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电子发烧友网>制造/封装>意法半导体发布100V工业级STripFET F8晶体管,优值系数提高 40%

意法半导体发布100V工业级STripFET F8晶体管,优值系数提高 40%

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40V,100mA PNP 通用晶体管-2PA1774XMB_SER

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2023-02-21 19:10:261

40V,100mA PNP 通用晶体管-PMBS3906

40 V100 mA PNP 通用晶体管-PMBS3906
2023-02-21 19:25:440

100V、2A NPN大功率双极晶体管-PHPT61002NYC

100V、2A NPN大功率双极晶体管-PHPT61002NYC
2023-02-27 18:50:451

半导体发布100V工业STripFET F8晶体管系数提高40%

中国—— 半导体的STL120N10F8N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on),系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。
2023-05-25 10:08:231110

半导体发布新型人体存在和移动检测芯片

‍‍‍‍‍‍‍‍半导体发布新型人体存在和移动检测芯片。STHS34PF80是一款带有微加工热敏晶体管(TMOS)的高集成度、超低功耗的红外(IR)传感器,可取代传统的被动红外(PIR)传感技术,提升安保监视系统、家庭自动化设备和物联网设备等场景的的监测性能。
2023-07-28 15:13:031593

半导体推出首款具有电流隔离功能的氮化镓晶体管栅极驱动器

2023 年 9 月 6 日,中国 ——半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器,新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸,降低了物料清单成本,能够满足应用对宽禁带芯片的能效以及安全性和电气保护的更高要求。
2023-09-07 10:12:132054

半导体推出新系列IGBT晶体管

半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V,最高工作温度拓宽到175°C,更高的额定确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-12 10:38:001184

半导体的新型IGBT器件可将功耗降低11%

2023 年 9 月 11 日,中国 – 半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V,最高工作温度拓宽到175°C,更高的额定确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-12 10:39:111438

半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效

2023 年 9 月 11 日,中国 – 半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V,最高工作温度拓宽到175°C,更高的额定确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-19 11:07:01691

ST半导体stm8l052r8规格书下载

ST半导体stm8l052r8规格书下载半导体(ST)集团于1987年6月成立,是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月
2022-10-08 14:46:362

AP40N100LK 贴片mos100v 40a-40n100场效应参数

供应AP40N100LK 贴片mos100v 40a-40n100场效应参数,是ALLPOWER铨力半导体代理商,提供AP40N100LK规格参数等,更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-10-23 17:25:132

半导体发布STSPIN9系列大电流电机驱动芯片

2023年11月8日,中国---半导体发布STSPIN9系列大电流电机驱动芯片,先期推出两款产品,应用定位高端工业设备、家电和专业设备。
2023-11-08 12:18:481184

德州仪器、半导体发布悲观指引

的悲观指引。据悉,两大巨头均表达了对2024年工业和汽车芯片成长的担忧。德州仪器声称,目前半导体行业市场的形势恶化,业绩展望报告体现出环境的疲软,客户正在再平衡库存。 而最近几年重点仰赖工业和汽车芯片市场的半导体也预计,该公
2024-01-29 11:24:581285

40 V100 mA NPN通用晶体管PMBS3904-Q数据手册

电子发烧友网站提供《40 V100 mA NPN通用晶体管PMBS3904-Q数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-05 09:50:130

半导体推出SRK1004同步整流控制器

半导体近日发布了其全新同步整流控制器SRK1004,该控制器专为简化采用硅基或氮化镓(GaN)晶体管的功率转换器的设计流程而设计,同时显著提高了转换效率。该控制器适用于多种应用,包括工业电源、便携式设备充电器以及AC/DC适配器等。
2024-03-12 10:53:171448

半导体推出新型40V工业与汽车线性稳压器

半导体近日推出了两款全新的线性稳压器——LDH40和LDQ40,这两款产品不仅具备出色的能效,还在设计上展现了极高的灵活性。
2024-05-11 10:31:42971

2024年半导体工业峰会精彩回顾

‍‍‍‍‍‍‍‍ 展示工业技术产品和解决方案的顶级行业盛会——2024年半导体工业峰会已经圆满闭幕。半导体和技术合作伙伴带来了令人耳目一新的产品演示及深入的技术讨论,向与会者展示了ST突破性的技术创新和完整的工业生态系统,掀起了圈内又一次技术热潮。
2024-11-13 18:04:361512

半导体推出40V STripFET F8 MOSFET晶体管

半导体近期推出了标准阈值电压(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶体管系列。该系列晶体管融合了强化版沟槽栅技术的优势,并具备出色的抗噪能力,专为非逻辑电平控制的应用场
2024-12-11 14:27:00971

半导体发布250W MasterGaN参考设计

参考设计,旨在加速紧凑、高效工业电源的实现。 MasterGaN-SiP是半导体的创新之作,它将GaN功率晶体管与经过优化的栅极驱动器完美整合于一个封装内。这一设计不仅显著提升了电源的性能和可靠性,还通过高度集成的方式,极大地加快了设计速度,并有效节省了PCB电路板空间。 与传统
2024-12-25 14:19:481143

半导体推出全新40V MOSFET晶体管

半导体推出了标准阈值电压(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶体管,新系列产品兼备强化版沟槽栅技术的优势和出色的抗噪能力,适用于非逻辑电平控制的应用场景。
2025-01-16 13:28:271025

半导体工业40V100V STripFET F8 MOSFET概述

STripFET F8与上一代产品相比,品质因数 (FoM) 提高40%,有助于工程师设计出更紧凑、功率密度更高的功率,适用于计算机和外设应用、数据中心、电信、太阳能、电源、电池充电器、家用和专业电器、游戏、无人机等领域。
2025-10-10 09:34:20468

‌STL320N4LF8 N沟道功率MOSFET技术解析与应用指南

半导体 STL320N4LF8 N沟道STripFET F8功率MOSFET 采用STripFET F8沟槽式MOSFET技术制造而成。 该器件完全符合工业标准。STL320N4LF8可降低
2025-10-29 15:48:51509

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