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电子发烧友网>存储技术>DRAM价格同比暴涨47% 三星仍是技术力最强的公司

DRAM价格同比暴涨47% 三星仍是技术力最强的公司

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2019-12-18 16:36:543205

三星EUV技术成功应用于DRAM生产

据ZDnet报道,三星宣布,已成功将EUV技术应用于DRAM的生产中。
2020-03-25 16:24:393360

三星成首家在DRAM生产采用EUV技术的存储器供应商

韩国三星电子于25已经成功出货100万个极紫外光刻技术(EUV)生产的业界首款10纳米级DDR4 DRAM模组,将为高端PC和移动设备及企业服务器和资料中心应用等提供更先进EUV制程技术产品。 三星
2020-04-03 15:47:511320

三星稳坐DRAM市场头名:利润率41%

据韩联社援引 TrendForce 的数据,三星目前仍是 NAND 闪存领域的领导者,按收入计算,其在全球 DRAM 市场中的份额在 7-9 月期间占 41.3%,相比上一季度下降了 2.2 个
2020-11-22 10:22:012037

三星电子和SK海力士四季度全球DRAM销售额同比增长1.1%

数据显示,四季度全球DRAM销售额同比增长1.1%,达176.5亿美元。其中,三星电子市占率为42.1%,销售额环比增长3.1%至74.4亿美元。SK海力士市场份额为29.5%,销售额环比增长5.6%至52亿美元。
2021-03-12 09:45:342045

全球DRAM大厂涉嫌联合操纵DRAM内存价格被起诉

,美国律师事务所Hagens Berman 已在加州北部联邦地方法院提起诉讼,指控DRAM厂商联合哄抬DRAM价格,损害美国消费者权益,被告名单包括美光旗下2家公司三星电子母公司三星半导体、SK
2021-05-19 18:00:372541

三星首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功

(nm)级工艺技术打造的16Gb DDR5 DRAM,并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。‍ “  三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人Jooyoung Lee表示: 三星12nm级
2022-12-21 11:08:291205

三星DRAM间接减产9%,占全球DRAM产量4%

三星获利在市场共识下,应 2023 年第一季财报发表(4 月)就结束跌势。因看到 DRAM 供需动态改善,整体 DRAM 走跌周期因库存下降与价格下跌放缓等,第二季获利走跌逐渐趋缓。
2023-02-21 10:15:04644

三星电子DRAM市场份额创新低 仍是全球第一

今年上半年,三星电子的旗舰产品,如半导体、智能手机和电视等,在市场份额方面普遍遭遇下滑。特别是在半导体领域的核心业务DRAM方面,尽管三星电子仍然占据全球第一的位置,但市场份额已经达到了自9年来的最低点。
2023-08-18 17:14:572594

三星再次减产,刺激DDR4价格上涨

三星公司计划在下半年再次削减DRAM制程的产能,而今年以来这一减产主要针对DDR4。业界普遍预期,三星的目标是在今年年底之前将库存水平降至合理水平。这一减产举措可能会导致DDR4市场价格上涨,而目前
2023-09-15 17:42:081808

三星AI芯片,与Rebellions等公司达成代工合作

三星电子社长Park Yong-in表示:“生成人工智能已成为今年最大的趋势。为了实现数据处理和可用的ai,需要最强有力的基础技术。”三星自身正在启动生成型人工智能新时代。
2023-10-08 11:31:541559

三星将于明年量产LPDDR5T DRAM芯片

三星将从明年开始批量生产LPDDR5T DRAM芯片。三星电子副总裁Ha-Ryong Yoon最近在投资者论坛上介绍了公司状况和今后计划等。当投资者询问三星今后将开发的技术时,管理人员公开了有关LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:161330

三星与美光拟提DRAM价格,以求盈利回暖

部分存储模组厂已接到三星通知,要求明年年初至少将DRAM价格上调15%以上,且该通知并未涉及NAND闪存定价,故预计后者将会持续上涨。DRAM价格在去年年底上涨2%-3%,不及3D TLC NAND约10%;
2024-01-03 10:46:211562

三星与美光第一季DRAM价格涨幅15%~20%

近期,全球DRAM市场风云再起。两大巨头三星和SK海力士纷纷宣布增加设备投资和产能,这一举动无疑将对整个市场带来深远的影响。而现在,最新消息表明,DRAM价格有望在2024年第一季度迎来新一轮的上涨,涨幅预计达到15%至20%。
2024-01-03 14:35:201372

DRAM价格飙升,三星和美光计划Q1涨幅高达20%

根据最新的存储器模组行业消息,随着自2023年下半年以来NAND Flash价格一路攀升,三星电子和美光等主要存储器制造商计划在Q1上调DRAM价格,涨幅预计将达到15%-20%。 业内分析师指出
2024-01-03 18:14:161738

三星/SK海力士已开始订购DRAM机群工艺和HBM相关设备

数据显示,首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子已开始扩大其HBM生产能力,并启动大规模HBM设备采购;此外,三星和SK海力士计划加强DRAM技术转移,进一步加大对DRAM的投资力度。
2024-01-08 10:25:221580

三星已成功开发16层3D DRAM芯片

在近日举行的IEEE IMW 2024活动上,三星DRAM部门的执行副总裁Siwoo Lee宣布了一个重要里程碑:三星已与其他公司合作,成功研发出16层3D DRAM技术。同时,他透露,竞争对手美光也已将其3D DRAM技术扩展至8层。
2024-05-29 14:44:071398

三星或重新设计1a DRAM以提升HBM质量

 三星电子正面临严峻挑战,特别是在其半导体业务领域。除了代工业务停滞的问题,该公司在高带宽存储器(HBM)市场的竞争也引发了广泛关注。据业内人士透露,为了提升在HBM领域的竞争三星可能会着手重新设计部分1a DRAM电路。
2024-10-22 14:37:411371

三星否认重新设计1b DRAM

据DigiTimes报道,三星电子对重新设计其第五代10nm级DRAM(1b DRAM)的报道予以否认。 此前,ETNews曾有报道称,三星电子内部为解决12nm级DRAM内存产品面临的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361

三星电子否认1b DRAM重新设计报道

据报道,三星电子已正式否认了有关其将重新设计第五代10nm级DRAM(即1b DRAM)的传闻。这一否认引发了业界对三星电子内存产品策略的新一轮关注。 此前有报道指出,三星电子为应对其12nm级
2025-01-23 15:05:11923

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