三星已将下一代嵌入式半导体存储器产品MRAM纳入生产制造范畴，并在韩国器兴厂区率先进入大规模生产。MRAM号称是次世代记忆体，是继半导体存储器DRAM和NAND Flash之后又一划时代的创新存储器
2019-03-06 16:43:28
7573 16日，三星电子宣布在基于EUV的高级节点方面取得了重大进展，包括7nm批量生产和6nm客户流片，以及成功完成5nm FinFET工艺的开发。 三星电子宣布其5纳米（nm）FinFET工艺技术的开发
2019-04-18 15:48:477185 1月7日消息，三星电子已开始批量生产基于极紫外（EUV）技术的6nm（nm）半导体芯片。该公司自开始大规模生产7nm产品以来，仅在八个月内就推出了6nm产品。三星的微加工工艺技术升级周期正在缩短
2020-01-07 12:03:104766 据悉，这是一款双核处理器，采用MIPS架构和28nm工艺，工作频率为1.2GHz，配有DDR3-1600存储控制器和1MB二级缓存。
2015-05-27 09:28:382238 为突破半导体市场的不景气，三星电子（Samsung Electronics）致力升级微细制程技术；SK海力士（SK Hynix）则准备以史上最大规模的投资计划应战。
2016-01-26 08:19:58849 三星电子（Samsung Electronics）与IBM携手研发出11纳米制程的次世代存储器自旋传输（Spin Transfer Torque）磁性存储器（STT-MRAM）。两家公司也表示，预计
2016-08-01 11:04:321256 今日，三星电子正式宣布已经开始大规模生产基于10nm FinFET技术的SoC，这是业界内首家提供10nm工艺代工厂商。新工艺下的SoC性能可以提供27%，功耗将降低40%。
2016-10-17 14:07:011208 三星与台积电工艺之战从三星跳过20nm工艺而直接开发14nmFinFET打响，从10nm到如今的7nm之争，无论谁领先一步，都是半导体工艺的重大突破。 在半导体代工市场上，台积电一直都以领先的工艺
2017-03-02 01:04:492107 之前外资曾警告，DRAM 荣景能否持续，取决于存储器龙头三星电子，要是三星扩产，好景恐怕无法持续。如今三星眼看 DRAM 利润诱人，传出决定扩产，新产线预计两年后完工。
2017-03-16 07:40:15876 我们应当知道的是，三星目前还没有推出很多10nm工艺的产品：只有三星自己的Exynos系列和三星为高通代工的835芯片是使用了三星的10nm工艺。
2017-05-09 08:24:35911 格芯今日宣布基于其22nm FD-SOI(22FDX)平台的嵌入式、磁阻型非易失性存储器(eMRAM)已投入生产。格芯正在接洽多家客户，计划2020年安排多次生产流片。 此次公告是一个重要的行业
2020-02-29 08:30:005701 较为激进的技术路线，以挽回局面。
4 月 18 日消息，据韩媒《ChosunBiz》当地时间 16 日报道，三星电子在其 4nm 制程 HBM4 内存逻辑芯片的初步测试生产中取得了40% 的良率，这高于
2025-04-18 10:52:53
三星电子近日在国际学会“IEDM 2015”上就20nm工艺的DRAM开发发表了演讲。演讲中称，三星此次试制出了20nm工艺的DRAM，并表示可以“采用同样的方法，达到10nm工艺”。 国际电子器件
2015-12-14 13:45:01
的商机仍然畅旺，在供给端仅有三星、SK海力士、美光，加上新技术量产困难，在这些现实下，2019年对存储器厂商而言仍会是个丰收的年度。如果要考虑供过于求的变量，可能是第二代10nm等级的DRAM技术
2018-12-25 14:31:36
三星宣布将开发手持式装置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）读取芯片，能让使用者透过手机得知产品和服务信息，但三星并未透露产品何时上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
随机存储器，DynamicRandomAccessMemory)VLSI芯片，并因此成为世界半导体产品领导者。在此之前，三星只是为本国市场生产半导体。 在八十年代中期，三星开始进入系统开发业务领域，在
2019-04-24 17:17:53
