‌DRV8256E/P H桥电机驱动器技术文档总结

DRV8256E/P 器件是单 H 桥电机驱动器，适用于各种工业应用。这些器件集成了N沟道H桥、电荷泵稳压器、电流检测和调节以及保护电路。

集成电流检测允许驱动器在启动和高负载事件期间调节电机浪涌电流。电流限制可以通过可调节的外部基准电压源进行设置。集成电流检测采用内部电流镜架构，无需大型功率分流电阻，节省电路板面积并降低系统成本。提供低功耗睡眠模式，通过关闭大部分内部电路来实现超低静态电流消耗。
*附件：drv8256.pdf

为电源欠压锁定 （UVLO）、电荷泵欠压 （CPUV）、输出过流 （OCP） 和器件过热 （TSD） 提供内部保护功能。故障情况在 nFAULT 上指示。

特性

• N 沟道 H 桥电机驱动器
  • 驱动一个双向有刷直流电机
  • 两个单向有刷直流电机
• 集成电流检测和调节
• 4.5 V 至 48 V 工作电源电压范围
• 多种控制接口选项
  • 相位/使能 （PH/EN）
  • PWM（输入/输入）
• 智能调谐、快速和混合衰减选项
• 低R DS（开） ：165 mΩ HS + LS，24 V，25°C
• 高输出电流能力：6.4A 峰值
• 限制有刷直流电机的浪涌电流
• 可配置的关断时间PWM斩波
  • 7、16、24 或 32 μs
• 支持 1.8 V、3.3 V、5.0 V 逻辑输入
• 低电流睡眠模式 （2 μA）
• 扩频时钟，实现低 EMI
• 保护功能
  • VM 欠压锁定 （UVLO）
  • 电荷泵欠压 （CPUV）
  • 过流保护 （OCP）
  • 热关断 （OTSD）
  • 故障条件输出 （nFAULT）

参数

方框图

‌1. 核心特性‌

• ‌驱动架构‌：集成N沟道H桥，支持双向有刷直流电机、双单向电机、继电器及电磁阀负载。
• ‌电压范围‌：
  • 工作电压：4.5V至48V（VM引脚），兼容1.8V/3.3V/5V逻辑输入。
  • 峰值输出电流：6.4A（VREF=5V时）。
• ‌控制接口‌：
  • ‌PH/EN模式‌：方向（PH）与使能（EN）独立控制。
  • ‌PWM模式‌（IN1/IN2）：双引脚PWM控制。
• ‌智能电流调节‌：
  • 集成电流镜像传感，无需外部分流电阻。
  • 支持智能调谐（Smart Tune）技术，提供动态/混合/快速衰减模式。
  • 可调PWM消隐时间（7/16/24/32μs）。

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‌2. 保护机制‌

• ‌ 欠压锁定（UVLO） ‌：VM或电荷泵电压不足时禁用输出。
• ‌ 过流保护（OCP） ‌：峰值电流超8A触发，2μs消隐后自动重试。
• ‌ 热关断（TSD） ‌：结温超165°C停机，滞后20°C恢复。
• ‌故障指示‌：开漏输出nFAULT引脚。

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‌3. 封装与型号‌

• ‌封装选项‌：
  • ‌ HTSSOP-28（PWP） ‌：9.7mm×4.4mm，带散热焊盘。
  • ‌ VQFN-24（RGE） ‌：4mm×4mm，超薄设计。
• ‌型号对比‌：| 型号 | RDS(on) (mΩ) | 控制接口 | 休眠电流 |
  | ---------- | --------------- | ------------ | ---------- |
  | DRV8256E | 165（24V时） | PH/EN或PWM | 2μA |
  | DRV8256P | 165 | 仅PWM | 2μA |

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‌4. 典型应用‌

• ‌电机驱动‌：打印机、ATM机、家用电器、机器人关节。
• ‌电流调节‌：通过VREF引脚电阻分压设置电流阈值（ITRIP = VREF/0.66 V/A）。
• ‌布局建议‌：
  • VM引脚需并联0.01μF陶瓷电容+大容量电解电容。
  • 散热设计：PWP封装需通过散热焊盘连接PCB地平面，推荐多via散热。

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‌5. 关键参数‌

• ‌导通电阻‌：165mΩ（高/低侧MOSFET，24V/25°C）。
• ‌开关时间‌：上升/下降时间100ns（典型值）。
• ‌热阻‌：
  • PWP封装：RθJA=29.7°C/W。
  • RGE封装：RθJA=39°C/W。