中国—— 意法半导体的STL120N10F8N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。
2023-05-25 10:08:23
48 ; 晶体管，本名是半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出
2010-08-12 13:57:39
100V、2A NPN大功率双极晶体管-PHPT61002NYC
2023-02-27 18:50:45
0 40 V、100 mA PNP 通用晶体管-PMBS3906
2023-02-21 19:25:440 40 V、100 mA PNP 通用晶体管-2PA1774XMB_SER
2023-02-21 19:10:260 40 V、100 mA NPN/NPN 通用晶体管-PUMX1
2023-02-21 18:54:070 STM32F103C8T6,中密度性能,2个ADC、9个通信接口,ST意法半导体处理器
2023-02-17 11:55:11
100 V、1 A PNP 低 V_CEsat 晶体管-PBSS9110T-Q
2023-02-09 21:18:180 40 V、100 mA NPN 通用晶体管-PMBS3904-Q
2023-02-08 18:44:440 意法半导体怎么样 意法半导体（ST）集团于1987年成立，是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics
2023-02-08 14:24:11461 ST意法半导体stm8l052r8规格书下载意法半导体（ST）集团于1987年6月成立，是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月
2022-10-08 14:46:360 ST意法半导体stm8l052c6规格书下载意法半导体（ST）集团于1987年6月成立，是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月
2022-10-08 14:43:470 意法半导体40V MOSFET晶体管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低导通电阻和开关损耗，同时优化体寄生二极管特性，降低功率转换、电机控制和配电电路的能耗和噪声。
2022-06-24 16:40:43789 2022 年 6 月 23 日，中国 – 意法半导体40V MOSFET晶体管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低导通电阻和开关损耗，同时优化体寄生二极管特性，降低功率转换
2022-06-24 09:57:451361 
VIPERGAN50是意法半导体VIPerPLUS系列首款可在宽工作电压(9 V至23 V)下提供高达50 W功率的产品。这也是ST首款采用氮化镓(GaN)晶体管的VIPer器件。得益于650 V
2022-05-20 10:58:481676 意法半导体的STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N沟道超结多漏极功率MOSFET晶体管非常适用于设计数据中心服务器、5G基础设施、平板电视机的开关式电源 （SMPS）。
2022-05-19 14:41:47905 意法半导体最新一代碳化硅(SiC)功率器件，提升了产品性能和可靠性，保持惯有领先地位，更加适合电动汽车和高能效工业应用
2022-01-17 14:13:292745 意法半导体将于 11 月 3 日在中国深圳福田香格里拉大酒店举办意法半导体工业峰会 2021 。
2021-11-03 10:44:531711 ，还是适用于电源适配器和平板显示器的电源。 意法半导体800V STPOWER MDmesh K6系列，为这种超级结晶体管技术树立了高性能和易用性兼备的标杆。MDmesh K6 的RDS（on） x
2021-10-28 10:41:251271 意法半导体STM32F103微控制器使用Cortex-M3内核，CPU最高速度为72兆赫兹。该产品组合涵盖16 KB到1MB的闪存，带有电机控制外设、USB全速接口和CAN。灵动微MM32F3277系列可兼容替换意法半导体STM32F103。
2021-09-22 14:51:071071 意法半导体的MasterGaN4*功率封装集成了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化镓(GaN)功率晶体管，以及优化的栅极驱动器和电路保护功能，可以简化高达200W的高能效电源变换
2021-04-16 14:41:042555 基于MasterGaN®平台的创新优势，意法半导体推出了MasterGaN2，作为新系列双非对称氮化镓（GaN）晶体管的首款产品，是一个适用于软开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化解决方案。 2021
2021-01-20 11:20:442330 此次收购将大幅提高意法半导体在汽车、工业和消费级高频大功率GaN的技术积累、扩大其开发计划和业务。
2020-03-06 17:25:23879 横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体 （STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM）将在中国深圳君悦酒店举办首届ST工业峰会。
2019-05-28 13:53:082005 属氧化物半导体场效应管。双极性场效应管是由2个pn结组成的，p代表正极，n代表负极，pn结可以有2中不同的排列方式。一种是PNP,另一种是NPN。 对于NPN行的晶体管，第一个N为发射级，第二个N
2018-12-15 13:52:321028 electronica 2018最火展区之一，意法半导体的亮眼科技。
2018-12-03 16:44:324164 意法半导体STM32F103核心板外扩测试程序
2013-03-26 15:41:3073 意法半导体（ST）5月15日在北京媒体沟通会上宣布，开始量产基于ARM Cortex-M0处理器内核的入门级STM32 F0系列32位MCU。其适于工业控制器、家庭自动化、打印机和白色家电等应用。
2012-05-23 11:00:342109 
意法半导体推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmesh V功率MOSFET晶体管，MDmesh V系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管，拥有最低的单位面积通态电阻
2011-12-27 17:29:101156 
意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)推出新系列射频(RF)功率晶体管。
2011-10-12 11:35:111476 美国国家半导体公司今天宣布，推出业界首款针对高压电源转换器的增强型氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)而优化的100V半桥栅极驱动器
2011-06-23 09:34:581457 ST扩大采用第六代STripFET™技术的高效功率晶体管的产品系列，为设计人员在提高各种应用的节能省电性能带来更多选择。
2011-06-20 09:02:43779 意法半导体(STMicroelectronics，简称ST) 推出首款完全符合卫星和运载火箭电子子系统质量要求的功率系列产品。全新抗辐射功率MOSFET系列产品的额定输出电流为6A至80A，由5款N沟道和P沟道产
2011-06-15 08:49:081118 意法半导体(STMicroelectronics, ST) 日前发布全新微型封装技术 SMBflat ，据称比 SOT-223 封装薄40%，能有效缩减50%的印刷电路板占板面积
2011-03-28 11:39:301132 意法半导体发布超低功耗整流二极管
功率半导体供应商意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）推出新的高能效功率整流二极管
2010-04-06 13:29:52844 Power SO-8LFPAK封装60V和100V晶体管
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)推出全新60 V和100 V晶体管，扩充Trench 6 MOSFET产品线。新产品采用Power SO-8LFPAK封装，支持60 V和100 V两种工作
2010-02-09 09:27:391874 晶体管分类
按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体
2009-11-05 10:48:533580 半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量一、实验目的1、了解半导体特性图示仪的基本原理2、学习使用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和参
2009-03-09 09:12:098247 
电子发烧友App
工商网监
工商网监
评论