安森美NVMYS007N10MCL：高性能N沟道MOSFET的卓越之选

在电子工程师的设计工作中，MOSFET是不可或缺的关键元件。今天，我们就来深入了解安森美（onsemi）推出的NVMYS007N10MCL这款100V、7mΩ、83A的单N沟道功率MOSFET。

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产品特性

紧凑设计

NVMYS007N10MCL采用5x6mm的小尺寸封装，这种紧凑的设计对于追求小型化的电子产品来说非常友好，工程师们可以在有限的空间内实现更多的功能布局。

低损耗优势

• 低导通电阻：低 (R_{DS(on)}) 能够有效降低导通损耗，提高系统的效率。在实际应用中，这意味着更少的能量浪费和更低的发热，有助于提升整个系统的稳定性和可靠性。
• 低栅极电荷和电容：低 (Q_{G}) 和电容可以减少驱动损耗，降低对驱动电路的要求，使设计更加简洁高效。

符合行业标准

该产品采用LFPAK4封装，符合行业标准AEC−Q101要求，并且具备PPAP能力。同时，它是无铅、无卤素、无铍的，符合RoHS标准，满足环保要求。

最大额定值

参数	条件	符号	值	单位
漏源电压	(T_{J}=25^{circ} C)	(V_{DSS})	100	V
栅源电压	(T_{J}=25^{circ} C)	(V_{GS})	+20	V
连续漏极电流（(R_{θJC})）	(T_{C}=25^{circ} C)	(I_{D})	83	A
稳态功率耗散（(R_{θJC})）	(T_{C}=25^{circ} C)	(P_{D})	107	W
连续漏极电流（(R_{θJA})）	(T_{A}=25^{circ} C)	(I_{D})	16	A
稳态功率耗散（(R_{θJA})）	(T_{A}=25^{circ} C)	(P_{D})	3.8	W
脉冲漏极电流	(T{A}=25^{circ} C)，(t{p}=10mu s)	(I_{DM})	539	A
工作结温和存储温度范围	-	(T{J})，(T{stg})	-55 至 +175	(^{circ}C)
源极电流（体二极管）	-	(I_{S})	82	A
单脉冲漏源雪崩能量（(I_{L(pk)} = 4.8 A)）	-	(E_{AS})	671	mJ
引脚焊接回流温度（距外壳1/8英寸，10秒）	-	(T_{L})	260	(^{circ}C)

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

热阻额定值

参数	符号	值	单位
结到壳稳态热阻	(R_{θJC})	1.40	(^{circ}C/W)
结到环境稳态热阻（注2）	(R_{θJA})	40	(^{circ}C/W)

这里要提醒大家，热阻会受到整个应用环境的影响，并非固定值，仅在特定条件下有效。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压： (V{(BR)DSS}) 在 (V{GS}=0V)，(I_{D}=250mu A) 时为100V。
• 漏源击穿电压温度系数： (V{(BR)DSS}/Delta T{J}) 为59mV/°C。
• 零栅压漏极电流： (I{DSS}) 在 (V{GS}=0V)，(V{DS}=100V)，(T{J}=25^{circ}C) 时为1.0(mu A)，(T_{J}=125^{circ}C) 时为100(mu A)。
• 栅源泄漏电流： (I{GSS}) 在 (V{DS}=0V)，(V_{GS}=20V) 时为100nA。

导通特性

• 栅极阈值电压：有一定的温度系数，为5.3mV/°C。
• 漏源导通电阻：在 (V{GS}=10V)，(I{D}=25A) 时表现良好，在 (V{GS}=4.5V)，(I{D}=20A) 时为7.9mΩ。

电荷与电容特性

参数	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
输入电容	(C_{ISS})	(V{GS}=0V)，(f = 1MHz)，(V{DS}=50V)	-	2700	-	pF
输出电容	(C_{OSS})	-	-	950	-	pF
反向传输电容	(C_{RSS})	-	-	14	-	pF
总栅极电荷（(V_{GS}=4.5V)）	(Q_{G(TOT)})	(V{GS}=4.5V)，(V{DS}=50V)，(I_{D}=25A)	-	17	-	nC
总栅极电荷（(V_{GS}=10V)）	(Q_{G(TOT)})	(V{GS}=10V)，(V{DS}=50V)，(I_{D}=25A)	-	37	-	nC
阈值栅极电荷	(Q_{G(TH)})	-	-	4	-	nC
栅源电荷	(Q_{GS})	-	-	7	-	nC
栅漏电荷	(Q_{GD})	-	-	4	-	nC
平台电压	(V_{GP})	-	-	3	-	V

开关特性

参数	符号	测试条件	典型值	单位
开启延迟时间	(t_{d(ON)})	-	12.2	ns
上升时间	(t_{r})	(V{GS}=10V)，(V{DS}=50V)，(I{D}=25A)，(R{G}=6.0Omega)	6.5	ns
关断延迟时间	(t_{d(OFF)})	-	45.7	ns
下降时间	(t_{f})	-	11.5	ns

漏源二极管特性

• 正向二极管电压： (V{SD}) 在 (V{GS}=0V)，(I{S}=25A)，(T{J}=25^{circ}C) 时为0.84 - 1.3V，(T_{J}=125^{circ}C) 时为0.72V。
• 反向恢复时间： (t_{RR}) 为48ns。
• 反向恢复电荷： (Q_{RR}) 为37nC。
• 充电时间： (t_{a}) 为22ns。
• 放电时间： (t_{b}) 为26ns。

典型特性

文档中还给出了多个典型特性图，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压关系、导通电阻与漏极电流和栅极电压关系、导通电阻随温度变化、漏源泄漏电流与电压关系、电容变化、栅源电压与总电荷关系、电阻性开关时间随栅极电阻变化、二极管正向电压与电流关系、最大额定正向偏置安全工作区、最大漏极电流与雪崩时间关系以及瞬态热阻抗等。这些特性图可以帮助工程师更好地了解器件在不同条件下的性能表现，从而优化设计。

订购信息

该产品型号为NVMYS007N10MCLTWG，标记为007N10MCL，采用LFPAK4封装（无铅），以3000个/卷带盘的形式发货。如需了解卷带盘规格，可参考相关手册。

封装尺寸

文档提供了详细的封装尺寸信息，同时对尺寸标注和公差等进行了说明。在进行PCB设计时，工程师需要严格按照这些尺寸要求进行布局，以确保器件的正确安装和使用。

总的来说，安森美NVMYS007N10MCL是一款性能出色的N沟道MOSFET，具有低损耗、紧凑设计等优点，适用于多种电子应用场景。在实际设计中，工程师们可以根据具体需求，结合器件的各项特性进行合理选择和优化。大家在使用这款器件时，有没有遇到过什么问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享。