` 三星电子今天宣布，全球首个基于高清电视平台的应用程序商店Samsung Apps(三星应用商店)的规模及其知名度正在以惊人的速度增长。目前，Samsung Apps(三星应用商店)中的智能电视
2011-10-26 14:04:07
1月22日，Altera 在北京展示了号称业界最全面的28nm 最新技术及强大解决方案。Altera公司的多位工程师为在京的媒体人士进行了讲解。
2019-08-21 07:37:32
MPCoreTM处理器，以及丰富的硬件外设，从而降低了系统功耗和成本，减小了电路板面积。基本描述如下： （1）28nm FPGA实现了业界最低系统成本和功耗 （2）三种型号：仅逻辑、3G收发器和5G收发器
2012-09-21 13:49:05
早有计划。 2017年，三星与NXP达成代工合同，从这一年起，NXP的IoT SoC i.MX系列将通过三星28nm FD-SOI工艺批量生产，并计划2018年将三星的eMRAM嵌入式存储器技术将用于下一代
2023-03-21 15:03:00
SRAM存储单元的写裕度(WM)。同时,可以优化SRAM存储单元的抗PVT波动能力,并且可以降低SRAM存储单元的最小操作电压。 基于SMIC 28nm工艺节点仿真结果显示,新型10T单元结构在电源电压为
2020-04-01 14:32:04
从工艺选择到设计直至投产，设计人员关注的重点是以尽可能低的功耗获得最佳性能。Altera在功耗和性能上的不断创新，那其28nm高端FPGA如何实现功耗和性能的平衡？具体有何优势？
2019-09-17 08:18:19
大规模电动汽车生产需要先进的电池化成和测试系统
2021-01-27 06:59:50
2018年上半进入96层的技术规格，2018年中将3D的比重提高到85%以上。为了让每单位的记忆容量提高，美日韩存储器大厂都卯尽全力，在96层的堆栈技术上寻求突破。三星指出，第五代的96层V NAND量产
2018-12-24 14:28:00
开始生产。此举也创下二次击败劲敌三星、独吃苹果处理器大单的新记录，2017年营收持续增长基本没什么问题。刚刚失去苹果订单的三星，日前宣布Note6将用上基于10nm工艺的6GB LPDDR4内存，并将于今年下半年上市。这样一来，台积电和三星以及苹果的性能之争，就转移到Note 6和iPhone 7身上。`
2016-07-21 17:07:54
nch_dnw，mom电容等）的工艺文档说明在哪个路径下？之前65nm的文档在/PDK_doc/TSMC_DOC_WM/model文件夹下，28nm的好像没有？
2021-06-24 06:18:43
请问工程师，C2000系列产品的制程是45nm还是28nm？同一款新片可能采用不同的制程生产吗？
2020-06-17 14:41:57
模块（ALM）、精度可调数字信号处理（DSP）模块、分段式锁相环（fPLL）、硬核存储器控制器等。28LP制造工艺降低设计成本Altera在28nm采用了双管齐下的制造策略，对于需要尽可能提高带宽的系统
2015-02-09 15:02:06
，集成了328亿个存储器元胞。 2006年三星、IBM和特许半导体共同为高通生产出第一片90nm处理器。三星推出基于32Mb闪存的固态硬盘SSD，使闪存在PC中逐渐替代硬盘成为趋势。 2006年
2018-05-10 09:57:19
TCL AT25286深圳三星纯(25英寸)存储器数据
2009-06-12 11:21:22
13 TCL AT29128三星存储器数据
2009-06-12 11:24:3643 TCL AT29211A三星纯存储器数据
2009-06-12 11:28:5634 28nm器件三大创新，Altera期待超越摩尔定律
随着TSMC 28nm全节点工艺即将量产，其合作伙伴Altera日前宣布了其产品线将转向28nm节点的策略部署。据了解，TSMC 28nm全节点有
2010-02-05 08:53:361048 
28nm Stratix V FPGA突破带宽瓶颈
Altera公司的最新28nm Stratix V FPGA正是为满足高带宽应用设计要求而推出。 移动互联网、高清视频、军事、医疗以及计算
2010-05-10 17:52:04943 AMD公司对于今年推出基于28nm工艺图形处理器依然是相当乐观。该公司相信28nm节点不仅会为其提供机会推出先进的图形处理芯片"shortly"，同时也将可以进一步降低其生产成本。
