2022 年 5 月 18日，中国 – 意法半导体的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N沟道超结多漏极功率MOSFET晶体管非常适用于设计数据中心服务器、5G基础设施、平板电视机的开关
2022-05-19 10:50:42
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2022 年 6 月 23 日，中国 – 意法半导体40V MOSFET晶体管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低导通电阻和开关损耗，同时优化体寄生二极管特性，降低功率转换
2022-06-24 09:57:452122 
意法半导体(STMicroelectronics，简称ST) 推出首款完全符合卫星和运载火箭电子子系统质量要求的功率系列产品。全新抗辐射功率MOSFET系列产品的额定输出电流为6A至80A，由5款N沟道和P沟道产
2011-06-15 08:49:081736 在高功率应用中，碳化硅(SiC)MOSFET与硅(Si)IGBT相比具有多项优势。其中包括更低的传导和开关损耗以及更好的高温性能。
2023-09-11 14:55:311566 
意法半导体新IH系列器件属于意法半导体针对软开关应用专门优化的沟栅式场截止（TFS） IGBT产品家族，适用于电磁炉等家电以及软开关应用的半桥电路，现在产品设计人员可以选用这些IGBT，来达到更高的能效等级。
2019-03-27 16:05:333437 为了更方便的转型到高能效的宽禁带半导体技术，意法半导体发布了MasterGaN3*和 MasterGaN5两款集成功率系统封装，分别面向高达 45W 和 150W的功率变换应用。
2021-08-30 10:22:452334 
2022 年 9 月 13日，中国 —— 意法半导体发布了两款采用主流配置的内置1200V 碳化硅(SiC) MOSFET的STPOWER电源模块。两款模块都采用意法半导体的ACEPACK 2 封装
2022-09-13 14:41:19976 
2023 年 5 月 24 日，中国 —— 意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM
2023-05-26 14:11:201210 
意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范，具体而言，低压MOSFET必须耐受高温和高尖峰电流。
2019-08-09 07:28:08
的影响更明显。（3）降低米勒电压，也就是降低阈值开启电压同时提高跨导，也可以提高开关速度，降低开关损耗。但过低的阈值电压会使MOSFET容易受到干扰误导通，而跨导和工艺有关。
2017-03-06 15:19:01
功率放大器以及商用和工业系统的功率放大器。意法半导体与远创达的合作协议将扩大意法半导体LDMOS产品的应用范围。协议内容保密，不对外披露。 相关新闻MACOM和意法半导体将硅上氮化镓推入主流射频市场
2018-02-28 11:44:56
新产品的集成功率级都采用意法半导体RDS（ON）仅为500mΩ的专有MOSFET，高能效和经济性兼备。STSPIN840的电桥输出可以单独使用或并联，这有助于降低多电机驱动应用的物料清单成本。高功能集度
2018-08-29 13:16:07
• 意法半导体嵌入式软件包集成Sigfox网络软件，适用于各种产品，按照物联网应用开发人员的需求专门设计 • 使用STM32微控制器、超低功耗射频收发器、安全单元、传感器和功率管理器件，加快
2018-03-12 17:17:45
▌峰会简介第五届意法半导体工业峰会即将启程，现我们敬邀您莅临现场，直击智能热点，共享前沿资讯，通过意法半导体核心技术，推动加快可持续发展计划，实现突破性创新~报名链接：https
2023-09-11 15:43:36
和精确度。 该主板具充足的运算能力，能够处理复杂的数据集，例如，意法半导体先进6轴惯性模块输出的OIS / EIS（光学或电子防抖）数据， 以及简单的传感器读数，例如，气压表、加速计或陀螺仪数据。 该主板
2018-05-22 11:20:41
、ETSI 和 ARIB 规范。新IC电路元件是采用意法半导体的集成无源器件(IPD)技术制造在玻璃衬底上，这样设计可以最大限度地减少信号插入损耗，性能优于采用分立元件构建的电路。在同一芯片上集成所有
2023-02-13 17:58:36
