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电子发烧友网>存储技术>三星计划在2019年调低存储类芯片产能,以挽救不断下降的内存、SSD价格

三星计划在2019年调低存储类芯片产能,以挽救不断下降的内存、SSD价格

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由于存储芯片价格和需求持续疲软 三星第2季利润较2018同期减少56%

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2020-01-08 11:26:104480

2020全球半导体资本支出下降家大型存储公司预计大幅下降15%

IC Insights指出,预计今年的资本支出下降主要是由于内存供应商——三星、海力士和美光,他们削减了开支。这家大型存储公司2019的总支出为397亿美元,预计今年将为336亿美元,大幅下降15%。
2020-04-18 14:51:513636

三星正进行产能扩充,将2021开始量产QD-OLED面板

据相关报道称,三星Display将于2021开始量产QD-OLED面板,并计划在2季度进行正式生产,目前,三星正在为QD-OLED面板的产能扩充,这为后续降低成本做好铺垫。
2020-07-29 11:50:311132

三星电子奋力赶超台积电,计划在2022 量产 3 纳米芯片

11 月 19 日消息,据国外媒体报道,三星电子正在奋力赶超台积电,计划在 2022 量产 3 纳米芯片三星电子高管 Park Jae-hong 最近在一次活动中表示,公司已定下目标,在
2020-11-19 11:39:071911

内存价格继续下降,刺激了三星、SK海力士等厂商的出货量

内存价格还在继续下降,对于三星、SK海力士等厂商来说,这也刺激了相应的出货量。 TrendForce集邦咨询公布了2020季度全球DRAM内存营收情况,第季度DRAM总产值174.6亿美元
2020-11-23 14:30:431837

芯闻精选:三星电子奋力赶超台积电 计划2022量产3纳米芯片

11月19日消息,据国外媒体报道,三星电子正在奋力赶超台积电,计划在2022量产3纳米芯片三星电子高管Park Jae-hong最近在一次活动中表示,公司已定下目标,在2022量产3纳米芯片
2020-11-30 11:26:532651

内存价格下滑,消息称三星计划将一条内存生产线转产CIS传感器芯片

2019到2020的两年间,内存价格都在下滑,以致于内存厂商日子不好过,纷纷调整产能,消息称三星计划将一条内存生产线转产CIS传感器芯片三星、美光、SK海力士等内存原厂从去年底就开始削减
2020-12-10 16:48:222496

三星拟转产CIS芯片生产线,欲挑战索尼

2019到2020的两年间,内存价格都在下滑,以致于内存厂商日子不好过,纷纷调整产能,消息称三星计划将一条内存生产线转产CIS传感器芯片
2020-12-10 17:17:562170

内存涨价 三星进一步削减产能:每月减少1万片晶圆产能

多种因素所致,内存行业开始加大备货力度了,然而三星这时候的动作并不一致,他们依然计划削减2021内存投资,减少产能。 韩国媒体报道,三星原本计划2021新增内存产能4万片晶圆/月,现在决定将产能投资减少到3万片晶圆/月,削减了1万片晶圆
2020-12-29 09:10:002170

三星计划2020稳定内存芯片产能并扩大其代工业务

据日经亚洲评论1月9日报道,三星电子今年有望首次向其半导体业务投资超过300亿美元,稳定其内存芯片产能并扩大其代工业务。
2021-01-11 13:47:202271

硬创早报:三星将提高非存储芯片领域投资 计划到2030投入1514亿美元

谋求在芯片代工领域有更大作为的三星电子,在2019年年底就已计划在这一领域大力投资,当时外媒在报道中表示,三星电子计划在未来10投资1160亿美元,大力发展芯片制造业务,进而为科技巨头们代工芯片。而从外媒最新的报道来看,三星电子将提高在芯片代工等非存储芯片领域的投资。
2021-05-18 15:26:381742

三星的新挑战 消费级SSD的普及

在上一次“从HDD(硬盘驱动器,Hard Disk Drive)到SSD(固态硬盘,Solid State Drive),存储介质的进阶之路”中,我们探讨了三星NAND 闪存(NAND Flash
2021-08-16 17:07:474233

三星计划在2023初推出32Gb DDR5内存芯片

“32Gb DDR5 IC目前正在一个新的under-14nm工艺节点上开发,并计划在明年初推出,”三星 DRAM 规划部门的员工工程师 Aaron Choi 在 AMD 和三星网络研讨会上表示(见三星在下图中的演示)。“基于 32Gb 的 UDIMM 将于明年年底或 2024 年初上市。”
2022-08-22 10:21:192938

