onsemi FDMC86260 N沟道MOSFET：高性能与可靠性的完美结合

在电子设计领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一种至关重要的元件，广泛应用于各种电路中。今天，我们来深入了解一下安森美（onsemi）的FDMC86260 N沟道MOSFET，看看它有哪些独特的特性和优势。

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一、产品概述

FDMC86260是一款采用安森美先进POWERTRENCH工艺并结合屏蔽栅技术的N沟道MOSFET。这种工艺在优化导通电阻的同时，还能保持卓越的开关性能，为工程师在设计中提供了更高效、更可靠的选择。

二、产品特性

1. 屏蔽栅MOSFET技术

屏蔽栅技术是FDMC86260的一大亮点。它能够有效降低导通电阻，提高开关速度，减少开关损耗。具体来看，在不同的栅源电压和漏极电流条件下，其导通电阻表现出色：

• 当$V{GS}=10 V$，$I{D}=5.4 A$时，最大$R_{DS(on)}=34 m Omega$；
• 当$V{GS}=6 V$，$I{D}=4.8 A$时，最大$R_{DS(on)}=44 m Omega$。

2. 高性能低导通电阻

该MOSFET采用了高性能技术，实现了极低的$R_{DS(on)}$。同时，它经过了100% UIL（非钳位电感开关）测试，确保了在各种应用场景下的可靠性。

3. 环保合规

FDMC86260符合无铅、无卤和RoHS标准，满足环保要求，这对于现代电子设备的设计来说至关重要。

三、最大额定值

在使用MOSFET时，了解其最大额定值是非常重要的，这关系到设备的安全和性能。以下是FDMC86260的主要最大额定值：	Symbol	Parameter	Value	Unit
V DS	Drain to Source Voltage	150	V
V GS	Gate to Source Voltage	± 20	V
I D	Drain Current: Continuous, T C = 25 ° C (Note 5) Continuous, T C = 100 ° C (Note 5) Continuous, T A = 25 ° C (Note 1a) Pulsed (Note 4)	25 16 5.4 135	A
E AS	Single Pulse Avalanche Energy (Note 3)	121	mJ
P D	Power Dissipation: T C = 25 ° C T A = 25 ° C (Note 1a)	54 2.3	W
T J , T STG	Operating and Storage Junction Temperature Range	−55 to +150	° C

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏设备，影响其功能和可靠性。

四、热特性

热特性对于MOSFET的性能和寿命有着重要影响。FDMC86260的热阻会受到安装方式和电路板设计的影响：

• 当安装在1平方英寸、2盎司铜箔的焊盘上时，$R_{theta J A}$为53°C/W；
• 当安装在最小的2盎司铜箔焊盘上时，$R_{theta J A}$为125°C/W。

五、电气特性

1. 关断特性

• 漏源击穿电压$BVDSS$：当$I{D}=250A$，$V{GS}=0 V$时，为150 V。
• 击穿电压温度系数$BVDSS/TJ$：当$I_{D}=250A$，参考温度为25°C时，为110 mV/°C。
• 零栅压漏极电流$IDSS$：当$V{DS}=120 V$，$V{GS}=0 V$时，为1 A。
• 栅源泄漏电流$IGSS$：当$V{GS}= ±20 V$，$V{DS}=0 V$时，为±100 nA。

2. 导通特性

• 阈值电压：当$V{GS}=V{DS}$，$I_{D}=250 mu A$时，有相应的数值。
• 阈值电压温度系数：当$I_{D}=250 mu A$，参考温度为25°C时，为 -9 mV/°C。
• 导通电阻：当$V{GS}=10 V$，$I{D}=5.4 A$时，典型值为27 mΩ，最大值为34 mΩ。
• 正向跨导：当$V{DD}=10 V$，$I{D}=5.4 A$时，为19。

3. 动态特性

输出电容$Coss$为105 pF。

4. 开关特性

• 开启延迟时间$td(on)$：有不同测试条件下的数值，如$V{GS}=0 V$到$10 V$，$V{DD}=75 V$，$I_{D}=5.4A$时，为9.5 - 19 ns。
• 栅极电荷$Qgs$和$Qgd$也有相应的数值。

六、典型特性

文档中给出了多个典型特性曲线，这些曲线对于工程师在设计电路时非常有帮助：

1. 导通区域特性

展示了不同栅源电压下，漏极电流与漏源电压的关系。

2. 归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系

可以直观地看到导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化情况。

3. 归一化导通电阻与结温的关系

了解导通电阻在不同结温下的变化，对于热设计非常重要。

4. 导通电阻与栅源电压的关系

帮助工程师选择合适的栅源电压以获得较低的导通电阻。

5. 传输特性

体现了漏极电流与栅源电压的关系。

6. 源漏二极管正向电压与源电流的关系

对于涉及二极管应用的电路设计有参考价值。

7. 栅极电荷特性

有助于理解MOSFET的开关过程。

8. 电容与漏源电压的关系

对于高频应用中的电容特性有重要参考意义。

9. 非钳位电感开关能力

展示了MOSFET在雪崩状态下的性能。

10. 最大连续漏极电流与壳温的关系

为散热设计提供依据。

11. 正向偏置安全工作区

明确了MOSFET在不同条件下的安全工作范围。

12. 单脉冲最大功率耗散

了解MOSFET在脉冲情况下的功率承受能力。

13. 结到环境的瞬态热响应曲线

对于热管理设计非常关键。

七、订购信息

FDMC86260采用WDFN8封装，无铅、无卤，每盘3000个，以卷带形式包装。

八、总结

总的来说，安森美FDMC86260 N沟道MOSFET凭借其先进的工艺、出色的性能和环保合规性，在DC - DC转换等应用中具有很大的优势。工程师在设计电路时，可以根据其各项特性和参数，合理选择和使用该MOSFET，以实现高效、可靠的电路设计。你在使用MOSFET时，有没有遇到过一些特殊的问题呢？欢迎在评论区分享你的经验。