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‌DRV8426E/P 双H桥电机驱动器技术文档总结

科技绿洲 2025-10-15 10:35 次阅读
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DRV8426E/P 器件是双 H 桥电机驱动器,适用于各种工业应用。这些器件可用于驱动两个直流电机或一个双极步进电机

驱动器的输出级由配置为两个全H桥的N沟道功率MOSFET电荷泵稳压器、电流检测和调节以及保护电路组成。集成电流检测采用内部电流镜架构,无需大型功率分流电阻,节省电路板面积并降低系统成本。提供低功耗睡眠模式,通过关闭大部分内部电路来实现超低静态电流消耗。为电源欠压锁定 (UVLO)、电荷泵欠压 (CPUV)、输出过流 (OCP) 和器件过热 (OTSD) 提供内部保护功能。
*附件:drv8426e.pdf

DRV8426E/P 能够驱动满量程高达 1.5A 的步进电机或峰值高达 2.5A 的有刷电机(取决于 PCB 设计)。

特性

  • 双 H 桥电机驱动器

    • 一个双极步进电机
    • 双双向有刷直流电机
    • 四个单向有刷直流电机
  • 集成电流检测功能

    • 无需检测电阻
    • ±5% 满量程电流精度
  • 4.5V 至 33V 工作电源电压范围

  • 多种控制接口选项

    • 相位/使能 (PH/EN)
    • PWM(输入/输入)
  • 智能调谐、快速和混合衰减选项

  • 低R DS(开) :900 mΩ HS + LS,24 V,25°C

  • 每桥高电流容量

    • 2.5A 峰值(有刷)、1.5A 满量程(步进)

    引脚对引脚兼容 -

  • 可配置的关断时间PWM斩波

    • 7、16、24 或 32 μs
  • 支持 1.8V、3.3V、5.0V 逻辑输入

  • 低电流睡眠模式 (2 μA)

  • 扩频时钟,实现低 EMI

  • 有刷直流应用中的浪涌电流限制

  • 小封装和占地面积

  • 保护功能

    • VM 欠压锁定 (UVLO)
    • 电荷泵欠压 (CPUV)
    • 过流保护 (OCP)
    • 热关断 (OTSD)
    • 故障条件输出 (nFAULT)

参数

image.png

方框图

image.png

1. 核心特性

  • 双H桥架构‌:支持驱动1个双极步进电机、2个双向有刷直流电机或4个单向有刷直流电机。
  • 集成电流检测‌:无需外部检测电阻,电流精度±5%,节省PCB空间和成本。
  • 宽电压范围‌:4.5V至33V工作电压,支持2.5A峰值电流(有刷电机)或1.5A全量程电流(步进电机)。
  • 智能调节技术‌:
    • Smart tune动态衰减‌:自动优化衰减模式(慢/混合/快衰减),降低电机噪声。
    • Smart tune纹波控制‌:通过可变关断时间实现精准电流调节。
  • 低导通电阻‌:900mΩ(高边+低边,24V/25°C)。
  • 多种控制接口‌:支持PH/EN(DRV8426E)或PWM(DRV8426P)控制模式。
  • 保护功能‌:欠压锁定(UVLO)、电荷泵欠压(CPUV)、过流保护(OCP)、热关断(OTSD)及故障输出(nFAULT)。

2. 关键功能

  • 电流调节‌:
    • PWM斩波控制,关断时间可调(7/16/24/32μs)。
    • 通过VREF引脚设置参考电流,公式:IFS(A) = VREF(V)/2.2(V/A)。
  • 衰减模式‌:
    • 支持智能动态衰减、纹波控制、固定慢衰减和混合衰减。
  • 封装选项‌:
    • HTSSOP-28(PWP):9.7mm×4.4mm,带PowerPAD散热。
    • VQFN-24(RGE):4mm×4mm,超小尺寸。

3. 应用场景


4. 设计要点

  • 电源设计‌:
    • VM引脚需并联0.01μF陶瓷电容电解电容
    • 电荷泵电容(CPH-CPL)选用0.022μF陶瓷电容。
  • 热管理‌:
    • HTSSOP封装RθJA=33°C/W,VQFN封装RθJA=43°C/W。
    • 示例:24V供电下,1.12W总功耗时结温约62°C(HTSSOP,TA=25°C)。

5. 版本更新

  • 2022年5月(Rev B) ‌:
    • 新增典型特性曲线章节。
    • 更新HTSSOP和VQFN布局示例。
  • 2020年11月(Rev A) ‌:
    • 将设备状态更改为“生产数据”。

6. 典型应用电路

  • 有刷电机驱动‌:通过PH/EN或PWM接口控制H桥极性及占空比。
  • 步进电机驱动‌:配置微步进级别(全步至1/256步)及衰减模式。
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