它们的性能和应用有什么看法？欢迎在评论区分享你的经验和见解。