长江存储二期开建产能规划月20万片 三星致力于提升NAND 生产良率

编者按：在存储产品竞争中，三星已经在制程和产能上领先，三星最新成立芯片专家组，以提高闪存芯片的生产良率。最新报道，中国长江存储二期正式开建，国家存储器基地项目总投资达240亿美元。其中，一期主要实现技术突破，并建成10万片/月产能；二期规划产能20万片/月

6月20日上午，以长江存储二期厂房为施工主体的国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区未来科技城国家存储器基地建设工地开工建设。

在开工仪式上，紫光集团兼长江存储公司董事长赵伟国介绍了项目情况。

他表示，国家存储器基地项目一期开工建设以来，从一片荒芜之地变成了一座世界领先的存储器芯片工厂，实现了技术水平从跟跑到并跑的跨越。

国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设，计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。

项目一期于2016年底开工建设，进展顺利，32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产，并成功研制出目前业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量的128层闪存芯片。

国家存储器基地项目总投资达240亿美元。其中，一期主要实现技术突破，并建成10万片/月产能；二期规划产能20万片/月，两期项目达产后月产能共计30万片。

三星成立芯片专家团队 提升NAND生产良率

据韩媒Sammobile报道，这家芯片巨头已经成立了一个专家组，以提高其闪存芯片的生产良率。

该小组有来自三星设备解决方案 (SDS) 制造技术中心的专家、以及负责NAND闪存生产的高管。新的团队将解决芯片生产过程中出现的任何问题，并实施提高整个流程生产效率的步骤。

目前在128层V-NAND闪存芯片生产方面，三星面临着英特尔和YMTC (长江存储) 等公司的激烈竞争，因此公司希望确保工艺是行业内最高效的，并提高生产良率。公司还在投资扩大闪存芯片的产能。

三星采用了通道孔蚀刻技术，从上到下穿孔叠加128层。这提供了层与层之间的电连接。层数越高，闪存容量越大。单堆叠法表示一次穿孔的工艺，三星在生产第6代NAND闪存芯片时采用了这种方法，以提高价格竞争力。还有一种双层叠加法，就是分两步穿孔，但成本高达30%以上。

据称，与穿透96层NAND闪存芯片相比，穿透128层NAND闪存芯片所需的时间是其两倍。三星的新任务组将努力克服尽可能多的限制，形成更大的技术壁垒。这是三星“Super Gap”计划中的重要一环，希望通过巨大技术优势让竞争对手无法追赶。

本文资料来自网易科技和全球闪存市场微信，本文整理发布。