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电子发烧友网>制造/封装>半导体技术>半导体新闻>三星18nm PC存储器良率出问题紧急召回

三星18nm PC存储器良率出问题紧急召回

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2019-11-27 10:15:344852

三星推出eUFS 3.1存储器,传输速度极快

3月18日,据韩国媒体报道,三星电子已经开始批量生产一种512GB的eUSF 3.1高速智能手机存储器,该存储器能够在4秒内存储5GB内容,相当于一部蓝光电影。
2020-03-20 10:51:281830

三星的8nm工艺即将面临产能/问题

NVIDIA的RTX 30系列显卡现在已经有RTX 3090/3080/3070款显卡上市了,它们都使用三星的8nm工艺生产,后续还有RTX 3060 Ti、RTX 3060、RTX 3080 Ti等显卡,也不会如传闻那样使用台积电7nm,还是8nm工艺。
2020-11-17 10:05:434074

三星丢失大客户高通,3nm工艺量产能否如期而至

电子发烧友网报道(文/李弯弯)三星在3nm领先台积电的愿望又要落空了。据外媒日前报道,因为担心三星过低,大客户高通已将3nm AP处理代工订单交给台积电。
2022-03-01 09:16:591676

三星电子3nm良品率才10%-20%,大大低于预期

三星基于GAA晶体管的3nm工艺远低于预期,三星电子3nm制程工艺的良品率,才到10%-20%,远不及公司期望的目标。
2022-04-20 10:43:132740

三星3纳米代工成本如何?3纳米GAA制程仅20%!

从一些公开的信息来看,三星看似在3nm制程节点上先行一步,但实际生产也难尽人意。 据悉,三星电子3纳米芯片首家客户是来自中国的半导体企业PanSemi(磐矽半导体),后者据称是一家专门生产比特币挖矿机芯片的公司。
2022-11-29 15:22:071630

芯片制程到3nm后如何突破难题?

芯片晶圆代工产品举行了出厂仪式。才过4个月不到,韩国媒体Naver就爆出,三星3nm制程的非常低,不足20%。而且其5nm和4nm节点的问题也迟迟没有得到改善。 其实,三星电子从2000年初就已经开始了对GAA晶体管结构的研究。自2017年开始,将其正式应用到3纳米工艺,并于今年6月宣
2022-11-30 07:15:081455

三星3nm已经超过台积电?

目前三星在4nm工艺方面的为75%,稍低于台积电的80%。然而,通过加强对3nm技术的发展,三星有望在未来赶超台积电。
2023-07-19 16:37:424327

三星3nm GAA完整晶圆遭遇难产,仅50%

三星向中国客户提供了第一个3nm gaa,但新的报告显示,这些芯片的实际形态并不完整,缺乏逻辑芯片的sram。据悉,由于很难生产出完整的3纳米gaa晶片,因此三星转包工厂的收益只有台湾产产的50%。3nm gaa虽然比finfet优秀,但在生产效率上存在问题。
2023-10-12 10:10:201487

三星突破4nm制程瓶颈,台积电该有危机感了

三星已将4nm制程提升到了70%左右,并重点在汽车芯片方面寻求突破。特斯拉已经将其新一代FSD芯片交由三星生产,该芯片将用于特斯拉计划于3年后量产的Hardware 5(HW 5.0)计算机。
2023-12-01 10:33:453358

三星研发一种用于提高半导体和产能的“智能传感系统”

12月26日消息,据韩媒 ETNews 报道,三星电子正在开发自己的“智能传感系统”,用于对半导体工艺的控制和管理。这项新技术有望提高半导体、提高生产
2023-12-28 10:32:081833

三星正在研发新型LLW DRAM存储器

近日,三星宣布正在研发一种新型的LLW DRAM存储器,这一创新技术具有高带宽和低功耗的特性,有望引领未来内存技术的发展。
2024-01-12 14:42:031225

三星3nm 0%!

