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电子发烧友网>制造/封装>半导体技术>半导体新闻>三星和IBM研究MRAM,欲取代DRAM

三星和IBM研究MRAM,欲取代DRAM

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2022-01-26 18:46:465

三星将中断12nm DRAM芯片开发,直接跨入11nm

厂商都专心研究28nm DRAM芯片时,三星同样跨过了28nm,直接开始研发25nm工艺,最终取得了成功。 这次三星同样想靠弯道超车来与其他厂商拉开差距,占据行业领先地位。三星计划在6月完成11nm DRAM芯片的开发工作。 综合整理自 比特网 萬仟网 中文科技资讯 审核编辑
2022-04-18 18:21:582244

三星研发出运算存储MRAM

三星半导体宣布,通过结构创新,实现了基于MRAM(磁阻式随机存取存储)的存储内运算(In-Memory Computing),进一步拓展了三星下世代低功耗AI芯片技术。
2022-11-10 12:16:211045

三星首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功

-三星电子新款DRAM将于2023年开始量产,以优异的性能和更高的能效,推动下一代计算、数据中心和AI应用的发展 官方发布    2022年12月21日,三星电子宣布,已成功开发出其首款采用12纳米
2022-12-21 11:08:291205

三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功

三星电子新款DRAM将于2023年开始量产,以优异的性能和更高的能效,推动下一代计算、数据中心和AI应用的发展 中国深圳2022年12月21日 /美通社/ -- 三星电子宣布,已成功开发出其首
2022-12-21 21:19:541342

三星将削减NAND和DRAM平泽P3晶圆厂投资

 平泽p3 晶圆厂是三星最大的生产基地之一。据报道,三星原计划将p3工厂的生产能力增加到8万个dram和3万个nand芯片,但目前已将生产能力减少到5万个dram和1万个nand芯片。
2023-10-08 11:45:571540

RAM和NAND再遇强敌, MRAM被大厂看好的未来之星

目前三星仍然是全球专利第一,2002年三星宣布研发MRAM,2005年三星率先研究STT-MRAM,但是此后的十年间,三星MRAM的研发一直不温不火,成本和工艺的限制,让三星MRAM研发逐渐走向低调。
2023-11-22 14:43:531113

三星将于明年量产LPDDR5T DRAM芯片

三星将从明年开始批量生产LPDDR5T DRAM芯片。三星电子副总裁Ha-Ryong Yoon最近在投资者论坛上介绍了公司状况和今后计划等。当投资者询问三星今后将开发的技术时,管理人员公开了有关LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:161330

三星/SK海力士已开始订购DRAM机群工艺和HBM相关设备

数据显示,首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子已开始扩大其HBM生产能力,并启动大规模HBM设备采购;此外,三星和SK海力士计划加强DRAM技术转移,进一步加大对DRAM的投资力度。
2024-01-08 10:25:221580

三星在硅谷建立3D DRAM研发实验室

三星电子,全球领先的存储芯片制造商,近日宣布在美国设立新的研究实验室,专注于开发新一代3D DRAM技术。这个实验室将隶属于总部位于美国硅谷的Device Solutions America (DSA),负责三星在美国的半导体生产。
2024-01-30 10:48:461306

三星计划NAND闪存价格谈判 涨价15%—20%

三星计划NAND闪存价格谈判 涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低;在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就NAND闪存价格重新谈判,目标价位是涨价15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995

在机遇与挑战并存的AI时代,三星如何在DRAM领域开拓创新?

在机遇与挑战并存的AI时代,三星如何在DRAM领域开拓创新?
2024-05-09 18:46:35924

三星重启1b nm DRAM设计,应对良率与性能挑战

近日,据韩媒最新报道,三星电子在面对其12nm级DRAM内存产品的良率和性能双重困境时,已于2024年底作出了重要决策。为了改善现状,三星决定在优化现有1b nm工艺的基础上,全面重新设计新版1b
2025-01-22 14:04:071411

三星否认重新设计1b DRAM

据DigiTimes报道,三星电子对重新设计其第五代10nm级DRAM(1b DRAM)的报道予以否认。 此前,ETNews曾有报道称,三星电子内部为解决12nm级DRAM内存产品面临的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361

三星电子否认1b DRAM重新设计报道

据报道,三星电子已正式否认了有关其将重新设计第五代10nm级DRAM(即1b DRAM)的传闻。这一否认引发了业界对三星电子内存产品策略的新一轮关注。 此前有报道指出,三星电子为应对其12nm级
2025-01-23 15:05:11923

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