三星将小幅扩大OLED和DDI产能

  据消息人士透露,三星电子系统LSI事业部计划在2023略微扩大28nm-45nm 12英寸OLED和DDI的生产能力,并将通过与中国台湾UMC的合作,进一步确保智能手机OLED DDI的产能
2022-09-21 15:42:001416

三星计划在2027将成熟制程产能提高2.5倍

为了在与台积电的竞争中夺回优势,三星晶圆代工部门还在强化定制化程度较高的特殊制程,计划在2024将特殊制程节点的数量增加至10个及以上。
2022-12-20 11:22:49626

三星电子计划明年增加最大工厂P3工厂的芯片产量

存储芯片增加12英寸晶圆产能。        尽管市场大环境不好,需求在下降但是三星不考虑削减芯片产量。三星希望能够加大力度继续投资芯片业务,可能有助其在需求回暖时争取更大的存储芯片市场份额。根据此前三星的透露,今后5将在半导体和生物
2022-12-27 17:07:441865

三星内存芯片最高涨20%

9月12日,据《韩国经济日报》报导,三星电子近期与客户(谷歌等手机制造商)签署了内存芯片供应协议,DRAM和NAND闪存芯片价格较现有合同价格上调10%-20%。三星电子预计,从第四季度起存储芯片市场或将供不应求。
2023-09-14 10:56:18908

三星计划:3内实现2纳米量产

制程的先进芯片,并计划在未来5内超过台积电。论坛上,三星电子展示了一系列汽车行业定制解决方案,涵盖了从先进的2纳米工艺到传统的8英寸工艺。
2023-11-01 15:07:53988

三星2024将推出先进3D芯片封装技术SAINT

三星计划在2024先进3D芯片封装技术SAINT(Samsung Advanced Interconnection Technology,三星高级互连技术),能以更小尺寸的封装,将AI芯片等高性能芯片内存和处理器集成。
2023-11-15 11:09:302499

三星电子力推AI存储芯片和算力芯片竞争力提升

在 AI 存储芯片方面,庆桂显示三星组建了DRAM产品与技术掌门人Hwang Sang-joon为首的HBM内存产能与质素提升团队,这是今年成立的第二支HBM专业队伍。全力挽救因误判市场导致业绩下滑的局面。
2024-04-01 10:34:331300

三星电子存储芯片价格大幅上调,中国市场面临挑战与机遇

近日,三星电子宣布了一项重大市场决策,计划在季度对其DRAM和NAND闪存存储芯片进行15%-20%的价格调整。这一举措背后,是人工智能领域对高性能存储芯片需求的急剧攀升,预示着存储芯片市场正迎来新一轮的价格上涨周期。
2024-07-18 09:50:251233

三星电子计划在2026推出最后一代10nm级工艺1d nm

三星电子在最新的内存产品路线图中透露了未来几年的技术布局。据透露,三星计划在2024率先推出基于1c nm制程的DDR内存,该制程将支持高达32Gb的颗粒容量,标志着内存性能与密度的双重飞跃。
2024-09-09 17:45:491153

三星扩建半导体封装工厂,专注HBM内存生产

方式获得三星显示的一座大楼,并计划在三年内完成该建筑的半导体后端加工设备导入。 此次扩建工厂的背景是,三星正在为微软和Meta等科技巨头供应量身定制的HBM4内存。微软和Meta分别推出了Mia100和Artemis人工智能芯片,对高性能内存有着迫切需求,而三星的定制化HBM4内
2024-11-13 11:36:161756

三星电子计划新建封装工厂,扩产HBM内存

三星电子计划在韩国天安市新建一座半导体封装工厂,扩大HBM内存等产品的后端产能。该工厂将依托现有封装设施,进一步提升三星电子在半导体领域的生产能力。
2024-11-14 16:44:351203

三星或受内存芯片价格下跌影响

近日,信荣证券分析师Park Sang-wook对三星电子的未来前景表达了担忧。他预测,由于客户库存过剩,三星电子在2025上半年可能会面临内存芯片价格下跌的挑战。 Park指出,尽管下半年芯片价格
2024-11-27 11:22:071225

三星电子1c nm内存开发良率里程碑推迟

据韩媒报道,三星电子已将其1c nm DRAM内存开发的良率里程碑时间推迟了半年。原本,三星计划在2024底将1c nm制程DRAM的良率提升至70%,达到结束开发工作、顺利进入量产阶段的要求。然而,实际情况并未如愿。
2025-01-22 15:54:191002

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