来源:EETOP,谢谢 编辑:感知芯视界 Link 近期韩媒DealSite+报道,表示三星的3nm GAA生产工艺存在问题,在尝试生产适用于Galaxy S25 /S25+手机的Exynos
2024-02-04 09:31:131431

三星电子3nm工艺低迷,始终在50%左右徘徊

据韩国媒体报道称,三星电子旗下的3纳米工艺品比例仍是一个问题。报道中仅提及了“3nm”这一笼统概念,并没有明确指出具体的工艺类型。知情者透露,尽管有部分分析师认为其已经超过60%
2024-03-07 15:59:191611

三星3纳米不足60%

三星近年来在半导体制造领域持续投入,并力争在先进制程技术上取得突破。然而,据韩媒报道,三星在3纳米制程上的问题似乎仍未得到有效解决,这对其在市场上的竞争力构成了一定的挑战。 据百能云芯电子.元
2024-03-11 16:17:051032

三星电子:加快2nm和3D半导体技术发展,共享技术信息与未来展望

在技术研发领域,三星电子的3nm与2nm工艺取得显著进步,预计本季度内完成2nm设计基础设施的开发;此外,4nm工艺的亦逐渐稳定。
2024-04-30 16:16:461146

三星电子12nm级DRAM内存不足五成

近日,据韩国媒体报道,三星在其1b nm(即12nm级)DRAM内存生产过程中遇到了不足的挑战。目前,该制程的仍低于业界一般目标的80%~90%,仅达到五成左右。为了应对这一局面,三星已在上月成立了专门的工作组,致力于迅速提升
2024-06-12 10:53:411408

三星第五代DDR产品不达标

据报道,三星电子在最新的半导体技术探索中遭遇了挑战。其第五代10nm级(1b)制程DRAM的尚未达到业界通常期望的80%~90%的水平,这一状况引发了业界的广泛关注。
2024-06-13 09:41:181485

三星3nm芯片低迷,量产前景不明

近期,三星电子在半导体制造领域遭遇挑战,其最新的Exynos 2500芯片在3nm工艺上的生产持续低迷,目前仍低于20%,远低于行业通常要求的60%量产标准。这一情况引发了业界对三星半导体制造能力的质疑,同时也使得该芯片未来能否顺利应用于Galaxy S25系列旗舰智能手机充满了不确定性。
2024-06-24 18:22:362240

三星电子:18FDS将成为物联网和MCU领域的重要工艺

相变存储器(ePCM)。   在FD-SOI领域,三星已经深耕多年,其和意法半导体之间的合作也已经持续多年。早在2014年,意法半导体就曾对外宣布,选择三星28nm FD-SOI工艺来量产自己的产品
2024-10-23 11:53:05990

三星重启1b nm DRAM设计,应对与性能挑战

近日,据韩媒最新报道,三星电子在面对其12nm级DRAM内存产品的和性能双重困境时,已于2024年底作出了重要决策。为了改善现状,三星决定在优化现有1b nm工艺的基础上,全面重新设计新版1b
2025-01-22 14:04:071411

三星1c nm DRAM开发里程碑延期

据韩媒MoneyToday报道,三星电子已将其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM内存开发的里程碑时间从原定的2024年底推迟至2025年6月。这一变动可能对三星在HBM4
2025-01-22 14:27:241109

三星电子1c nm内存开发里程碑推迟

据韩媒报道,三星电子已将其1c nm DRAM内存开发的里程碑时间推迟了半年。原本,三星计划在2024年底将1c nm制程DRAM的提升至70%,以达到结束开发工作、顺利进入量产阶段的要求。然而,实际情况并未如愿。
2025-01-22 15:54:191002

三星否认重新设计1b DRAM

据DigiTimes报道,三星电子对重新设计其第五代10nm级DRAM(1b DRAM)的报道予以否认。 此前,ETNews曾有报道称,三星电子内部为解决12nm级DRAM内存产品面临的和性能
2025-01-23 10:04:151361

三星宣布大规模汽车召回计划

近日,三星宣布了一项大规模的汽车召回计划,此次召回涉及福特、奥迪以及Stellantis旗下的共计180,196辆汽车。这些车辆因搭载了存在故障风险的三星高压电池组,有可能导致火灾事故的发生,因此被
2025-02-10 09:32:131352

三星3nm仅20%,仍不放弃Exynos 2500处理,欲打造“十核怪兽”

,导致Exynos 2500不佳的原因是,这颗SoC基于三星第二代3nm GAA制程工艺——SF3工艺,然而目前第二代SF3工艺的仅为20%。   三星第二代SF3工艺进展不如预期 今年初,有知情人士向韩媒透露,三星已经开始试产自己第二代SF3工艺,被视为该公司发展的一大里程碑
2024-06-25 00:04:004952

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