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电子发烧友网>制造/封装>工艺综述>

台积电2nm制程良率已超60%

据外媒wccftech的报道,台积电2nm制程取得了突破性进展;苹果的A20芯片或成首发客户;据Wccftech的最新消息显示,台积电公司已启动2nm测试晶圆快速交付计划,当前试产良率突破60%大关,较三个...

2025-03-24 标签:台积电2nm 1581

罗彻斯特电子为传统MC68000系列产品提供复产解决方案

为关键元器件延长寿命 关于Okuma Corporation OKUMA是计算机数控(CNC)机床、控制器和自动化系统的全球领导者。 该公司成立于1898年,总部位于日本名古屋,是业内唯一能单独提供一整套CNC机床、控...

2025-03-18 标签:罗彻斯特mc68000罗彻斯特 1855

曝三星已量产第四代4nm芯片

据外媒曝料称三星已量产第四代4nm芯片。报道中称三星自从2021年首次量产4nm芯片以来,每年都在改进技术。三星现在使用的是其最新的第四代4nm工艺节点(SF4X)进行大规模生产。第四代4nm工艺...

2025-03-12 标签:4nm三星 13596

美报告:中国芯片研究论文全球领先

据新华社报道,美国乔治敦大学“新兴技术观察项目(ETO)”3日在其网站发布一份报告说,2018年至2023年间,在全球发表的芯片设计和制造相关论文中,中国研究人员的论文数量远超其他国家,...

2025-03-05 标签:芯片芯片设计芯片制造 1989

芯波微电子持续拓展400G多模光模块产品

芯波微电子持续拓展400G多模光模块产品

芯波微电子的两款400G产品近日分别测得一流性能。这两款产品包括一款用于400G多模光模块的TIA芯片XB1552(通道间距250um),和一款400G VCSEL激光驱动器芯片XB2551L。这样,芯波微电子400G产品家族...

2025-03-03 标签:光模块芯波微电子 2348

三安意法重庆8英寸碳化硅项目正式通线 将在2025年四季度实现批量生产

2月27日,三安光电与意法半导体在重庆合资设立的安意法半导体碳化硅晶圆厂正式通线。预计项目将在2025年四季度实现批量生产,这将成为国内首条8英寸车规级碳化硅功率芯片规模化量产线,...

2025-02-27 标签:晶圆衬底碳化硅三安光电意法半导件 6038

调查称韩国半导体技术全面落后中国

根据韩国科技评估与规划研究院(KISTEP)发布的一份调查报告显示韩国半导体技术全面落后中国。KISTEP针对39名韩国国内专家实施问卷调查的结果显示,截至去年,若将技术最先进国家的水平设...

2025-02-24 标签:半导体 1566

台积电4nm芯片量产

据台湾《联合报》的消息,美国商务部长雷蒙多近日对英国路透社透露,台积电最近几周已开始在美国亚利桑那州厂为美国客户生产先进的4纳米芯片。雷蒙多表示这是美国史上首度在本土由美...

2025-01-13 标签:台积电4nm 1731

晶合集成全资子公司皖芯集成大手笔 晶圆大厂引资95.5亿

近日,晶合集成发布公告,宣布与十五家外部投资者就向全资子公司皖芯集成增资事宜签署了增资协议,且协议条款保持一致。这一举动不仅彰显了市场对晶合集成及其子公司皖芯集成的强烈信...

2025-01-22 标签:半导体晶圆晶合集成 1984

SMT来料质检:确保电子生产质量的关键

SMT来料质检:确保电子生产质量的关键

来料检验是SMT组装品质控制的首要环节,对确保最终产品质量至关重要。严格检验原材料可以避免不合格品影响公司声誉及造成经济损失,如返修、返工和退货等。因此,在接收物料时,应依据...

