onsemi FDMC86139P P-Channel MOSFET：高性能与可靠性的完美结合

在电子设计领域，MOSFET作为关键的半导体器件，其性能直接影响着整个电路的表现。今天，我们就来深入了解一下安森美（onsemi）推出的FDMC86139P P-Channel MOSFET，看看它有哪些独特之处。

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产品概述

FDMC86139P采用了安森美先进的POWERTRENCH技术，这种高密度工艺专为降低导通电阻和优化开关性能而设计。它适用于多种应用场景，如主动钳位开关和负载开关等。

关键特性

低导通电阻

这款MOSFET的导通电阻非常低，在 (V{GS}=-10V)、(I{D}=-4.4A) 时，最大 (r{DS(on)}) 仅为 (67mOmega)；在 (V{GS}=-6V)、(I{D}=-3.6A) 时，最大 (r{DS(on)}) 为 (89mOmega)。低导通电阻意味着在导通状态下，器件的功耗更低，能够有效提高电路的效率。

优化的开关性能

该产品针对快速开关应用进行了优化，具备较低的栅极电荷 (Q_{g})，这使得它在开关过程中能够快速响应，减少开关损耗，提高开关速度。

高可靠性

FDMC86139P经过了100%的UIL（非钳位电感开关）测试，确保了其在实际应用中的可靠性。同时，该器件符合无铅和RoHS标准，环保性能出色。

电气特性

最大额定值

参数	额定值	单位
(V_{DS})（漏源电压）	-100	V
(V_{GS})（栅源电压）	±25	V
(I_{D})（漏极电流）	连续（(T{C}=25^{circ}C)）：-15 连续（(T{A}=25^{circ}C)）：-4.4 脉冲：-30	A
(E_{AS})（单脉冲雪崩能量）	121	mJ
(P_{D})（功率耗散）	(T{C}=25^{circ}C)：40 (T{A}=25^{circ}C)：2.3	W
(T{J})、(T{STG})（工作和存储结温范围）	-55 至 +150	°C

电气参数

• 关断特性：
  • 漏源击穿电压 (B{VDS})：在 (I{D}=-250mu A)、(V_{GS}=0V) 时为 -100V。
  • 击穿电压温度系数 (B_{VDS TJ})：-63mV/°C。
  • 零栅压漏极电流 (I{DSS})：在 (V{DS}=-80V)、(V_{GS}=0V) 时小于 -1μA。
  • 栅源泄漏电流 (I{GSS})：在 (V{GS}=±25V)、(V_{DS}=0V) 时为 ±100nA。
• 导通特性：
  • 栅源阈值电压 (V{GS(th)})：在 (V{GS}=V{DS})、(I{D}=-250mu A) 时为 -2 至 -4V。
  • 栅源阈值电压温度系数 (V_{GS(th) TJ})：7mV/°C。
  • 静态漏源导通电阻 (r{DS(on)})：在不同的 (V{GS}) 和 (I{D}) 条件下有不同的值，如 (V{GS}=-10V)、(I_{D}=-4.4A) 时为 56 - 67mΩ。
  • 正向跨导 (g{FS})：在 (V{DS}=-10V)、(I_{D}=-4.4A) 时为 12S。
• 动态特性：
  • 输入电容 (C{iss})：在 (V{DS}=-50V)、(V_{GS}=0V)、(f = 1MHz) 时为 1001 - 1335pF。
  • 输出电容 (C_{oss})：178 - 240pF。
  • 反向传输电容 (C_{rss})：10 - 15pF。
  • 栅极电阻 (R_{g})：0.1 - 3.2Ω。
• 开关特性：
  • 导通延迟时间 (t{d(on)})：在 (V{DD}=-50V)、(I{D}=-4.4A)、(V{GS}=-10V)、(R_{GEN}=6Omega) 时为 11 - 20ns。
  • 上升时间 (t_{r})：2.5 - 10ns。
  • 关断延迟时间 (t_{d(off)})：17 - 30ns。
  • 下降时间 (t_{f})：4 - 10ns。
  • 总栅极电荷 (Q{g(TOT)})：在不同的 (V{GS}) 条件下有不同的值，如 (V{DD}=-50V)、(I{D}=-4.4A)、(V_{GS}=0V) 至 -10V 时为 16 - 22nC。
  • 栅源总电荷 (Q{gs})：在 (V{DD}=-50V)、(I_{D}=-4.4A) 时为 4.5nC。
  • 栅漏“米勒”电荷 (Q_{gd})：3.2nC。
• 漏源二极管特性：
  • 源漏二极管正向电压 (V{SD})：在不同的 (I{S}) 条件下有不同的值，如 (V{GS}=0V)、(I{S}=-4.4A) 时为 -0.84 至 -1.3V。
  • 反向恢复时间 (t{rr})：在 (I{F}=-4.4A)、(di/dt = 100A/mu s) 时为 70 - 112ns。
  • 反向恢复电荷 (Q_{rr})：141 - 225nC。

典型特性

通过一系列的典型特性曲线，我们可以更直观地了解FDMC86139P的性能表现。例如，导通电阻与漏极电流、栅源电压以及结温的关系曲线，能够帮助我们在不同的工作条件下选择合适的参数；栅极电荷特性曲线则展示了器件在开关过程中的电荷变化情况。

封装与订购信息

FDMC86139P采用WDFN8 3.3x3.3, 0.65P封装，这种封装具有良好的散热性能和较小的尺寸，适合在高密度的电路板上使用。订购时，其卷盘尺寸为13”，胶带宽度为12mm，每卷数量为3000个。

总结

onsemi的FDMC86139P P-Channel MOSFET凭借其低导通电阻、优化的开关性能和高可靠性，成为了电子工程师在设计主动钳位开关和负载开关等应用时的理想选择。在实际应用中，我们可以根据具体的电路要求，合理选择器件的工作参数，以充分发挥其性能优势。你在使用MOSFET时，有没有遇到过一些特别的问题呢？欢迎在评论区分享你的经验。