onsemi NVTYS007N04CL单通道N沟道功率MOSFET详解

在电子设计领域，功率MOSFET是不可或缺的关键元件，它广泛应用于各种电源管理、电机驱动等电路中。今天我们要深入探讨的是onsemi推出的NVTYS007N04CL单通道N沟道功率MOSFET，看看它有哪些独特的性能和特点。

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产品概述

onsemi（安森美半导体）的NVTYS007N04CL是一款40V、7.3mΩ、54A的单通道N沟道功率MOSFET。它采用LFPAK8 3.3x3.3封装，具有小尺寸、低导通电阻、低电容等优点，适用于对空间和效率要求较高的紧凑型设计。

关键参数

最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	VDSS	40	V
栅源电压	VGS	+20	V
连续漏极电流（Tc = 25°C）	ID	54	A
连续漏极电流（Tc = 100°C）	ID	38	A
功率耗散（Tc = 25°C）	PD	38	W
功率耗散（Tc = 100°C）	PD	19	W
连续漏极电流（TA = 25°C）	ID	16	A
连续漏极电流（TA = 100°C）	ID	11	A
功率耗散（TA = 25°C）	PD	3.1	W
功率耗散（TA = 100°C）	PD	1.5	W
脉冲漏极电流（TA = 25°C，tp = 10μs）	IDM	215	A
工作结温和存储温度范围	TJ, Tstg	-55 至 +175	°C
源极电流（体二极管）	IS	31.3	A
单脉冲漏源雪崩能量（L(pk) = 3A）	EAS	66	mJ
焊接用引脚温度（距外壳1/8"，10s）	TL	260	°C

电气特性

• 关断特性：漏源击穿电压V(BR)DSS为40V，漏源击穿电压温度系数V(BR)DSS/TJ为19mV/°C，零栅压漏极电流IDSS在TJ = 25°C时为10μA，TJ = 125°C时为250μA，栅源泄漏电流IGSS在VDS = 0V，VGS = 20V时为100nA。
• 导通特性：栅阈值电压典型值未给出，漏源导通电阻RDS(on)在VGS = 10V时为7.3mΩ，VGS = 4.5V时为12mΩ。
• 电荷和电容：输入电容Ciss为900pF，输出电容Coss为340pF，反向传输电容Crss为15pF，总栅电荷QG(TOT)在VGS = 4.5V，VDS = 32V，ID = 25A时为7.8nC，VGS = 10V，VDS = 32V，ID = 25A时为16nC。
• 开关特性：开启延迟时间td(on)为11ns，上升时间tr为13ns，关断延迟时间td(off)为16ns，下降时间tf为6ns。
• 漏源二极管特性：正向二极管电压VSD在TJ = 25°C时为0.9 - 1.2V，TJ = 125°C时为0.8V，反向恢复时间tRR为26ns，电荷时间ta为12ns，放电时间tb为14ns，反向恢复电荷QRR为10nC。

产品特点

• 小尺寸设计：3.3 x 3.3mm的小封装尺寸，非常适合紧凑型设计，能够有效节省电路板空间。
• 低导通电阻：低RDS(on)可以最大限度地减少传导损耗，提高电路效率，降低功耗。
• 低电容：低电容特性有助于减少驱动损耗，提高开关速度，使电路响应更加迅速。
• 汽车级认证：AEC - Q101合格且具备PPAP能力，适用于汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。
• 环保合规：这些器件无铅且符合RoHS标准，符合环保要求。

典型特性曲线

文档中给出了多个典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压关系、导通电阻与漏极电流和栅极电压关系、导通电阻随温度变化、漏源泄漏电流与电压关系、电容变化、栅源与总电荷关系、电阻性开关时间随栅极电阻变化、二极管正向电压与电流关系、最大额定正向偏置安全工作区、最大漏极电流与雪崩时间关系以及热响应等曲线。这些曲线可以帮助工程师更好地了解器件在不同工作条件下的性能表现，从而进行合理的电路设计。

订购信息

NVTYS007N04CL的具体订购型号为NVTYS007N04CLTWG，采用LFPAK33（无铅）封装，每盘3000个，采用带盘包装。关于带盘规格的详细信息，可参考Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D。

注意事项

• 应力超过最大额定值表中列出的数值可能会损坏器件，若超过这些限制，不能保证器件的功能，可能会导致损坏并影响可靠性。
• 产品的“典型”参数在不同应用中可能会有所变化，实际性能也可能随时间变化，所有工作参数（包括“典型值”）都必须由客户的技术专家针对每个客户应用进行验证。
• onsemi产品不设计、不打算也未授权用于生命支持系统、FDA 3类医疗设备或在国外司法管辖区具有相同或类似分类的医疗设备，以及任何用于人体植入的设备。如果买方将onsemi产品用于此类非预期或未授权的应用，买方应赔偿并使onsemi及其官员、员工、子公司、关联公司和经销商免受因与此类非预期或未授权使用相关的任何人身伤害或死亡索赔而产生的所有索赔、成本、损害和费用以及合理的律师费。

总之，onsemi的NVTYS007N04CL功率MOSFET凭借其出色的性能和特点，在紧凑型设计和高效电源管理等领域具有很大的应用潜力。电子工程师在设计相关电路时，可以根据具体需求合理选择和使用该器件。大家在实际应用中有没有遇到过类似MOSFET的使用问题呢？欢迎在评论区分享交流。