内外因素双驱动 三星电子成功抢占存储器市场

          自1980年代之后，韩国半导体业才开始跨越式的进步，三星在1983年开始筹备集成电路制造，也即DRAM的研发。

　　三星电子在存储器方面的成功,有外在因素，如韩国政府的大力支持，以及美国对于日本半导体的反倾销策略等，显然三星电子内在因素起着决定性的作用。

　　三星半导体的启步

　　韩国半导体在1974年才开始启步,那时韩国正在推行一种叫“新社会运动”。韩国半导体工业的第一个fab,叫韩国半导体Puchon厂,建于1974年10月。由于开张就面临财务危机，同年12月,仅生存三个月,就被李健熙(LeeKunhe)主席的私人投资兼并,后被并入三星中。

　　自1980年代之后,韩国半导体业才开始跨越式的进步，三星在1983年开始筹备集成电路制造,也即DRAM的研发。

　　64K DRAM的研发成功,对于韩国半导体业具有里程碑意义,也是迈向全球存储器强国的第一步。在那时三星电子的科研工作者,日以继夜,努力追赶,放弃一切节假日休息,靠的是一股精神及志气。

　　在64K DRAM研发中，韩国非常清楚自已与先进国家之间的技术(1.5微米)差距为4年半，需要一步一步地追赶，在256K DRAM(1.2微米)时这个差距己缩短为3年。在1989年10月时三星已经成功开发出16M DRAM(采用0,25微米技术),它己领先于全球任何一家制造商。

　　也即三星电子从1983年开发存储器,到1989年的16M DRAM研发成功,仅利用6年的时间,前进了5代DRAM的技术,使三星电子一跃成为全球最先进的存储器制造商。

　　三星电子从1983年开始DRAM的研发，其中1987年就实现第一次盈利，一直到1993年16M DRAM的量产,奠定了它在全球存储器霸主的地位。

　　它最为关键的决策是三星在1993年时就大胆地投资兴建8英寸硅片生产线来生产DRAM。在当时全球6英寸硅片是主流地位,如英特尔与台积电分别于1992年及1996年才兴建它们的第一条8英寸生产线。因为当时投资一条8英寸生产线的费用高达10000亿韩元(相当于10亿美元以上)风险是很大。

　　199年是韩国半导体工业的转折点,三星首先发布全球首块256M DRAM。当时256M DRAM意味着在手指甲大小的芯片上集成2.56亿个晶体管及2.56亿个电容。

　　为了超过日本半导体,三星电子在开发64M DRAM的同时就己经组建256M DRAM研发团队。70位研究人员在Hwan Chang-Kyu领导下努力奋战,经过两年的努力终于在1994年8月29日研制成功全球第一块256M DRAM芯片。

　　非常有兴趣的是第一批样品就实现了全功能，所以检验及测量的次数反复达10次之多，生怕有误差。由此奠定了在存储器方面韩国超过日本的基础。