安森美 NTMYS1D2N04CL 单通道 N 沟道功率 MOSFET 详解

在电子设备的设计中，功率 MOSFET 是至关重要的元件，它直接影响着设备的性能和效率。今天，我们就来详细了解一下安森美（onsemi）推出的 NTMYS1D2N04CL 单通道 N 沟道功率 MOSFET。

文件下载：NTMYS1D2N04CL-D.PDF

产品特性

紧凑设计

NTMYS1D2N04CL 采用 5x6mm 的小尺寸封装，非常适合对空间要求较高的紧凑型设计。这种小尺寸的设计使得它在一些空间受限的应用场景中，如小型电源模块、便携式设备等，具有很大的优势。你是否在设计中也遇到过空间紧张的难题呢？

低损耗特性

• 低导通电阻（$R_{DS(on)}$）：能够有效降低导通损耗，提高系统的效率。例如，在高电流应用中，低导通电阻可以减少发热，延长设备的使用寿命。
• 低栅极电荷（$Q_{G}$）和电容：有助于降低驱动损耗，提高开关速度。这对于高频应用来说尤为重要，可以减少开关过程中的能量损耗。

标准封装

采用 LFPAK4 封装，这是一种行业标准封装，具有良好的兼容性和可互换性，方便工程师进行设计和替换。

环保合规

该器件无铅且符合 RoHS 标准，满足环保要求，符合现代电子产品的发展趋势。

最大额定值

电压与电流

参数	符号	数值	单位
漏源电压	$V_{DSS}$	40	V
栅源电压	$V_{GS}$	±20	V
连续漏极电流（$T_C = 25^{circ}C$）	$I_D$	258	A
连续漏极电流（$T_C = 100^{circ}C$）	$I_D$	182	A
脉冲漏极电流（$T_A = 25^{circ}C$，$t_p = 10mu s$）	$I_{DM}$	900	A

功率与温度

参数	符号	数值	单位
功率耗散（$T_C = 25^{circ}C$）	$P_D$	134	W
功率耗散（$T_C = 100^{circ}C$）	$P_D$	67	W
工作结温和存储温度范围	$TJ$，$T{stg}$	-55 至 +175	°C

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其可靠性。在设计时，一定要根据实际应用场景合理选择参数，避免超出器件的承受范围。你在设计中是如何确保器件工作在安全范围内的呢？

热阻特性

参数	符号	数值	单位
结到壳热阻（稳态）	$R_{theta JC}$	1.12	°C/W
结到环境热阻（稳态）	$R_{theta JA}$	39	°C/W

热阻是衡量器件散热能力的重要指标。在实际应用中，热阻会受到整个应用环境的影响，并非固定值。例如，表面贴装在 FR4 板上，使用 $650mm^2$、2 oz. Cu 焊盘时，热阻会有所不同。在设计散热方案时，要充分考虑这些因素，确保器件在正常温度范围内工作。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压（$V_{(BR)DSS}$）：在 $V_{GS} = 0V$，$I_D = 250mu A$ 时，最小值为 40V，温度系数为 20mV/°C。
• 零栅压漏极电流（$I_{DSS}$）：在 $V{GS} = 0V$，$V{DS} = 40V$ 时，$T_J = 25^{circ}C$ 时为 10μA，$T_J = 125^{circ}C$ 时为 100μA。

导通特性

• 栅极阈值电压（$V_{GS(TH)}$）：在 $V{GS} = V{DS}$，$I_D = 180mu A$ 时，典型值为 1.2 - 2.0V，阈值温度系数为 -5.6mV/°C。
• 漏源导通电阻（$R_{DS(on)}$）：$V_{GS} = 4.5V$，$ID = 50A$ 时，典型值为 1.4 - 1.7mΩ；$V{GS} = 10V$，$I_D = 50A$ 时，典型值为 0.9 - 1.2mΩ。

电荷、电容与栅极电阻

参数	符号	数值	单位
输入电容	$C_{ISS}$	6330	pF
输出电容	$C_{OSS}$	3000	pF
反向传输电容	$C_{RSS}$	118	pF
总栅极电荷（$V_{GS} = 4.5V$）	$Q_{G(TOT)}$	52	nC
总栅极电荷（$V_{GS} = 10V$）	$Q_{G(TOT)}$	109	nC

开关特性

在 $V{GS} = 10V$，$V{DS} = 32V$，$I_D = 50A$，$R_G = 2.5Omega$ 的条件下：

• 开启延迟时间（$t_{d(ON)}$）为 14ns
• 上升时间（$t_r$）为 8.1ns
• 关断延迟时间（$t_{d(OFF)}$）为 79ns
• 下降时间（$t_f$）为 22ns

漏源二极管特性

• 正向二极管电压（$V_{SD}$）：$T_J = 25^{circ}C$ 时，典型值为 0.80 - 1.2V；$T_J = 125^{circ}C$ 时，典型值为 0.65V。
• 反向恢复时间（$t_{RR}$）：70ns

典型特性曲线

文档中给出了多个典型特性曲线，如导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压的关系等。这些曲线可以帮助工程师更好地了解器件在不同工作条件下的性能，从而优化设计。你在设计中是否经常参考这些特性曲线呢？

订购信息

该器件的型号为 NTMYS1D2N04CLTWG，标记为 1D2N04CL，采用 LFPAK4（无铅）封装，每卷 3000 个。

机械尺寸与封装

LFPAK4 封装尺寸为 4.90x4.15x1.15mm，引脚间距为 1.27mm。文档中详细给出了各个尺寸的具体数值和公差范围，在 PCB 设计时，要严格按照这些尺寸进行布局，确保器件的正确安装和使用。

总之，安森美 NTMYS1D2N04CL 单通道 N 沟道功率 MOSFET 具有紧凑设计、低损耗等诸多优点，适用于多种电子设备的设计。在实际应用中，工程师需要根据具体需求，综合考虑器件的各项参数和特性，合理进行设计和选型。你在使用这款 MOSFET 时，有没有遇到过什么问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。