为什么要选择采用TO-LL封装的意法半导体SiC MOSFET

出色的功率密度和热性能，更加紧凑和可靠的设计

采用TO-LL封装的意法半导体SiC MOSFET将第3代STPOWER SiC技术的固有特性与TO-LL封装出色的散热和电流性能集于一身。这些设计元素共同实现了出色的开关性能、可靠性和热管理功能，而附加的Kelvin源引线则可帮助设计人员进一步降低开关损耗。

为什么要选择采用TO-LL封装的SiC MOSFET?

紧凑型无引线封装

大型外露式漏极焊盘

减少厚度：2.3mm

额外的Kelvin源引脚

在全温度范围内具有较低的RDS(on)

高速开关性能

稳定的快速本体二极管

SCT040TO65G3 碳化硅功率MOSFET 650V、40mOhm典型值、35A，采用TO-LL封装

SCT055TO65G3 碳化硅功率MOSFET 650V、58mOhm典型值、30A，采用TO-LL封装

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