意法半导体发布50W GaN功率变换器，面向高能效消费及工业级电源设计

2022 年 4 月 7 日，中国——意法半导体 VIPerGaN50能够简化最高50 W的单开关反激式功率变换器设计，并集成一个 650V 氮化镓 (GaN) 功率晶体管，使电源的能效和小型化达到更高水平。

VIPerGaN50 采用单开关拓扑，集成很多功能，包括内置电流采样和保护电路，采用低成本的 5mm x 6mm 紧凑封装。芯片内部集成的GaN 晶体管可应用于高开关频率，从而减小反激变换器的体积和重量。使用这款产品设计先进的高能效开关电源 (SMPS)，可显著减少外围元器件的数量。

VIPerGaN50 可帮助设计人员利用 GaN 宽禁带技术来满足日益严格的生态设计规范，在全球实现节能降耗和净零碳排放。目标应用包括消费电源和工业电源，例如，电源适配器、USB-PD 充电器，以及家用电器、空调、LED 照明设备和智能仪表的电源。

该变换器有多种不同的工作模式，在所有输入电压和负载条件下，可最大限度提高电源能效。在高负载下，准谐振 (QR) 模式配合零压开关可最大限度地减少导通损耗和电磁辐射 (EMI)。在轻负载下，跳谷底模式可以控制开关损耗，并利用意法半导体专有的谷底锁定技术防止产生人耳可以听到的噪声。频率折返模式配合零压开关可确保在轻负载条件下实现尽可能高的能效。自适应间歇工作模式可以在极低负载条件下最大程度降低功率损耗。此外，先进的电源管理功能可将待机功率降至 30mW 以下。

芯片内置功能确保电源的安全性和可靠性，包括输出过压保护、brown-in/brown-out，以及输入过压保护。还提供输入电压前馈补偿，以最大限度地减少输出峰值功率变化。其他安全功能包括嵌入式过温保护和最大限度地减少 EMI的频率抖动功能。

VIPerGaN50 现已投产，采用 5mm x 6mm QFN 封装。该器件有免费样片，可在意法半导体的网上商城eSTore 上申购。