2011-07-27 09:19:14851 虽然TSMC对于旗下28nm工艺依然保持着较为保守的态度，但是根据近期非官方的报道，由于来自官户的需求不断提升，TSMC将会对28nm晶元进行提价。
2011-09-16 09:30:031525 
本白皮书介绍了有关赛灵思 28 nm 7 系列 FPGA 功耗的几个方面，其中包括台积电 28nm高介电层金属闸 (HKMG) 高性能低功耗（28nm HPL 或 28 HPL）工艺的选择。 本白皮书还介绍了 28 HPL 工艺提供
2012-03-07 14:43:4441 如今FPGA已进入到28 nm时代，在28 nm时代FPGA的容量足以满足整个系统所需，节省了功率元件和存储器。
2012-03-16 08:41:58474 在移动芯片市场，三星和高通曾经是竞争对手，但是现在三星却要帮助竞争对手高通生产28nm Snapdragon S4 SoC。
2012-07-05 16:03:331043 GlobalFoundries、Intel都在纷纷宣传各自的14nm新工艺，三星电子今天也宣布，已经在14nm FinFET工艺开发之路上取得又一个里程碑式的突破，与其设计、IP合作伙伴成功流片了多个开发载具。
2012-12-24 09:28:241508 骁龙 820 此前已经传闻将会由三星代工生产，今天三星官方正式确认了这个消息，并且表示大规模生产使用的是三星最新的第二代 14nm FinFET 工艺。
2016-01-15 17:24:241377 导语：联发科和华为均已确定下一代处理器将采用10nm工艺制程，高通也紧追其后递交10nm芯片样品给客户，据悉，高通10nm订单均交给三星代工生产。
2016-07-28 19:00:27868 近日，三星电子宣布已经开始采用10nm FinFET工艺量产逻辑芯片，三星也成为了业内首家大规模采用10纳米工艺的厂商。前段时间，韩国《电子时报》报道，高通的下一代旗舰处理器高通骁龙830（或835
2016-10-18 14:06:101450 已经量产了28nm工艺，TSMC董事长张忠谋日前谈到了大陆28nm工艺的竞争，他表示大陆公司的28nm产能增长很快，其中有部分原因是政府背后支持。
2016-10-27 14:15:522112 估计在 5 月 24 日的一场晶圆厂商论坛上，三星将会发布该公司所研发的 MRAM 内存，此种次世代存储器兼具 NAND Flash 和 DRAM 的优点，被认为是一种通用型存储器，能够让手机实现内存/闪存二合一。
2017-04-30 21:47:502904 
根据国外媒体报道，日前有内部人士表示，三星已经开始计划在2019年使用6nm工艺制造移动芯片，而并且将逐渐大幅减少7nm工艺生产线的投资。据悉，三星计划在今年安装两款全新的光刻机，并且计划在2018年继续追加投资7台，这样就将为未来制造工艺的提升提供了支持，同时还能大幅提高产品的生产效率。
2017-06-28 10:40:551203 三星手机存储器最新资料下载
2018-01-19 09:44:541 本周在火奴鲁鲁举行的VLSI（超大规模集成电路）研讨会上，三星首次分享了基于EUV技术的7nm工艺细节。
2018-06-22 15:16:001626 因2017年存储器领域遭遇大幅度的内存不足，飚价过高，三星等存储器巨头借此赚的钵满盆盈。今年中国厂商将进行大规模的扩产存储器，存储器价格将会有所松动，也就是说三星半导体龙头将不保。
2018-02-01 09:37:211089 晶圆代工厂格芯日前宣布其22纳米全耗尽型绝缘上覆硅(FD-SOI)制程技术取得了36项设计订单，其中有超过十几项设计将会在今年出样(tape-out)。另一方面，其竞争对手三星则预计今年将采用其28nm FD-SOI制程出样20余款芯片。
2018-05-02 16:16:135272 三星 17 日宣布，量产首批 8GB LPDDR5 存储器颗粒，速率可达 6，400Mbps，比现有 LPDDR4-4266 存储器快了 50%，同时功耗降低 30%，三星现在已经完成了 8GB
2018-07-18 17:56:004088 三星17日宣布，量产首批8GB LPDDR5存储器颗粒，速率可达6,400Mbps，比现有LPDDR4-4266存储器快了50%，同时功耗降低30%，三星现在已经完成了8GB LPDDR5存储器的测试。
2018-07-20 10:39:445216 三星显示开发出新的蒸镀源，预计将在新的次世代产线应用。新的技术是否能带来OLED更高分辨率4K（UHD）备受业界市场瞩目。