中国，2018年4月10日 ——意法半导体的STLQ020低压差（LDO）稳压器可以缓解在静态电流、输出功率、动态响应和封装尺寸之间权衡取舍的难题，为设计人员带来更大的自由设计空间。集小尺寸、高性能
2018-04-10 15:13:05
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM） 推出汽车级六轴惯性传感器ASM330LHH ，为先进的车载导航
2018-07-17 16:46:16
`中国，2018年6月22日——意法半导体的VIPer11离线转换器内置800V耐雪崩MOSFET，可帮助设备制造商设计更耐用的辅助电源和电源适配器，其26Vdc漏极启动电压允许超宽的线路输入电压
2018-06-25 11:01:49
。在负载较低时，为最大限度地提高能效，STCH03进入准谐振模式（ZVS），通过检测变压器退磁来控制零电压开关操作。检测电路还提供电压前馈控制功能，以确保恒流调整的精确度。STCH03将运行电流维持在
2018-07-13 11:35:31
STM32* 微控制器上开发先进的高能效电机驱动器的难度。此举为空调、家电、无人机、楼宇自动化、机床、医疗设备、电动车等产品设备工程师研发先进电机驱动带来更多机会，而且无需专门的研发经验。基于意法半导体上一代
2018-03-22 14:30:41
和RAM）。例如，对于内存来说太大的单个层可以分为两个步骤。之前的MLPerf Tiny结果显示，与标准CMSIS-NN分数相比，意法半导体的推理引擎（Arm的CMSIS-NN的优化版本）具有性能优势。STM32CubeAI开发云还将支持意法半导体即将推出的微控制器，包括内部开发的NPU，即STM32N6。
2023-02-14 11:55:49
中国，2018年8月1日——意法半导体的FDA803D 和FDA903D汽车级数字输入音频放大器功能丰富，有助于简化系统集成，最大限度提高车载信息服务及紧急呼叫设备和混动/电动汽车声学提示系统
2018-08-02 15:33:58
中国，2018年7月16日——意法半导体STEF01可编程电子熔断器集成低导通电阻RDS(ON) 的VIPower™MOSFET功率管，在8V到48V的宽输入电压范围内，能够维持高达4A的连续电流
2018-07-16 16:51:13
www.st.com/evalsp820。原贴地址 https://www.stmcu.com.cn/news/777相关新闻意法半导体高能效单片三相三路电流检测BLDC驱动器：延长便携设备和物联网产品
2018-06-11 15:16:38
。无论是在最大亮度还是调光模式，控制器均可确保电压转换和电流控制电路拥有很高的能效，最大限度地延长电池的使用寿命。此外，每个通道的电流匹配度非常精确，从而可确保背光亮度保持一致，进一步提高
2011-11-24 14:57:16
利用双电机无传感器磁场定向控制（FOC）和有源功率因素校正（PFC），实现空调电机控制提高能效和降低系统成本是促使现代电机控制技术发展的推动力量，这些技术广泛应用于各种风扇、泵机、压缩机或减速电机
2018-12-04 09:54:53
使用绝缘栅双极晶体管（IGBT）。但随着半导体技术的进步，碳化硅 （SiC） 金属氧化物半导体场效应晶体管 （MOSFET） 能够以比 IGBT 更高的频率进行开关，通过降低电阻和开关损耗来提高
2022-11-02 12:02:05
2a）可以减少桥损耗，采用交错式PFC（图2b）可以满足较高功率应用的要求，以提升PFC能效。此外，还可以利用IC技术减少开关损耗，并利用更优化的拓扑结构来减少EMI滤波器损耗。 采用安森美半导体
2011-12-13 10:46:35
随着现代微控制器和SoC变得越来越复杂，设计者面临着最大化能源效率，同时实现更高水平的集成。最大限度地提高能量在低功耗SoC市场中，多个功率域的使用被广泛采用。在
同时，为了解决更高级别的集成，许多
2023-08-02 06:34:14
电子、汽车和无线基站项目意法半导体获准使用MACOM的技术制造并提供硅上氮化镓射频率产品预计硅上氮化镓具有突破性的成本结构和功率密度将会实现4G/LTE和大规模MIMO 5G天线中国，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
引言 如今，客户要求产品不但节能，还要体积更小，从而推动功率转换行业向前发展。交流/直流和直流/直流转换器拓扑的不断发展，改善了转换器效率。功率MOSFET是功率转换器的核心部件，是设计高能效产品
2018-12-07 10:21:41
的功率型分立器件针对软开关谐振和硬开关转换器进行了优化，可最大限度提高低功率和高功率应用的系统效率。基于氮化镓的最新产品具备更高的能源效率，并支持面向广泛的应用提供更紧凑的电源设计。
