安森美NVMFS5C628N：高性能N沟道MOSFET的卓越之选

在电子设计领域，MOSFET作为关键的功率开关元件，其性能直接影响到整个系统的效率和稳定性。今天我们来深入了解安森美（onsemi）推出的NVMFS5C628N N沟道MOSFET，看看它有哪些独特的特性和优势。

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产品概述

NVMFS5C628N是一款耐压60V、导通电阻低至3.0 mΩ、最大连续电流可达150A的N沟道MOSFET。它采用了5x6 mm的小尺寸封装，非常适合紧凑型设计，能够在有限的空间内实现高效的功率转换。

产品特性

低导通电阻与低驱动损耗

该MOSFET具有极低的导通电阻 (R{DS(on)})，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。同时，低 (Q{G}) 和电容特性可以减少驱动损耗，降低对驱动电路的要求，提高开关速度。

可焊侧翼选项

NVMFS5C628NWF提供了可焊侧翼选项，这一设计有助于增强光学检测的效果，提高生产过程中的质量控制和可靠性。

汽车级认证

该产品通过了AEC - Q101认证，并且具备PPAP能力，适用于汽车电子等对可靠性要求极高的应用场景。此外，它还符合无铅和RoHS标准，满足环保要求。

主要参数

最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	60	V
栅源电压	(V_{GS})	±20	V
连续漏极电流（(T_{C}=25^{circ}C)）	(I_{D})	150	A
连续漏极电流（(T_{C}=100^{circ}C)）	(I_{D})	110	A
功率耗散（(T_{C}=25^{circ}C)）	(P_{D})	110	W
功率耗散（(T_{C}=100^{circ}C)）	(P_{D})	56	W
脉冲漏极电流（(T{A}=25^{circ}C)，(t{p}=10 mu s)）	(I_{DM})	900	A
工作结温和存储温度范围	(T{J})，(T{stg})	- 55 to +175	°C
源极电流（体二极管）	(I_{S})	120	A
单脉冲漏源雪崩能量（(I_{L(pk)} = 9 A)）	(E_{AS})	565	mJ
焊接引线温度（距外壳1/8英寸，10 s）	(T_{L})	260	°C

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压：(V{(BR)DSS}) 在 (V{GS}=0V)，(I = 250 mu A) 时，典型值为60V。
• 漏源击穿电压温度系数：22 mV/°C。
• 零栅压漏极电流：(I{DSS}) 在 (V{GS}=0V)，(V_{DS}=60V)，(T = 25^{circ}C) 时，最大值为10 (mu A)；(T = 125^{circ}C) 时，最大值为250 (mu A)。
• 栅源泄漏电流：(I{GSS}) 在 (V{DS}=0V)，(V_{GS}=20V) 时，最大值为100 nA。

导通特性

• 栅极阈值电压：(V{GS(TH)}) 在 (V{GS}=V{DS})，(I{D}=135 A) 时，最小值为2.0V，最大值为4.0V。
• 阈值温度系数： - 7.7 mV/°C。
• 漏源导通电阻：(R{DS(on)}) 在 (V{GS}=10V)，(I_{D}=27 A) 时，典型值为2.3 mΩ，最大值为3.0 mΩ。
• 正向跨导：(g{FS}) 在 (V{DS}=15V)，(I_{D}=27 A) 时，典型值为110 S。
• 栅极电阻：(R{G}) 在 (T{A}=25^{circ}C) 时，典型值为1.0 Ω。

电荷和电容特性

• 输入电容：(C{iss}) 在 (V{GS}=0V)，(f = 1 MHz)，(V_{DS}=30V) 时，典型值为2630 pF。
• 输出电容：(C_{oss}) 典型值为1680 pF。
• 反向传输电容：(C_{RSS}) 典型值为13 pF。
• 总栅极电荷：(Q{G(TOT)}) 在 (V{GS}=10V)，(V{DS}=48 V)，(I{D}=27 A) 时，典型值为34 nC。
• 阈值栅极电荷：(Q_{G(TH)}) 典型值为8 nC。
• 栅源电荷：(Q_{GS}) 典型值为12.8 nC。
• 栅漏电荷：(Q_{GD}) 典型值为3.8 nC。
• 平台电压：(V_{GP}) 典型值为4.8 V。

开关特性

• 导通延迟时间：(t{d(ON)}) 在 (V{GS}=10V)，(V{DS}=48 V)，(I{D}=27 A)，(R_{G}=2.5 Ω) 时，典型值为16 ns。
• 上升时间：典型值为5.8 ns。
• 关断延迟时间：(t_{d(OFF)}) 典型值为25 ns。
• 下降时间：(t_{f}) 典型值为6.2 ns。

漏源二极管特性

• 正向二极管电压：(V{SD}) 在 (T = 25^{circ}C)，(V{GS}=0V)，(I_{S}=27 A) 时，典型值为0.8V，最大值为1.2V；(T = 125^{circ}C) 时，典型值为0.67V。
• 反向恢复时间：(t{RR}) 在 (V{GS}=0V)，(dI{S}/dt = 100 A/mu s)，(I{S}=14 A) 时，典型值为64 ns。
• 充电时间：(t_{a}) 典型值为32 ns。
• 放电时间：(t_{b}) 典型值为32 ns。
• 反向恢复电荷：(Q_{RR}) 典型值为75 nC。

典型特性曲线

文档中还给出了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压关系、导通电阻与漏极电流和栅极电压关系、导通电阻随温度变化、漏源泄漏电流与电压关系、电容变化、栅源与总电荷关系、电阻性开关时间随栅极电阻变化、二极管正向电压与电流关系、最大额定正向偏置安全工作区、最大漏极电流与雪崩时间关系以及热特性等。这些曲线可以帮助工程师更好地了解该MOSFET在不同工作条件下的性能表现。

封装与订购信息

NVMFS5C628N提供了两种封装形式：DFN5（SO - 8FL）和DFNW5（FULL - CUT SO8FL WF）。其中，DFNW5具有可焊侧翼设计。产品的订购信息如下：	器件型号	标记	封装	包装
NVMFS5C628NT1G	5C628N	DFN5（无铅）	1500 / 卷带包装
NVMFS5C628NWFT1G	628NWF	DFNW5（无铅，可焊侧翼）	1500 / 卷带包装

应用建议

在实际应用中，工程师需要根据具体的电路需求和工作条件，合理选择该MOSFET的工作参数。例如，在设计开关电源时，要考虑其导通电阻、开关速度和散热等因素，以确保系统的高效稳定运行。同时，由于该产品通过了汽车级认证，也非常适合用于汽车电子领域，如电动车辆的电机驱动、电池管理系统等。

安森美NVMFS5C628N N沟道MOSFET以其卓越的性能和丰富的特性，为电子工程师提供了一个可靠的功率开关解决方案。在实际设计中，大家可以根据具体需求充分发挥其优势，实现更高效、更稳定的电路设计。你在使用MOSFET的过程中遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。