onsemi FDMC86248 N - 通道MOSFET：高性能与高效能的完美结合

在电子设计领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是不可或缺的关键元件。今天我们就来深入探讨一下安森美（onsemi）的FDMC86248 N - 通道MOSFET，看看它究竟有哪些独特的性能和优势。

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一、产品概述

FDMC86248是一款采用安森美先进POWERTRENCH工艺生产的N - 通道MOSFET。该工艺经过特别优化，能够在最大程度降低导通电阻的同时，保持卓越的开关性能。这种特性使得FDMC86248在各种应用中都能表现出色。

二、产品特性

低导通电阻

• 在 (V{GS}=10 V)，(I{D}=3.4 A) 时，最大 (R{DS(on)}=90 mOmega)；在 (V{GS}=6 V)，(I{D}=2.9 A) 时，最大 (R{DS(on)}=125 mOmega)。低导通电阻意味着在导通状态下，MOSFET的功耗更低，能够有效提高系统的效率。

  先进封装与硅片组合

  采用先进的封装与硅片组合技术，实现了低 (R_{DS(on)}) 和高效率。这种设计不仅提高了产品的性能，还增强了产品的可靠性。

  环保合规

  该产品符合无铅、无卤和RoHS标准，满足环保要求，为绿色电子设计提供了支持。

  100% UIL测试

  经过100%的非钳位电感开关（UIL）测试，确保产品在各种工作条件下都能稳定可靠地运行。

三、应用领域

初级MOSFET

在电源电路中，FDMC86248可作为初级MOSFET使用，能够有效控制电源的开关，提高电源的效率和稳定性。

MV同步整流器

在中压同步整流应用中，FDMC86248能够提供高效的整流功能，减少能量损耗，提高系统的整体性能。

四、最大额定值

符号	参数	值	单位
(V_{DS})	漏源电压	150	V
(V_{GS})	栅源电压	± 20	V
(I_{D})	漏极电流（连续、脉冲）	13（(T{C}=25^{circ}C) 连续） 3.4（(T{A}=25^{circ}C) 连续） 15（脉冲）	A
(E_{AS})	单脉冲雪崩能量	37	mJ
(P_{D})	功率耗散（(T{C}=25^{circ}C)、(T{A}=25^{circ}C)）	36（(T{C}=25^{circ}C)） 2.3（(T{A}=25^{circ}C)）	W
(T{J}, T{STG})	工作和存储结温范围	–55 至 +150	°C

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

五、电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压 (BVDSS)：在 (I{D}=250mu A)，(V{GS}=0 V) 时，为150 V。
• 击穿电压温度系数 (BVDSS/T{J})：在 (I{D}=250mu A) 时，为104 mV/°C。
• 零栅压漏极电流 (IDSS)：在 (V{DS}=120 V)，(V{GS}=0 V) 时，为1 (mu A)。
• 栅源泄漏电流 (IGSS)：在 (V{GS}=±20 V)，(V{DS}=0 V) 时，为 ±100 nA。

导通特性

• 栅源阈值电压 (VGS(th))：在特定测试条件下有相应的参数。
• 静态漏源导通电阻：在不同的 (V{GS}) 和 (I{D}) 条件下有不同的值，如 (V{GS}=6 V)，(I{D}=2.9 A) 时，最大为90 mΩ。
• 正向跨导：有相应的典型值和范围。

动态特性

• 反向传输电容：有特定的值。
• 栅极电阻 (Rg)：为2.0 Ω。

开关特性

• 关断延迟时间 (td(off))：在特定条件下有相应的范围。
• 栅源电荷 (Qgs)、栅漏“米勒”电荷 (Qad) 等在不同测试条件下有相应的值。

漏源二极管特性

在 (V{GS}=0 V)，(I{S}=3.4 A) 时，有相应的正向电压等参数。

六、热特性

热阻是衡量MOSFET散热性能的重要指标。(R{theta JA}) 是在特定条件下确定的，如在 (1 in^{2}) 2 oz铜焊盘的FR - 4材料板上，有不同的热阻值。(R{theta JC}) 由设计保证，而 (R_{theta CA}) 则由用户的电路板设计决定。

七、典型特性曲线

文档中提供了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、归一化导通电阻与结温的关系、导通电阻与栅源电压的关系、传输特性、源漏二极管正向电压与源电流的关系、栅极电荷特性、电容与漏源电压的关系、非钳位电感开关能力、最大连续漏极电流与壳温的关系、正向偏置安全工作区、单脉冲最大功率耗散、结到环境的瞬态热响应曲线等。这些曲线能够帮助工程师更好地了解FDMC86248在不同工作条件下的性能表现。

八、总结

FDMC86248 N - 通道MOSFET凭借其低导通电阻、先进的封装技术、环保合规以及出色的电气和热性能，在初级MOSFET和MV同步整流器等应用中具有很大的优势。电子工程师在设计相关电路时，可以充分考虑FDMC86248的这些特性，以提高系统的性能和可靠性。不过，在实际应用中，还需要根据具体的工作条件对各项参数进行验证，确保产品能够满足设计要求。大家在使用过程中有没有遇到过类似MOSFET的一些特殊问题呢？欢迎在评论区分享交流。