2023-09-07 06:49:47
Degauque表示：“意法半导体高射频性能的NFC方案最大限度地提高了工程师在新产品设计时的自由空间和灵活度。通过充分利用这一灵活性， NFC在Alcatel 3V智能手机上的集成过程被有效简化
2018-06-11 15:22:25
智能电表芯片单片集成开发智能电表所需的全部重要功能，能够满足多个智能电网市场的需求。这些电表连接消费者和供电公司，提供实时电能计量和用电数据分析功能。意法半导体亚太区功率分立器件和Sub Analog
2018-03-08 10:17:35
MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析，有利于优化MOSFET损耗，提高模块电源的功率;但是一味的减少MOSFET的损耗及其他方面的损耗
2019-09-25 07:00:00
直接影响转换器的体积、功率密度和成本。 然而，所使用的半导体开关远非理想，并且由于开关转换期间电压和电流之间的重叠而存在开关损耗。这些损耗对转换器工作频率造成了实际限制。谐振拓扑可以通过插入额外的电抗
2023-02-21 16:01:16
最大限度地降低了动态损耗，提高了总体能效，特别是在从数百kHz至MHz不等的较高工作频率下。为了实现高压开关的零电压开关（ZVS）工作，这三种拓扑都利用变压器中的循环电流来进行开关QOSS放电。显然
2022-04-12 11:07:51
最大限度地降低了动态损耗，提高了总体能效，特别是在从数百kHz至MHz不等的较高工作频率下。为了实现高压开关的零电压开关（ZVS）工作，这三种拓扑都利用变压器中的循环电流来进行开关QOSS放电。显然
2022-06-14 10:14:18
描述 此项 25W 的设计在反激式拓扑中使用 UCC28740 来最大限度降低空载待机功耗，并使用 UCC24636同步整流控制器来最大限度减少功率 MOSFET 体二极管传导时间。此设计还使用来
2022-09-23 06:11:58
条件下实现高能效，是达到这个市场需求的关键要素，同时也是半导体厂商研发新技术的动力。 因为过去几年技术改良取得较大进步，意法半导体最新的功率MOSFET技术可以成功地替代变频电机控制器的IGBT开关
2018-11-20 10:52:44
最大限度提高Σ-Δ ADC驱动器的性能
2021-01-06 07:05:10
在本文中，我们将解释针对不同的应用和工作条件仔细选择IGBT变体如何提高整体系统效率。IGBT模块中的损耗大致可分为两类：传导开关众所周知，对于特定电压下的任何给定过程，降低传导损耗的努力将导致
2023-02-27 09:54:52
如何用PQFN封装技术提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
在电源设计中，为提高能效，通常采用同步整流，即用MOSFET取代二极管整流器，从而降低整流器两端压降和导通损耗，提供更高的电流能力，实现更高的系统能效。然而，传统的同步整流在用于LLC谐振转换器
2018-12-03 11:07:15
硕果。尧远通信科技的客户充分利用CLOE追踪器整体方案的优势，针对不同用途的物联网追踪器设计高能效的LTE。”意法半导体信息娱乐事业部总监Antonio Radaelli表示：“CLOE是我们与赛肯通信
2018-02-28 11:41:49
布局电源板以最大限度地降低EMI：第3部分
2019-08-16 06:13:31
碳化硅（SiC） MOSFET、超级结MOSFET、IGBT和汽车功率模块（APM）等广泛的产品阵容乃至完整的系统方案，以专知和经验支持设计人员优化性能，加快开发周期。本文将主要介绍针对主流功率等级的高能效OBC方案。
2020-11-23 11:10:00
的特性，还因为器件对IGBT的价格越来越有竞争力，制造商在系统层面引入了长期投资策略，以确保供应。 STPOWER产品组合 毫无疑问，进入SiC供应商榜首的制造商之一是意法半导体。意法半导体在过去几年
2023-02-24 15:03:59
意法半导体官方的库怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
意法半导体ST推出250A功率MOSFET，封装和制程同步升级，提高电机驱动能效
中国，2008年7月16日 —— 以降低电动汽车等电动设备的运营成本和环境影
2008-07-29 14:13:02918 意法半导体发布超低功耗整流二极管
功率半导体供应商意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）推出新的高能效功率整流二极管
