合肥长鑫存储的DRAM项目，正开始进入试产阶段

合肥长鑫存储的DRAM项目在经过两年来的努力后，正开始进入试产阶段，这也代表着合肥506项目进入了新的里程碑。

长鑫存储早先规划的19纳米制程工艺技术也将首先应用在DDR4 8Gb的产品上，应用产品瞄准个人计算机以及服务器上，后续的LPDDR4则是预期在明年第三季进入试产阶段。原先担任兆易创新CEO的朱一明先生也将辞去原有的职务，正式接任长鑫存储和睿力集成CEO的职位，至于前CEO王宁国先生则是在建厂告一段落后交棒，显示合肥地方发展存储产业由建厂进度转为研发、量产与营销为主轴的新局面。

从时程上来看，长鑫存储过去DRAM事业的进展稳健，506项目从2016年第二季度启动以来，短短两年陆续完成厂房兴建、机台设备移入和上千件专利的申请，再加上先前兆易创新在存储业界的丰富经验，对于长鑫存储后续各项DRAM产品的试产、开发以及结合NOR Flash和NAND Flash更为广泛的应用有更大的帮助。在后续工艺规划上，19纳米的DRAM试产后，17纳米的DRAM技术开发也将紧锣密鼓的展开，寄望能够在未来DRAM工艺制程技术微缩时程拉长之际，能够缩短与国际大厂之间的距离。

中国DRAM存储器产业自主化更是刻不容缓的一条艰巨道路。中国目前在全球个人计算机、智能手机、服务器/数据中心以及未来新时代的AI人工智能以及物联网均扮演关键地位，联想品牌已是全球PC市占率最高的厂商；华为、OPPO、VIVO和小米等手机品牌更是早已盘据全球智能手机排行榜前七位；华为、腾讯、百度、阿里巴巴等更是目前全球服务器与数据中心关键领导厂商，而各式各样广泛的电子产品都需要DRAM存储器才能充分运作，甚至未来进入AI人工智能、挖矿机和自动驾驶车辆对于DRAM的需求将更为倚重。

对比DRAM产业目前高度集中在三星、海力士以及美光三家厂商，其他业者比重不超过5%的特殊产业结构来看，若不能解决这样的情况，未来中国持续发展电子产业上势必遇到关键零组件仰人鼻息的瓶颈。同时，中国发展DRAM存储器产业不仅只是存储业者自身的事情，更必须透过设备商、材料商等完整供应链配套，才能缩短学习曲线。