2018-08-22 08:41:384830 就在台积电与三星在逻辑芯片制程技术逐渐导入EUV技术之后，存储器产业也将追随。也就是全球存储器龙头三星在未来1Y纳米制程的DRAM存储器芯片生产上，也在研究导入EUV技术。而除了三星之外，韩国另一家
2018-10-29 17:03:244026 三星电子是存储器半导体行业全球第一的企业，由于最近存储器半导体需求不振、价格下跌，转为强调发展晶圆代工、系统半导体等非存储器半导体领域。韩国证券界指出，三星电子将收购海外非存储器半导体企业，备选企业有荷兰恩智浦半导体,德国英飞凌，美国赛灵思等，3家公司均是系统半导体企业
2019-02-20 17:06:506421 
三星宣布已经开始大规模生产首款商用EMRAM产品，该产品基于28nm FD-SOI工艺技术，并计划在今年扩大高密度新兴的非易失存储器解决方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-03-09 09:26:581340 据韩国媒体报道，近日，三星宣布已在一条基于28纳米FD-SOI工艺的生产线上，开始大规模生产和商业运输嵌入式MRAM(eMRAM)解决方案。
2019-03-16 10:24:271146 ，动态随机存取存储器）。自开始批量生产第二代10nm级（1y-nm）8Gb DDR4以来仅仅16个月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）处理的情况下开发1z-nm 8Gb DDR4，说明三星突破了DRAM的扩展极限。
2019-03-21 17:30:542123 据报道，近日，三星宣布已在一条基于28纳米FD-SOI工艺的生产线上，开始大规模生产和商业运输嵌入式MRAM(eMRAM)解决方案。
2019-03-25 14:42:513762 三星的3nm工艺节点采用的GAAFET晶体管是什么？
2019-05-17 15:38:5412185 
不出预料，三星（Samsung）在“Samsung晶圆代工论坛2019”以3nm产品为主打，最新的MBCFET架构成为众所瞩目焦点，此产品将在2019年最新建成的华城EUV专线上生产。除了最进阶的技术值得关注外，Samsung也提到2019年将顺利推出18FDS服务以进军eMRAM市场。
2019-06-13 17:06:133518 
集成电路设计自动化软件领导企业新思（Synopsys）近日宣布，面向三星7LPP（7nm Low Power Plus）和更先进工艺的良率学习平台设计取得最大突破，也为三星后续5nm、4nm、3nm工艺的量产和良品率奠定了坚实基础。
2019-07-08 15:56:453656 近日，全球知名的EDA工具厂商新思科技(Synopsys)宣布，面向三星7LPP（7nm Low Power Plus）和更先进工艺的良率学习平台设计取得了重大突破，这将为三星后续5nm、4nm、3nm工艺的量产和良品率的提升奠定坚实基础。
2019-07-09 17:13:485070 关于7nm制程，今年年底之前可能会有基于三星 7 纳米工艺芯片的手机亮相吗？可能性或许不大，虽然高通新一代芯片骁龙 855 也将交给三星负责生产，但不要指望今年立马发布然后大规模量产，即便量产可能也要等到今年的第四季度末。
2019-09-02 10:51:4210341 三星电子有限公司（Samsung Electronics）在其官网上发布消息，该公司正式宣布，首次开发了第三代 10nm 制程工艺（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）。
2019-09-27 17:23:291500 今年3月份，三星宣布全球第一家商业化规模量产eMRAM（嵌入式磁阻内存），基于28nm FD-SOI（全耗尽型绝缘层上硅）成熟工艺，内存容量8Mb，可广泛应用于MCU微控制器、IoT物联网、AI人工智能领域。
2019-12-27 08:57:08918 今年3月份，三星宣布全球第一家商业化规模量产eMRAM（嵌入式磁阻内存），基于28nm FD-SOI（全耗尽型绝缘层上硅）成熟工艺，内存容量8Mb，可广泛应用于MCU微控制器、IoT物联网、AI人工智能领域。
2019-12-27 09:23:222717 今年3月份，三星宣布全球第一家商业化规模量产eMRAM（嵌入式磁阻内存），基于28nm FD-SOI（全耗尽型绝缘层上硅）成熟工艺，内存容量8Mb，可广泛应用于MCU微控制器、IoT物联网、AI人工智能领域。