2010-04-06 13:29:521162 全球领先的高能效半导体解决方案供应商、可持续发展的倡导者意法半导体(纽约证券交易所代码：STM)宣布，大中华区与南亚地区副总裁兼台湾分公司总经理尹容(Giuseppe Izzo)将
2010-10-29 09:04:12808 意法半导体推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmesh V功率MOSFET晶体管，MDmesh V系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管，拥有最低的单位面积通态电阻
2011-12-27 17:29:102989 
意法半导体(STMicroelectronics)推出超结型MDmesh V系列-- STW88N65M，新产品的导通电组(On-Resistance Per Area)仅为0.029欧姆
2012-01-09 09:34:122733 推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor）推出新系列的6款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它们经过设计及优化，提供领先业界能效，优于市场现有器件。
2014-05-21 11:36:441331
意法半导体新款的MDmesh™ MOSFET内置快速恢复二极管
提升高能效转换器的功率密度
2017-09-21 16:31:256599 意法半导体意大利卡塔尼亚公司 功率晶体管产品部 高级应用工程师 Alfio Scuto 意法半导体意大利卡塔尼亚公司 功率晶体管产品部 高级应用工程师 摘要 – 近几年来，开关电源市场对高能效
2018-01-09 17:35:042517 
整合意法半导体独有的灵活的传感器架构和高通的Qualcomm All-Ways Aware传感器处理功能，专注移动设备性能提升，最大限度降低耗电量。 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体。
2018-02-14 09:32:001362 意法半导体的FDA2100LV汽车功率放大器采用全数字架构，包括数字输入和性能强大的诊断处理器，有助于最大限度地降低噪声，节省高达50%的材料成本，让汽车音响主机和功放具有D类放大器的高能效优势
2018-04-14 08:55:002259 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供货商意法半导体（ STMicroelectronics ，简称 ST ；纽约证券交易所代码： STM ） 推出可视化的 Profi MEMS Tool 开发平台，方便工程师 查看MEMS 传感器的工作状态，加快产品上市时间，并最大限度提高新产品设计的性能。
2018-05-23 17:11:001521 2018年6月22日——意法半导体的VIPer11离线转换器内置800V耐雪崩MOSFET，可帮助设备制造商设计更耐用的辅助电源和电源适配器，其26Vdc漏极启动电压允许超宽的线路输入电压，并提高诸多消费和工业电源的灵活性。
2018-07-04 11:32:595661 意法半导体发布的VIPer26K高压功率转换器集成一个1050V耐雪崩N沟道功率MOSFET，使离线电源兼备宽压输入与设计简单的优点。
2019-08-03 10:00:405778 在对大功率和高能效需求日益增长的5G通信时代，意法半导体推出STWLC68系列产品，为市场带来业界领先的，拥有极高传输能效并安全可靠的无线充电解决方案。
2020-02-27 16:40:571027 意法半导体VIPer26K发布高压功率转换器，集成一个1050V耐雪崩N沟道功率MOSFET，使离线电源兼备宽压输入与设计简单的优点。
2020-03-18 15:24:513098 这两款器件采用最小延迟快速导通设计和创新的自适应关断技术，无需增加外部组件即可最大限度延长同步整流MOSFET管的导通时间，并最大程度降低电路中的寄生电感效应，从而使电路系统能效大幅改善，物料清单成本明显降低。
2020-05-30 10:02:202766 意法半导体的ST1PS01降压转换器专门采用小尺寸和低静态电流设计，能够在负载的所有电流值下保持高能效，为始终工作的负载点电源和资产跟踪器、可穿戴设备、智能传感器、智能电表等物联网设备节省电能和空间。
