陆芯：单管IGBT-YGQ100N65FP 650V 100A TO247-PLUS
上海陆芯电子科技有限公司拥有最新一代Trench Field-Stop技术的400V 200A~400A系列IGBT、650V 5A~200A系列IGBT、1200V&1350V 10A~100A系列IGBT，1700V系列IGBT，Hybrid系列IGBT，中压SGT MOS等多个系列产品；性能优异，可靠性和稳定性高，广泛应用于新能源电动汽车、电机驱动领域、高频电源领域、感应加热等领域。
上海陆芯的产品（IGBT、Hybrid、SGT MOS、FRD）包括芯片、单管和模块，具有以下技术优势：
1.优化耐压终端环，实现IGBT高阻断电压，达到工业级和汽车级可靠性标准；
2.控制少子寿命，优化饱和压降和开关速度，实现安全工作区（SOA）和短路电流安全工作区SCSOA性能最优；
3.改善IGBT有源区元胞设计可靠性，抑制IGBT的闩锁效应；
4.调节背面减薄、注入、退火、背金等工艺；实现60um~180um晶圆厚度的大规模量产。
单管IGBT-YGQ100N65FP 650V 100A TO247-PLUS
用于：逆变器/UPS/储能/焊机
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
IGBT
+关注
关注
1291文章
4452浏览量
264380
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
onsemi 650V、30A AFGB30T65RQDN IGBT：汽车应用的理想之选
onsemi 650V、30A AFGB30T65RQDN IGBT：汽车应用的理想之选 在汽车电子领域，IGBT（绝缘栅双极晶体
探索AFGHL75T65SQ：650V、75A场截止沟槽IGBT的卓越性能
探索AFGHL75T65SQ：650V、75A场截止沟槽IGBT的卓越性能 在电子工程领域，IGBT（绝缘栅双极晶体
onsemi AFGHL75T65SQDT：650V、75A场截止沟槽IGBT的高效之选
安森美（onsemi）的AFGHL75T65SQDT，一款650V、75A的场截止沟槽IGBT（绝缘栅双极型晶体管），看看它有哪些特性和应用
Onsemi FGAF40S65AQ：650V、40A场截止沟槽IGBT的深度剖析
Onsemi FGAF40S65AQ：650V、40A场截止沟槽IGBT的深度剖析 作为电子工程师，在设计功率转换电路时，IGBT（绝缘栅双
FGH50T65UPD 650V、50A 场截止沟道 IGBT：设计利器详解
FGH50T65UPD 650V、50A 场截止沟道 IGBT：设计利器详解 一、引言 在电子工程领域，IGBT（绝缘栅双极晶体
FGH75T65SHD 650V, 75A 场截止沟槽 IGBT 深度解析
FGH75T65SHD 650V, 75A 场截止沟槽 IGBT 深度解析 在电子工程领域，IGBT（绝缘栅双极晶体
650V、75A IGBT FGH75T65SHDTL4：性能卓越的功率器件
650V、75A IGBT FGH75T65SHDTL4：性能卓越的功率器件 在电子工程师的日常设计工作中，选择合适的功率器件至关重要。今天要介绍的是安森美（onsemi）推出的一款
FGHL50T65MQD：650V、50A场截止沟槽IGBT的技术解析
FGHL50T65MQD：650V、50A场截止沟槽IGBT的技术解析 在电力电子领域，IGBT（绝缘栅双极型晶体
FGHL40T65MQDT：650V、40A场截止沟槽IGBT应用指南
FGHL40T65MQDT：650V、40A场截止沟槽IGBT应用指南 在电子设计的领域中，功率半导体器件的性能直接影响到整个系统的效率和稳定性。今天，我们就来深入探讨一下
FGHL75T65MQD：650V、75A场截止沟槽IGBT深度解析
FGHL75T65MQD：650V、75A场截止沟槽IGBT深度解析 在电子工程师的日常工作中，IGBT（绝缘栅双极型晶体
FGY100T65SCDT：650V、100A场截止沟槽IGBT的技术解析与应用
FGY100T65SCDT：650V、100A场截止沟槽IGBT的技术解析与应用 在电子设计领域，IGBT（绝缘栅双极型晶体
陆芯科技正式推出YGJ75N65FSA1内绝缘IGBT单管
陆芯科技正式推出内绝缘IGBT单管，产品型号为YGJ75N65FSA1。产品采用LUXIN FS
评论