意法半导体推出全新MDmesh MOSFET 提高能效和开关性能
意法半导体的STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N沟道超结多漏极功率MOSFET晶体管非常适用于设计数据中心服务器、5G基础设施、平板电视机的开关式电源 （SMPS）。
首批上市的两款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。两款产品的单位面积导通电阻（RDS（on））都非常低，可以极大程度提高功率密度，并有助于缩减系统尺寸。两款产品的最大导通电阻（RDS（on）max）都处于同类领先水平，STP65N045M9 为 45mΩ，STP60N043DM9 为 43mΩ。由于栅极电荷 （Qg）非常低，在 400V 漏极电压时通常为 80nC，两款器件都具有目前市场上一流的RDS（on）max x Qg品质因数 （FoM）。
STP65N045M9 的栅极阈压（VGS（th））典型值为 3.7V，STP60N043DM9 的典型值为 4.0V，与上一代的MDmesh M5 和 M6/DM6 相比，可极大程度地降低通断开关损耗。MDmesh M9 和 DM9 系列的反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复时间（trr）也都非常低，这有助于进一步提高能效和开关性能。
意法半导体最新的高压 MDmesh 技术的另一个特点是增加了一道铂扩散工艺，确保本征体二极管开关速度快。该二极管恢复斜率（dv/dt） 峰值高于早期工艺。MDmesh DM9全系产品具有非常高的鲁棒性，在 400V电压时可耐受高达 120V/ns 的dv/dt斜率。
审核编辑：彭静
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