2025-01-07 标签:元器件smtDFMPCB 4197

安森美解读SiC制造都有哪些挑战?粉末纯度、SiC晶锭一致性

安森美解读SiC制造都有哪些挑战?粉末纯度、SiC晶锭一致性

硅通常是半导体技术的基石。然而,硅也有局限性,尤其在电力电子领域,设计人员面临着越来越多的新难题。解决硅局限性的一种方法是使用宽禁带半导体。 本文为白皮书第一部分,将重点...

2025-01-05 标签:安森美SiCGaN碳化硅宽禁带半导体 2797

QFN封装和DFN封装有何区别?

DFN封装和QFN封装作为技术先进的芯片封装形式,具有许多共同点。首先,它们都属于无引脚表面贴装封装结构,这使得它们在现代电子制造中具有极高的集成度和灵活性。...

2024-12-30 标签:封装QFN封装DFN封装QFN封装封装 5004

芯片军备竞赛:韩国打造全球最大半导体中心

韩国政府近日提前三个月批准了龙仁半导体国家工业园区的建设计划,这一举措将大幅缩短项目规划时间,标志着韩国在全球半导体产业中的地位再次得到加强。...

2024-12-30 标签:芯片半导体SK海力士三星SK海力士三星半导体芯片 1805

韩媒消息称三星“洗牌”半导体封装供应链

12 月 25 日消息,韩媒 ETNews 今天(12 月 25 日)发布,三星正计划“洗牌”先进半导体封装供应链,将从根本上重新评估材料、零部件和设备,影响开发到采购各个环节,从而进一步增强技术竞...

2024-12-25 标签:封装半导体封装三星 1897

现代汽车解散半导体战略部门,原计划自研5nm芯片

据报道,现代汽车集团已解散其半导体战略集团,该集团是一个关键部门,负责推动公司内部开发汽车半导体,以减少对外部供应商的依赖。作为更广泛重组的一部分,其职能和人员正在被重新...

2024-12-25 标签:半导体现代汽车自动驾驶 1254

依托Chiplet&高性能RDMA,奇异摩尔斩获全国颠覆性技术创新大赛(未来制造领域赛)优胜奖

依托Chiplet&高性能RDMA,奇异摩尔斩获全国颠覆性技术创新大赛(未来制造

    近日,第十三届中国创新创业大赛颠覆性技术创新大赛(未来制造领域赛)获奖结果出炉,奇异摩尔参赛项目【基于Chiplet+RDMA技术的下一代万卡AI集群的全栈式互联解决方案】荣获优胜奖。...

2024-12-19 标签:RDMA算力chiplet奇异摩尔 2461

安世半导体CCPAK1212封装再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表现

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。这些产品均采用创新型铜夹片CCPAK1212封装,具有业内领先的功率密度和优越性能。 创新型铜...

2024-12-12 标签:MOSFET功率MOSFETNexperia安世半导体 5028

三星电子将扩大苏州先进封装工厂产能,强化半导体封装业务

据 Business Korea 周二报道,行业消息称三星电子正在扩大国内外投资,以强化其先进半导体封装业务。封装技术决定了半导体芯片如何适配目标设备,而对于 HBM4 等下一代高带宽存储(HBM)产品...

2024-11-25 标签:半导体三星电子封装先进封装 1722

芯火三十年:根芽时代(2000-2010)

芯火三十年:根芽时代(2000-2010)

芯片烈火,燎原三十年...

2024-11-20 标签:芯片半导体 3140

4511.6亿元,多款国产传感器打破垄断 无锡 中国芯片第二城

4511.6亿元,多款国产传感器打破垄断 无锡 中国芯片第二城

    C919大型客机是我国首次按照国际通行适航标准自行研制、具有自主知识产权的喷气式干线客机,在2007年立项,并于2017年首飞。资料显示,C919的国产化率大概在5~6成,其中,航电、电气系...