2020-07-06 09:18:22825 意法半导体（ST）推出了第二代SiC功率MosFET，具有单位面积极低的导通电阻（RDSon）和优良的开关性能，开关损耗在结温范围内几乎没有变化。 ST提供广泛的第二代S MOSFET：额定击穿电压
2020-11-26 16:33:521805 
。 新的800V H系列可控硅适用于工业制造设备、个人护理产品、智能家居产品和智能建筑系统，利用意法半导体最新的SnubberlessTM高温技术实现了出色的耐用性。低导通电压（VTM）确保开关具有较高的工作能效，并最大程度地降低器件本身的自发热量，具有很低的
2021-01-14 15:11:192624 意法半导体的MasterGaN4*功率封装集成了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化镓(GaN)功率晶体管，以及优化的栅极驱动器和电路保护功能，可以简化高达200W的高能效电源变换
2021-04-16 14:41:043668 电子发烧友网站提供《最大限度地提高高压转换器的功率密度.doc》资料免费下载
2023-12-06 14:39:00
308 ，还是适用于电源适配器和平板显示器的电源。 意法半导体800V STPOWER MDmesh K6系列，为这种超级结晶体管技术树立了高性能和易用性兼备的标杆。MDmesh K6 的RDS（on） x
2021-10-28 10:41:252244 意法半导体推出了一个新系列—— 氮化镓（GaN） 功率半导体。该系列产品属于意法半导体的STPOWER 产品组合，能够显著降低各种电子产品的能耗和尺寸。
2021-12-17 17:32:301432 意法半导体最新一代碳化硅(SiC)功率器件，提升了产品性能和可靠性，保持惯有领先地位，更加适合电动汽车和高能效工业应用
2022-01-17 14:13:294628 电源，例如，充电器、PC机外部电源适配器、LED照明驱动器、电视机等家电。消费电子产品的全球产量很大，如果提高能效，可大幅减少二氧化碳排放。在功率更高的应用中，意法半导体的 PowerGaN器件也适用于电信电源、工业驱动电机、太阳能逆变器、电动汽车及其充电设施。
2022-01-17 14:22:543358 2022 年 4 月 7 日，中国——意法半导体 VIPerGaN50能够简化最高50 W的单开关反激式功率变换器设计，并集成一个 650V 氮化镓 (GaN) 功率晶体管，使电源的能效和小型化达到
2022-04-07 13:53:308138 
意法半导体的STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N沟道超结多漏极功率MOSFET晶体管非常适用于设计数据中心服务器、5G基础设施、平板电视机的开关式电源 （SMPS）。
2022-05-19 14:41:472191 意法半导体40V MOSFET晶体管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低导通电阻和开关损耗，同时优化体寄生二极管特性，降低功率转换、电机控制和配电电路的能耗和噪声。
2022-06-24 16:40:431804 中国，2022年9月6日——意法半导体推出了IPS1025HF快速启动高边功率开关，目标应用是要求上电延迟时间极短的安全系统。
2022-09-07 11:29:492014 将公司名称改为意法半导体有限公司。意法半导体是世界最大的半导体公司之一。公司2019年全年净营收95.6亿美元; 毛利率38.7%；营业利润率12.6%; 净利润10.32亿美元。 意法公司销售收入在
2023-02-08 14:24:113002 意法半导体的高集成度、高能效ST-ONE系列USB供电(USB-PD)数字控制器新增一个支持双充电口的ST-ONEMP芯片。
2023-03-02 09:35:211375 显然特斯拉用的是意法半导体2018年的第二代SiC MOSFET产品，第四代产品目前还没有推出。沟槽型是发展方向，但意法半导体要到2025年才开始推出。
2023-03-14 11:22:393149 2023年5月20日，中国——意法半导体高压宽禁带功率转换芯片系列新增VIPerGaN100 和 VIPerGaN65两款产品，适合最大功率100W和65W的单开关管准谐振 (QR)反激式功率转换器。
2023-05-20 16:59:50754 ST-ONEMP与意法半导体的MasterGaN功率技术配套使用。 MasterGaN技术包含意法半导体的集成栅极驱动器的氮化镓(GaN)宽带隙功率晶体管。意法半导体GaN技术的开关频率比传统硅 MOSFET更高，使适配器能够提供更高的功率密度和符合最新生态设计规范的高能效。
