onsemi FDMC86102 N-Channel MOSFET：高性能与可靠性的完美结合

在电子设计领域，MOSFET作为关键的功率开关器件，其性能直接影响着整个电路的效率和稳定性。今天，我们就来深入了解一下onsemi推出的FDMC86102 N-Channel MOSFET，看看它在实际应用中能为我们带来哪些优势。

文件下载：FDMC86102-D.pdf

产品概述

FDMC86102采用了onsemi先进的POWERTRENCH工艺，并融入了Shielded Gate技术。这种工艺在优化导通电阻的同时，还能保持出色的开关性能，为DC - DC转换等应用提供了可靠的解决方案。

产品特性

低导通电阻

• 在(V{GS}=10 V)，(I{D}=7 A)时，最大(R_{DS(on)} = 24 mΩ)；
• 在(V{GS}=6 V)，(I{D}=5 A)时，最大(R_{DS(on)} = 38 mΩ)。 低导通电阻意味着在导通状态下，MOSFET的功率损耗更小，从而提高了电路的效率。

低外形封装

采用Power 33封装，最大高度仅为1 mm，适合对空间要求较高的应用场景。

可靠性测试

经过100% UIL（Unclamped Inductive Load）测试，确保了产品在实际应用中的可靠性。

环保合规

该器件无铅、无卤，符合RoHS标准，满足环保要求。

产品参数

最大额定值

Symbol	Parameter	Ratings	Unit
(V_{DS})	Drain to Source Voltage	100	V
(V_{GS})	Gate to Source Voltage	± 20	V
(I_{D})	Drain Current - Continuous ((T_{C} = 25 °C))	20	A
(I_{D})	Drain Current - Continuous ((T_{A} = 25 °C))	7	A
(I_{D})	Drain Current - Pulsed	60	A
(E_{AS})	Single Pulse Avalanche Energy	72	mJ
(P_{D})	Power Dissipation ((T_{C} = 25 °C))	41	W
(P_{D})	Power Dissipation ((T_{A} = 25 °C))	2.3	W
(T{J}, T{STG})	Operating and Storage Junction Temperature Range	-55 to +150	°C

电气特性

• 关断特性：包括漏源击穿电压、零栅压漏电流、栅源泄漏电流等参数。
• 导通特性：如开启电压、静态漏源导通电阻等。
• 动态特性：输入电容、输出电容等。
• 开关特性：导通延迟时间、上升时间、关断延迟时间、下降时间等。
• 漏源二极管特性：正向电压、反向恢复时间等。

典型特性曲线

文档中提供了一系列典型特性曲线，直观地展示了FDMC86102在不同条件下的性能表现。例如，导通电阻与漏极电流、栅源电压以及结温的关系曲线，有助于工程师在设计时更好地了解器件的性能变化，从而优化电路设计。

封装与引脚分配

FDMC86102采用PQFN8 3.3 x 3.3, 0.65P封装，文档中详细给出了引脚分配图和封装尺寸信息，方便工程师进行PCB设计。同时，还提供了引脚标记图和订购信息，便于采购和使用。

应用建议

在实际应用中，需要注意以下几点：

• 工作条件应在最大额定值范围内，避免超过极限参数导致器件损坏。
• 热管理非常重要，合理的散热设计可以确保器件在正常温度范围内工作，提高可靠性。
• 根据具体应用场景，选择合适的驱动电路，以保证MOSFET的开关性能。

总的来说，onsemi的FDMC86102 N-Channel MOSFET凭借其出色的性能和可靠性，在DC - DC转换等应用中具有很大的优势。作为电子工程师，我们在设计电路时，可以充分考虑该器件的特点，以实现更高效、更稳定的电路设计。大家在使用这款MOSFET时，有没有遇到过什么有趣的问题或者独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享。