2024-11-21 标签:传感器mems智能传感器 2676

东南大学:研发有序介孔TMDs/MOs半导体异质结室温NO2传感

东南大学:研发有序介孔TMDs/MOs半导体异质结室温NO2传感

二维过渡金属硫族化合物(TMDs)半导体材料因其可调的带隙和高效的载流子输运而被广泛应用于界面反应和电子器件。然而,块体样品或堆叠的纳米片中缺乏完全暴露的活性位点限制了它们的...

2024-10-23 标签:半导体东南大学复合材料 2100

一文了解硅通孔(TSV)及玻璃通孔(TGV)技术

一文了解硅通孔(TSV)及玻璃通孔(TGV)技术

按照封装的外形,可将封装分为 插孔式封装 、 表面贴片式封装 、 BGA 封装 、 芯片尺寸封装 (CSP), 单芯片模块封装 (SCM,印制电路板(PCB)上的布线与集成路(IC)板焊盘之间的缝隙匹配), 多芯片...

2024-10-14 标签:半导体TSV硅通孔3D封装 5139

集成电路的互连线材料及其发展

尤其是当电路的特征尺寸越来越小的时候,互连线引起的各种效应是影响电路性能的重要因素。本文阐述了传统金属铝以及合金到现在主流的铜以及正在发展的新型材料———碳纳米管作为互连...

2024-11-01 标签:集成电路封装碳纳米管互连线材料封装碳纳米管集成电路 3421

预镀框架铜线键合的腐蚀失效分析与可靠性

预镀框架铜线键合的腐蚀失效分析与可靠性

集成电路预镀框架铜线键合封装在实际应用中发现第二键合点失效,通过激光开封和横截面分析,键合失效与电化学腐蚀机理密切相关。通过 2 000 h 高温存储试验和高温高湿存储试验,研究预镀...

2024-11-01 标签:封装可靠性分析失效分析键合 3848

铝带键合点根部损伤研究

铝带键合点根部损伤研究

潘明东 朱悦 杨阳 徐一飞 陈益新 (长电科技宿迁股份公司) 摘要: 铝带键合作为粗铝线键合的延伸和发展,键合焊点根部损伤影响了该工艺的发展和推广,该文简述了铝带键合工艺过程,分...

2024-11-01 标签:封装键合 3453

皮秒激光器优化碳化硅划刻

皮秒激光器优化碳化硅划刻

在切割脆性 SiC 晶片时,必须减少或完全消除机械锯切的边缘崩裂现象。单晶切割还应将材料的机械变化降至最低。同时还应优先考虑最大限度地减小切口宽度,以限制“空间”尺寸(即相邻电...

2024-09-11 标签:激光器SiC碳化硅 2304

硅通孔三维互连与集成技术

硅通孔三维互连与集成技术

本文报道了硅通孔三维互连技术的核心工艺以及基于TSV形成的众多先进封装集成技术。形成TSV主要有Via-First、Via-Middle、Via-Last 3大技术路线。TSV 硅刻蚀、TSV 侧壁钝化、TSV 电镀等工艺是TSV技术的...

2024-11-01 标签:封装TSV硅通孔3D封装3D封装TSVwlcsp封装硅通孔 5685

芯片堆叠封装技术实用教程(52页PPT)

芯片堆叠封装技术实用教程(52页PPT)

芯片堆叠封装技术实用教程...

2024-11-01 标签:封装封装技术芯片堆叠 4426

浅谈薄膜沉积

薄膜沉积工艺技术介绍 薄膜沉积是在半导体的主要衬底材料上镀一层膜。这层膜可以有各种各样的材料,比如绝缘化合物二氧化硅,半导体多晶硅、金属铜等。从半导体芯片制作工艺流程来说...

2024-11-01 标签:半导体封装衬底晶圆制造 4858

金线键合工艺技术详解(69页PPT)

金线键合工艺技术详解(69页PPT)

金线键合工艺技术详解(69页PPT)...

2024-11-01 标签:封装键合 3621

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