2023-03-16 10:29:162011 
意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:361813 
意法半导体6轴惯性测量单元（IMU）ISM330BX集成边缘AI处理器、传感器扩展模拟集线器和Qvar电荷变化检测器，并提供产品寿命保证，适用于设计高能效工业传感器和动作跟踪器。
2024-06-20 09:47:101129 意法半导体（简称ST）近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技术，标志着公司在高效能半导体领域又迈出了重要一步。此次推出的第四代技术，在能效、功率密度和稳健性方面均树立了新的市场标杆，将为汽车和工业市场带来革命性的改变。
2024-10-10 18:27:331619 意法半导体(简称ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技术。第四代技术有望在能效、功率密度和稳健性三个方面成为新的市场标杆。在满足汽车和工业市场需求的同时，意法半导体还针对
2024-10-12 11:30:592195 意法半导体(STMicroelectronics)近日推出了其第四代STPower硅碳化物(SiC)MOSFET技术，标志着在高效能和高功率密度领域的又一重大进展。新一代MOSFET不仅在电动汽车中
2024-10-29 10:54:141282 
意法半导体的TS3121和TS3121A轨对轨、开漏、单通道比较器具有创新的故障安全架构和启动时间保障，可以简化短时间启动过程，在低功率应用中最大限度地降低功耗。
2024-12-24 13:39:31966 最近，意法半导体（ST）正式推出STPOWER Studio 4.0，支持三种新的拓扑结构，分别为单相全桥、单相半桥以及三相三电平T型中点箝位（T-NPC），可覆盖更丰富的应用场景。此前，该工具仅支持三相两电平拓扑结构，主要应用于电机驱动器和光伏逆变器，这两种也是最常见的使用场景。
2025-02-14 11:13:011027 
意法半导体的IPS4140HQ和IPS4140HQ-1是两款功能丰富的四通道智能功率开关，采用8mmx6mm紧凑封装，每通道RDS(on)导通电阻80mΩ（最大值），工作电源电压10.5V-36V，还配备各种诊断保护功能。
2025-04-18 14:22:18943 采用TO-LL封装的意法半导体SiC MOSFET将第3代STPOWER SiC技术的固有特性与TO-LL封装出色的散热和电流性能集于一身。这些设计元素共同实现了出色的开关性能、可靠性和热管理功能，而附加的Kelvin源引线则可帮助设计人员进一步降低开关损耗。
2025-06-09 09:57:38859 意法半导体（ST）是英伟达800V机架内配电新倡议的核心合作伙伴。
2025-08-16 11:29:541190 STMicroelectronics STP80N1K1K6 N沟道功率MOSFET采用MDmesh K6技术，利用了20年的超级结技术经验。STMicroelectronics STP80N1K1K6 MOSFET具有出色的每面积导通电阻和栅极电荷。该器件非常适用于高功率密度和高效应用。
2025-10-23 15:08:58415 
STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET是一款高压N沟道功率MOSFET，具有齐纳保护功能和100%雪崩。该MOSFET还具
2025-10-27 14:24:41381 
STMicroelectronics STP80N450K6 800V N沟道功率MOSFET是一款采用终极MDmesh K6技术设计的极高压N沟道功率MOSFET。该技术
2025-10-28 11:44:44421 
STMicroelectronics STD80N240K6 800V 16A MDmGuard™ K6功率MOSFET具有出色的R~DS(on)~ x 面积和低总栅极电荷（Q ~g~ ），可实现高
2025-10-30 11:39:20386 
高压MOSFET作为功率半导体领域的核心器件，凭借高耐压、低损耗、高速开关的核心优势，已成为工业电源、新能源储能、汽车电动化等场景实现高效能量转换的“关键引擎”。意法半导体深耕高压MOSFET技术研发，以全系列产品与创新方案，为多领域发展注入强劲动力。
2025-12-03 09:57:022199 
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