2019-12-27 16:07:534212 由于在7nm节点激进地采用了EUV工艺，三星的7nm工艺量产时间比台积电要晚了一年，目前采用高通的骁龙765系列芯片使用三星7nm EUV工艺量产。在这之后，三星已经加快了新工艺的进度，日前6nm工艺也已经量产出货，今年还会完成3nm GAE工艺的开发。
2020-01-06 16:13:073848 由于在7nm节点激进地采用了EUV工艺，三星的7nm工艺量产时间比台积电要晚了一年，目前采用高通的骁龙765系列芯片使用三星7nm EUV工艺量产。
2020-01-06 16:31:033601 据外媒报道称，美国半导体晶圆代工厂商GlobalFoundries（格芯）宣布已经完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技术开发，而这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器（eMRAM）。
2020-03-03 15:57:27725 近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工艺平台，新型存储器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存储器）已投入生产。
2020-03-11 10:54:371159 3月18日，据韩国媒体报道，三星电子已经开始批量生产一种512GB的eUSF 3.1高速智能手机存储器，该存储器能够在4秒内存储5GB内容，相当于一部蓝光电影。
2020-03-20 10:51:281830 据国外媒体报道，在5nm工艺即将大规模量产的情况下，3nm工艺就成了台积电和三星这两大芯片代工商关注的焦点，三星电子旗下的三星晶圆代工，此前设定的目标是在2021年大规模量产3nm工艺。
2020-04-07 17:43:512632 4月7日消息，在 5nm 工艺即将大规模量产的情况下，3nm 工艺就成了台积电和三星这两大芯片代工商关注的焦点。三星电子旗下的三星晶圆代工，此前设定的目标是在2021年大规模量产 3nm工艺。
2020-04-08 14:41:143230 中关村在线消息：在先进的芯片制造领域，放眼世界，只剩下台积电，英特尔和三星。目前，台积电与三星在 7nm 以下的竞争引起了广泛关注。根据 DigiTimes 的报告，三星将直接跳过 4nm 先进工艺
2020-07-08 16:07:212550 
EUV，依靠现有的DUV（深紫外光刻）是玩不转的。 有意思的是，三星最近竟然将EUV与相对上古的10nm工艺结合，用于量产旗下首批16Gb容量的LPDDR5内存芯片。 据悉，三星的新一代内存芯片是基于第三代10nm级（1z）工艺打造，请注意16Gb容量的后缀，是Gb而不是GB，16Gb对应的其实是
2020-09-01 14:00:293544 虽然高端市场会被 7nm、10nm以及14nm/16nm工艺占据，但40nm、28nm等并不会退出。如28nm和16nm工艺现在仍然是台积电的营收主力，中芯国际则在持续提高28nm良率。
2020-10-15 11:18:026371 1080处理器是三星首款基于最新的5nm EUV FinFET工艺制造的处理器，进一步提高设备的电源效率和性能。 三星Exynos在11月12日在上海举行首场国内线下发布会；据介绍，vivo将首发搭载
2020-11-12 18:13:204092 12 月 3 日消息 据 Omdia 研究报告，28nm 将在未来 5 年成为半导体应用的长节点制程工艺。 在摩尔定律的指引下，集成电路的线宽不断缩小，基本上是按每两年缩小至原尺寸的 70% 的步伐
2020-12-03 17:02:253321 据国外媒体报道，虽然目前最先进的芯片制程工艺已经达到5nm，但成熟的28nm工艺，目前仍还有大量的需求，28nm工艺目前就还仍是台积电的第4大收入来源，贡献了去年四季度台积电营收的11%，是4项营收占比超过10%的工艺之一。
2021-01-19 15:07:482577 今天，三星宣布已经开始大规模生产其最先进的数据中心 SSD 生产线，PM9A3 E1.S。 三星表示，PM9A3 完全符合 OCP NVMe 云 SSD 规范，满足企业工作负载的严格要求。 IT之家
