三星计划在2023年初推出32Gb DDR5内存芯片

三星计划在 2023 年初推出 32Gb DDR5 内存芯片，并在 2024 年推出 1TB 内存模块。

为了支持 AMD 和 Intel 推出下一代服务器平台，三星计划推出一系列全新的 DDR5 服务器内存模块，配备业界首款 512GB RDIMM/LRDIMM，并基于 16Gb 和 24Gb DDR5 设备。三星 DDR5 创新的下一步——32Gb IC——将在 2023 年初推出，使该公司能够在 2023 年底或 2024 年初制造 1TB 内存模块。同时，三星打算在两年内发布 7200 MT/s 数据传输率。

2024 年推出 1TB DDR5 RDIMM，Horizon 推出 2TB 模块

JEDEC 的 DDR5 规范为服务器平台带来了巨大的好处。除了增强的性能可扩展性之外，它们还引入了增加每芯片和每模块容量的新方法，以及增强的可靠性和提高产量的技术。此外，该规范允许构建高达 64Gb 的单片 DDR5 存储设备，并将多达 16 个 DDR5 IC 堆叠到一个芯片中（最多 16 个容量低于 64Gb 的 IC）。因此，32Gb DDR5 IC 的出现不足为奇。

“32Gb DDR5 IC目前正在一个新的under-14nm工艺节点上开发，并计划在明年初推出，”三星 DRAM 规划部门的员工工程师 Aaron Choi 在 AMD 和三星网络研讨会上表示（见三星在下图中的演示）。“基于 32Gb 的 UDIMM 将于明年年底或 2024 年初上市。” 三星打算在明年初的某个时候正式推出 32Gb DDR5 设备，以庆祝其开发的完成。这些芯片将在 2023 年底推出，届时三星可能会正式推出其基础上的第一款产品——用于客户端 PC 的 32GB 无缓冲 DIMM。稍后，该公司将展示其 1TB DDR5 内存模块，该模块将使用 32 个 8-Hi 32GB 堆栈，并将针对 2024 年至 2025 年时间范围内的服务器平台。 目前，像三星这样的 DRAM 制造商使用多达 8 个存储设备的 8-Hi 堆栈，但几年后，他们将转向更大的堆栈。例如，将 16 个 32Gb DRAM IC 或 8 个 64Gb DRAM IC 压缩到一个堆栈中将使三星能够构建 2TB 服务器级 DDR5 模块，并允许每个插槽具有数十 TB 内存的机器（例如，支持两个 DIMM 的 12 通道内存子系统每个通道可能会获得高达 48TB 的内存）。

2025年DDR5-7200

一旦三星 32Gb DDR5 内存设备的产量达到与 16Gb IC 相当的水平，这些芯片将允许构建价格非常合理的单面 32GB DIMM，使台式机爱好者能够为他们的系统配备 128GB 内存而不会花很多钱。

但是虽然容量很重要，但对于发烧友来说，高速也很重要，因此三星正在努力提高 DDR5 设备的性能。该公司即将推出官方评级为 5200 MT/s – 5600 MT/s 的 IC，目标是即将推出的客户端 PC 平台。我们预计 Corsair 和 G.Skill 等模块制造商将使用这些芯片来构建额定速度为 6800 MT/s 至 7000 MT/s 及更高的模块，但这些将需要更高的电压。 三星设想 DDR5 芯片仅在 2025 年才能在 JEDEC 标准 1.1 伏特下实现 7200 MT/s 的数据传输速率。DDR5-7200是三星一直在谈论的速度箱，但没有透露它预计何时生产合适的设备。在网络研讨会上，该公司最终展示了一张幻灯片，将“DDR5-7200+”归因于 2025 年。因此，预计内存模块专家将使用此类 IC 达到 10,000+ MT/s（或更高）的速度。 三星的 DDR5 服务器系列已为下一代服务器平台做好准备。 三星及其业界同行一直在谈论他们的服务器级 DDR5 内存模块已经有一段时间了。尽管如此，由于没有支持新型内存的服务器平台，这些公告更多地是关于 DDR5 内存的承诺优势，而不是实际用例。但现在AMD和Intel的下一代服务器平台正在逼近，这些模块最终会被使用。

三星于 2021 年年中正式推出其 512GB DDR5 寄存式 DIMM (RDIMM)内存模块，甚至在此之前就已经开始对该产品进行抽样。该模块使用基于 8 个 16Gb DRAM 设备的 32 个 16GB 堆栈，代表了当今 DRAM 行业的巅峰之作。这些模块将在 2022 年末或 2023 年初及时用于下一代 AMD EPYC（霄龙）“Genoa”和英特尔至强“可扩展”“Sapphire Rapids”服务器平台。 但并不是每个人都需要 512GB 内存模块，即使是服务器也是如此，因此三星去年 7 月推出了 24Gb DDR5 IC，以支持容量为 24GB、48GB、96GB 甚至更高的模块。目前，三星并未透露基于 24Gb 设备制造 384GB 和 768GB 的计划。尽管如此，其今年的 DDR5 模块阵容包括从 16GB 到 512GB 的所有模块，这足以在可预见的未来应对下一代 AMD EPYC（霄龙）“Genoa”和英特尔至强可扩展“Sapphire Rapids”平台。 “去年，三星推出了 14nm DDR5 DRAM，现在它们正在加速增长，”Choi 说。“14nm 允许制造另一个更大的 [DRAM] 芯片，即 24Gb，它几乎已准备好与 AMD 的服务器里程碑一起推出。今年三星将提供基于24Gb 芯片的多个阵容。”

虽然 24GB、48GB 或 96GB 模块容量听起来不像 512GB 容量那么令人印象深刻，但这些记忆棒可能对基于 AMD EPYC 'Genoa' 和 'Bergamo' 处理器的下一代服务器有所帮助。由于 AMD 的下一代服务器平台支持 12 个内存通道，这些模块将支持每个插槽具有 288MB、576GB 或 1152GB DDR5 内存的机器，这非常令人印象深刻。同时，由于 24GB、48GB 和 96GB 模块不需要像三星的 512GB RDIMM（使用 8-Hi 3DS 堆栈）那样复杂的芯片级封装，它们可以提供令人印象深刻的容量、性能和价格组合。

概括

三星已准备好基于其单片 16Gb 和 24Gb DRAM IC 的服务器级 DDR5 内存模块阵容。这些记忆棒的容量将在 16GB 和 512GB 之间，并将支持 AMD 的 Genoa/Bergamo 以及英特尔的 Sapphire Rapids 平台支持的速度箱。 三星下一步将在 2023 年初推出 32Gb 单片 DDR5 芯片，并在 2023 年底或 2024 年初将其推向市场。这些芯片将使该公司能够为未来的服务器平台构建 1TB DDR5 内存模块，并为客户端 PC 构建廉价的 32GB UDIMM。 至于速度，三星期待在 2025 年左右推出 1.1V IC 的 DDR5-7200+，这将使超频者的内存模块生产商能够制造额定运行速度为 10,000 MT/s 及以上的存储产品。

审核编辑 ：李倩