2020年内存价格虽然总体还在跌,但是年底的2个月中风向已经变了,部分内存芯片价格开始上涨,甚至1个月内存涨了10%,这给2021年的内存市场涨价发出了信号。
这段时间以来,因为中国春节、海外疫情等多种因素所致,内存行业开始加大备货力度了,然而三星这时候的动作并不一致,他们依然计划削减2021年的内存投资,减少产能。
韩国媒体报道,三星原本计划2021年新增内存产能4万片晶圆/月,现在决定将产能投资减少到3万片晶圆/月,削减了1万片晶圆/月的产能,而这部分产能将转向CIS传感器芯片中。
三星做为全球最大的内存芯片生产商,市场份额高达45%左右,可以说一家独大,对内存市场的价格走向影响很大,此前三星还预测2021年的内存需求会增长20%,现在削减产能无异于会减少供应,影响供需变化。
2021年的内存价格是否会提前上涨,现在还不得而知,毕竟三星再大,也不是一家能决定的,这还要看明年的供需博弈了,只是三星削减产能是个不一样的信号。
责任编辑:PSY
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
三星电子
+关注
关注
34文章
15900浏览量
183278 -
晶圆
+关注
关注
53文章
5478浏览量
132907 -
内存
+关注
关注
9文章
3258浏览量
76597 -
产能
+关注
关注
0文章
68浏览量
13211
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
成熟制程晶圆代工迎供需反转:涨价周期悄然开启
电子发烧友网报道(文 / 吴子鹏)根据 TrendForce 集邦咨询发布的最新晶圆代工产业研究,全球成熟制程晶圆代工市场正迎来多年未见的格局剧变:2025 年下半年以来,台积电、
内存涨疯!全球手机巨头三星却面临史上首次亏损
全球第一大手机厂商三星,正面临前所未有的危机——移动体验(MX)事业部可能迎来史上首次年度亏损!负责人卢泰文已向集团发出预警。三星手机亏损主因是内存
如何进一步从SPI NOR闪存启动电路板?
稳定性。
根据 T2080 快速入门指南文档,DIP 设置设置为 JTAG 的硬编码 RCW,并且能够使用 CCS 读取硬编码的 RCW 值。
如何进一步从 SPI NOR 闪存启动电路板
发表于 04-16 08:51
Q1营业利润激增7.55倍!三星发布亮眼业绩预告,Q2存储涨价成定局
同期增长68%,该数据创下了公司历史里程碑。三星在2026年第一季度快速增长的能力,主要来自HBM4产能扩增以及有所成果。近年,因各大内存厂将产能
产能告急!2026年8英寸芯片价格最高暴涨20%
的并非大尺寸晶圆,而是以8英寸晶圆代工为主的成熟代工。 成熟代工集体涨价 据市场调研机构TrendForce发布的最新报告显示,全球
晶科储能进一步扩大英国储能项目布局
晶科储能近日宣布进一步扩大其在英国的项目布局,新增加一套140MWh的电网级储能系统。首期的140MWh项目正在交付过程中,两期项目合计容量达到280MWh,成为英国规模最大的电池储能项目之一
AVX TAJ系列钽电容产地、产能与交期分析(2025.12.8)
Q2-Q3,导致产能全线吃紧
供应链脆弱性:
◦ 钽矿供应:刚果(金)产量下降20%,影响原材料交付周期
◦ 钽粉短缺:全球三大供应商订单排至2026年Q1
厂商策略调整:
◦ AVX优先保供战略客户(大型
发表于 12-09 10:44
BlackBerry QNX与众森软件进一步深化战略合作
今日,深圳市众森软件有限公司(以下简称"众森软件")正式宣布与全球领先的实时操作系统与嵌入式软件供应商 QNX(BlackBerry有限公司旗下部门QNX)进一步深化战略合作。此次合作将进一步推动下一代智能网联汽车与智慧出行解决
三星电子正式发布Galaxy Z TriFold
2025年12月2日,三星电子正式发布Galaxy Z TriFold,进一步巩固了三星在移动AI时代中针对形态创新的行业优势。
30万片/月晶圆厂投产!国产存储如何激活PCB千亿配套市场
三星、美光暂停 DDR5 报价引发的供应链焦虑,正加速国内存储芯片产能扩张 —— 长鑫存储合肥新晶圆厂已进入设备调试阶段,2026 年一季度将实现 30
攻克存储芯片制造瓶颈:高精度晶圆切割机助力DRAM/NAND产能跃升
的崩边、裂纹、应力损伤成为制约良率和产能提升的核心瓶颈之一。现代高精度晶圆切割机通过一系列技术创新,有效应对这些挑战,成为推动存储芯片
英诺赛科产能再扩张:年底8英寸晶圆月产将破2万片
近日,氮化镓行业的领军企业英诺赛科正式对外宣布,将进一步扩大其 8 英寸晶圆的产能。这一消息在半导体领域引发了广泛关注,标志着英诺赛科在巩固
下一代高速芯片晶体管解制造问题解决了!
片晶体管通常基于纳米片堆叠技术,纳米片作为晶体管的沟道部分,其厚度和宽度可以精确控制,以实现更好的静电控制和更高的驱动电流。叉片晶体管可以实现垂直堆叠,即多个晶体管层叠在
发表于 06-20 10:40
内存涨价 三星进一步削减产能:每月减少1万片晶圆产能
评论