onsemi FDMC86102LZ N沟道MOSFET：高性能与可靠性兼备

在电子设计领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一种极为重要的器件，广泛应用于各种电路中。今天，我们要详细介绍的是安森美半导体（onsemi）的FDMC86102LZ N沟道MOSFET，它有着独特的技术特点和出色的性能表现。

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产品概述

FDMC86102LZ是一款采用安森美先进POWERTRENCH工艺并结合屏蔽栅技术生产的N沟道逻辑电平MOSFET。该工艺在优化导通电阻的同时，还能保持卓越的开关性能。此外，它还增加了G - S齐纳二极管，以提高ESD（静电放电）电压水平。

技术特点剖析

屏蔽栅MOSFET技术

屏蔽栅MOSFET技术是这款产品的一大亮点。它能够有效降低导通电阻，提高开关速度。在不同的栅源电压和漏极电流条件下，FDMC86102LZ展现出了出色的导通电阻特性：

• 当 (V{GS}=10V)，(I{D}=6.5A) 时，最大 (R_{DS(on)} = 24mOmega)；
• 当 (V{GS}=4.5V)，(I{D}=5.5A) 时，最大 (R_{DS(on)} = 35mOmega)。

这种低导通电阻能够减少功率损耗，提高电路效率，对于追求高效能的设计来说至关重要。大家在实际设计中，是否遇到过因为导通电阻过大而导致电路发热严重的问题呢？

ESD保护

该MOSFET具有典型值大于6kV的HBM（人体模型）ESD保护水平，这意味着它能够更好地抵御静电干扰，提高产品的可靠性和稳定性。在一些容易产生静电的环境中，如工业自动化、消费电子等领域，这种强大的ESD保护能力可以大大降低器件损坏的风险。

100% UIL测试

FDMC86102LZ经过了100%的UIL（非钳位感性负载）测试，这表明它在处理感性负载时具有良好的性能和可靠性。在实际应用中，感性负载是很常见的，如电机、变压器等，通过UIL测试可以确保MOSFET在这些应用中能够稳定工作。

RoHS合规

产品符合RoHS（限制有害物质）标准，这体现了安森美在环保方面的考虑。对于那些对环保有要求的项目，FDMC86102LZ是一个不错的选择。

应用领域

FDMC86102LZ适用于DC - DC开关应用。在DC - DC转换电路中，它的低导通电阻和快速开关特性能够有效提高转换效率，减少能量损耗。例如，在电源模块、电池充电器等设备中，都可以看到它的身影。大家在设计DC - DC电路时，是否会优先考虑这类高性能的MOSFET呢？

关键参数解读

最大额定值

符号	参数	额定值	单位
(V_{DS})	漏源电压	100	V
(V_{GS})	栅源电压	±20	V
(I_{D})	连续漏极电流（(T_{C}=25^{circ}C)）	22	A
(I_{D})	连续漏极电流（(T_{A}=25^{circ}C)）	7	A
(I_{D})	脉冲漏极电流	30	A
(E_{AS})	单脉冲雪崩能量	84	mJ
(P_{D})	功率耗散（(T_{C}=25^{circ}C)）	41	W
(P_{D})	功率耗散（(T_{A}=25^{circ}C)）	2.3	W
(T{J}, T{STG})	工作和存储结温范围	-55 至 +150	°C

这些参数为我们在设计电路时提供了重要的参考，确保器件在安全的工作范围内运行。如果超出这些最大额定值，可能会导致器件损坏，影响电路的可靠性。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压 (B{V DSS})：在 (I{D}=250mu A)，(V_{GS}=0V) 时为100V。
• 零栅压漏极电流 (I{DSS})：在 (V{DS}=80V)，(V_{GS}=0V) 时为 - 1(mu A)。
• 栅源泄漏电流 (I{GSS})：在 (V{GS}=pm20V)，(V_{DS}=0V) 时为 (pm10nA)。

导通特性

• 栅源阈值电压 (V{GS(th)})：在 (V{GS}=V{DS})，(I{D}=250mu A) 时，最小值为1.0V，典型值为1.6V，最大值为2.2V。
• 静态漏源导通电阻 (R{DS(on)})：在不同的 (V{GS}) 和 (I{D}) 条件下有不同的值，如 (V{GS}=10V)，(I_{D}=6.5A) 时，典型值为19m(Omega)，最大值为24m(Omega)。

动态特性

• 输入电容 (C{iss})：在 (V{DS}=50V)，(V_{GS}=0V)，(f = 1MHz) 时，典型值为969pF，最大值为1290pF。
• 输出电容 (C_{oss})：典型值为181pF，最大值为240pF。
• 反向传输电容 (C_{rss})：典型值为9pF，最大值为15pF。
• 栅极电阻 (R_{g})：为0.4(Omega)。

开关特性

• 开启延迟时间 (t_{d(on)})：典型值为7.1ns，最大值为15ns。
• 上升时间 (t_{r})：典型值为2.3ns，最大值为10ns。
• 关断延迟时间 (t_{d(off)})：典型值为19ns，最大值为35ns。
• 下降时间 (t_{f})：典型值为2.5ns，最大值为10ns。
• 总栅极电荷 (Q{g(tot)})：在不同的 (V{GS}) 条件下有不同的值，如 (V{GS}=0V) 至10V，(V{DD}=50V)，(I_{D}=6.5A) 时，典型值为15.3nC，最大值为22nC。

这些电气特性详细描述了MOSFET的性能，我们在设计电路时需要根据实际需求来选择合适的参数。例如，在高速开关电路中，我们可能更关注开关时间和栅极电荷等参数。

封装与订购信息

FDMC86102LZ采用WDFN8（无铅、无卤）封装，每盘3000个，采用带盘包装。对于封装的选择，我们需要考虑电路板的空间、散热等因素。大家在选择封装时，会优先考虑哪些因素呢？

总结

FDMC86102LZ N沟道MOSFET凭借其先进的屏蔽栅技术、出色的ESD保护、良好的开关性能和低导通电阻等特点，在DC - DC开关等应用中具有很大的优势。作为电子工程师，我们在设计电路时，需要充分了解器件的特性和参数，根据实际需求选择合适的器件，以确保电路的性能和可靠性。希望通过本文的介绍，大家对FDMC86102LZ有了更深入的了解，在实际设计中能够更好地应用这款产品。