3倍薪水猛挖角 大陆存储器厂瞄准台湾IC设计和DRAM厂

　　大陆DRAM和NAND Flash存储器大战全面引爆，近期包括长江存储、合肥长鑫等阵营陆续来台锁定IC设计和DRAM厂强力挖角，目前传出包括钰创员工、并入联发科的NOR Flash设计公司常忆，以及并入晶豪的宜扬等高层转战武汉新芯，并传出华亚科前资深副总刘大维在合肥招兵买马，开出3倍薪水挖角过去在台有DRAM经验的人才。不过，业界认为大陆存储器发展关键在于取得合法技术，至于生产制造及人才将是次要条件。

　　近期大陆合肥发展存储器计划频有突破，合肥长鑫12吋晶圆厂生产线曝光，总投资额约人民币500亿元，在合肥打造月产能12.5万片晶圆厂，年产能约150万片。另外，北京兆易创新（GigaDevice）为合肥操刀的存储器计划亦有具体轮廓，通过买下大陆武岳峰资本旗下SDRAM设计公司矽成（ISSI），全面掌握NOR Flash、NAND Flash及利基型DRAM技术。

　　存储器业者表示，大陆合肥已逐渐形成存储器产业部落，希望从存储器IC设计、生产制造一路做到模组端，采取一条龙统包方式，其中，技术主要由GigaDevice负责，生产制造则由前中芯国际执行长王宁国领军的合肥长鑫担纲，然其DRAM技术基础较弱，未来恐有侵权疑虑。

　　随着大陆各方存储器人马纷动起来，台厂人才亦前仆后继加入大陆团队，目前长江存储及旗下武汉新芯阵营已有不少台系IC设计公司高层加入，包括NOR Flash设计公司常忆前总经理王筱瑜、前副总张有志，以及宜扬前总经理周锦颖，至于设计公司钰创亦有前员工加入，多方人马纷汇聚在武汉新芯。

　　另外，华亚科前资深副总刘大维传已加入大陆合肥的存储器计划，近期积极挖角台厂相关人才，并开出3倍薪水条件与长江存储阵营抢人才，由于过去台系DRAM厂处于亏损状况，几乎没有奖金发放，大陆开出3倍薪水对于台系DRAM厂员工可说是相当诱人。

　　存储器业者指出，华亚科和南亚科员工若有意加入这一波大陆存储器浪潮，在长江存储及合肥长鑫两大阵营抉择上，可能会考量公司前景来做决定，目前看来长江存储若能够与国际大厂谈妥技术授权，吸引人才的赢面十分高。

　　现阶段合肥长鑫打算自行开发NAND Flash和DRAM技术，长江存储则持续与美光（Micron）等国际大厂洽谈技术授权，希望透过与国际半导体大厂合作，获得进入存储器产业的快速通关权，在技术专利上取得合法保障，并成为大陆DRAM、NAND Flash及NOR Flash存储器三合一技术大本营。

　　存储器业者认为，大陆自行开发存储器技术难度十分高，像是联电旗下福建晋华很早起跑，甚至在联电南科厂已设立30及25纳米制程试产线进行研发，加上操盘人陈正坤拥有逾20年的DRAM经验，至于合肥长鑫仅握有ISSI利基型存储器设计技术，还没有生产线，未来投入庞大的存储器一条龙整合计划，风险相对较高。