汉思新材料获得芯片底部填充胶及其制备方法的专利

汉思新材料获得芯片底部填充胶及其制备方法的专利

汉思新材料已获得芯片底部填充胶及其制备方法的专利，专利名为“封装芯片用底部填充胶及其制备方法”，授权公告号为CN116063968B，申请日期为2023年2月，授权公告日为2025年（具体月份因来源不同存在差异，但不影响专利有效性的认定）。

一、专利技术背景

芯片底部填充胶是电子封装领域的关键材料，主要用于保护芯片与电路板之间的连接，防止因热膨胀系数失配、机械振动或环境因素导致的焊点失效。传统封装胶在涂覆后易出现翘曲、粘接不牢、导热性不足等问题，难以满足高功率、高可靠性芯片的封装需求。汉思新材料通过材料组分创新与工艺优化，成功解决了这些行业痛点。

汉思新材料获得芯片底部填充胶及其制备方法的专利

二、专利核心内容

材料组分创新：

汉思新材料的芯片底部填充胶采用高比例无机填料与树脂基体的优化设计。无机填料如球形氧化铝、二氧化硅等，具有高导热性和低热膨胀系数，显著提升封装胶的散热性能和热稳定性。

树脂基体则选用环氧树脂、氰酸酯树脂等，通过多树脂复配提升耐热性与界面附着力。同时，加入有机硅杂化环氧树脂或环氧基低聚倍半硅氧烷，增强抗冲击性并降低内应力。

工艺优化：

汉思新材料采用分步混合+均质化研磨工艺，解决高填料比例下的分散难题。首先将有机树脂与部分无机填料初步混合，研磨至细度<15μm，形成高分散性基料。

然后依次加入固化剂、增韧剂、球形填料及偶联剂，低速搅拌避免气泡生成。最后通过三辊研磨脱泡，确保粘度稳定在80 Pa·s以下，适配点胶工艺。

这种工艺避免了填料沉降，提升了批次一致性，且单组份设计支持自动化产线快速点胶。

三、专利技术优势

低热膨胀系数：通过高填充无机填料和混合形态设计，汉思新材料的芯片底部填充胶的热膨胀系数显著降低，匹配硅芯片与陶瓷基板，有效抑制热应力翘曲。

高效导热：导热系数达行业领先水平，满足高功率器件的散热需求。

高可靠性：通过双85测试，通过2000+小时盐雾测试、跌落试验及热循环测试，失效率<0.02ppm，满足汽车电子、军工等高要求场景。

环保兼容性：符合RoHS 2.0及Reach标准，VOC趋零排放，环保性能超行业均值50%。

四、专利产业化应用

应用领域：汉思新材料的芯片底部填充胶已广泛应用于人工智能、5G通信、汽车电子（如车控芯片）、消费电子（手机电池保护板、蓝牙耳机）、MINI-LED显示屏等领域。

客户案例：已成功应用于小米、华为、三星等企业的产品中，替代进口胶水，降低生产成本。

国产替代价值：突破了美日企业（如Henkel、Namics）在高阶封装胶的技术垄断，推动了国产封装胶在高端领域的替代进程。