2021-02-24 16:00:212315 电子展开了合作。未来，联华电子还将很快利用28nm工艺技术为三星电子量产芯片。 同时，为缓解芯片产能不足的局面，有业内人士称，三星电子还可能与格芯签署委托协议。格芯从美国超微半导体拆分而来，此前曾在2014年就14nm工艺晶圆生产与
2021-03-04 16:29:382063 这一年来全球半导体产能紧张，国内的晶圆厂也开说产能扩张。继位于北京的中芯京城之后，中芯国际今晚宣布在深圳投资建厂，主要生产28nm及以上工艺。
2021-03-18 10:39:194773 最近，关于28nm工艺的新闻频频见于报端。 一方面，台积电日前宣布，将斥资约800亿元新台币，把在南京厂建置28纳米制程，目标在2023年中前达到4万片月产能。除此之外，市场中也有消息传出晶圆代工
2021-05-06 17:32:323906 Lattice基于三星28nm FD-SOI平台推出了一系列FPGA产品，包括在嵌入式视频方面应用比较多的CrossLink-NX，重新定义的Certus-NX，去年Q4问世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年还会推出基于FD-SOI平台的两款新品。
2021-08-14 10:07:446557 厂商都专心研究28nm DRAM芯片时，三星同样跨过了28nm，直接开始研发25nm工艺，最终取得了成功。 这次三星同样想靠弯道超车来与其他厂商拉开差距，占据行业领先地位。三星计划在6月完成11nm DRAM芯片的开发工作。 综合整理自 比特网 萬仟网 中文科技资讯 审核编辑
2022-04-18 18:21:582244 据芯片行业来看，目前22nm和28nm的芯片工艺技术已经相当成熟了，很多厂商也使用22nm、28nm的芯片居多，主要原因就是价格便宜，那么这两个芯片之间有什么性能差异呢？
2022-06-29 09:47:4611987 三星最新公布的制程工艺技术路线图显示，该公司计划在2025年开始量产2纳米级SF2工艺，以满足客户对高性能处理器的需求。此前，三星已于今年公布，其3纳米工艺已满足大规模生产的标准。
2023-06-29 16:26:332318 三星在会上表示，作为新一代汽车技术，正在首次开发5nm eMRAM。三星计划到2024年为止，用14纳米工程增加mbram产品有价证券组合，2年后升级为8纳米制程。
2023-10-23 09:57:221309 这座晶圆厂于2022年4月开始新建，大楼主结构已完工，且办公室部分区域也在今年8月启用。将生产N28 28nm级工艺芯片，这是日本目前最先进的半导体工艺。22ULP工艺也会在这里生产，但注意它不是22nm，而是28nm的一个变种，专用于超低功耗设备。
2024-01-03 15:53:271889 该生产线由三星显示通过对原有L8生产线进行升级改造而来，是全球规模最大的OLED生产线。这也是三星第六条OLED生产线，投产后将打造出全球最高世代的OLED生产工艺。
2024-03-10 14:54:342610 三星电子在昨日举行的韩国“AI-PIM 研讨会”上宣布，其正按计划稳步进行eMRAM（嵌入式磁性随机存取内存）的制程升级工作。据悉，目前8nm eMRAM的技术开发已经基本完成，这一进展标志着三星电子在内存技术领域的又一次重要突破。
2024-06-04 09:35:01855 在全球人工智能市场蓬勃发展的浪潮下，三星电子再次展现出其在半导体领域的雄心壮志，宣布进行大规模改组，以进一步巩固其在行业内的领先地位。此次改组的核心在于新设一个专注于高带宽存储器（HBM）的研发团队，旨在满足人工智能市场对高性能存储解决方案的激增需求。
2024-07-05 16:25:391394 相变存储器（ePCM）。 在FD-SOI领域，三星已经深耕多年，其和意法半导体之间的合作也已经持续多年。早在2014年，意法半导体就曾对外宣布，选择三星28nm FD-SOI工艺来量产自己的产品
2024-10-23 11:53:05990 
2025年10月28日，三星电子正式发布全新microSDExpress存储卡——P9Express固态存储卡。该系列以次世代游戏体验为目标打造，针对包括NintendoSwitch™¹等主流游戏
2025-10-28 10:34:21373 
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