DRAM厂将陆续导入EUV技术

半导体元件的制造，制程越小越困难，所面临的物理限制越来越高，现在能量产的工艺节点已经来到7nm，往后制程的升级越来越困难，所以催生出了EUV光刻技术，比如在同样是7nm制程的情况下，可将晶体管密度提升，同频率下功耗降低，不过EUV光刻技术还有一个优点就是有助于降低单位生产成本。现在，DRAM厂商在面对DRAM价格不断下跌的困境下，已经在考虑导入EUV技术用于制造DRAM，主要目的是为了降低成本。

DRAM市场供给过剩导致价格不断下跌，DRAM厂虽然尽量减产但仍然无法让价格明显止跌，维持获利的唯一方法就是微缩制程来降低单位生产成本。不过，DRAM制程向1z纳米或1α纳米制程推进的难度愈来愈高，随着EUV量产技术获得突破，或可有效降低DRAM成本。

据悉，三星预期在今年11月开始量产采用EUV技术的1z纳米DRAM，量产初期将与三星晶圆代工共享EUV设备，初期使用量虽不大，但却等于宣示DRAM光罩微影技术会朝EUV方向发展。至于SK海力士及美光也已表明开始评估采用EUV技术，业界预期将可能在1α纳米或1β纳米世代开始导入。

三星的1z纳米属于第三代10nm级工艺，10nm级工艺并不是10nm工艺，由于20nm节点之后DRAM的工艺升级变得困难，所以DRAM内存工艺的线宽指标不再那么精确，于是有了1xnm、1ynm及1znm之分，简单来说1xnm工艺相当于16-19nm，1ynm工艺相当于14-16nm，1znm工艺大概是12-14nm级别，而在这之后还有1α及1β工艺。由于先进制程采用EUV微影技术已是趋势，在台积电第二季EUV技术7+纳米进入量产阶段并获***量产7纳米制程，英特尔预期2021年7纳米会首度导入EUV技术。而随着制程持续推进至5纳米或3纳米后，EUV光罩层会明显增加2～3倍以上，对EUV光罩盒需求亦会出现倍数成长。