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电子发烧友网>模拟技术>碳化硅功率器件的基本原理、性能优势、应用领域

碳化硅功率器件的基本原理、性能优势、应用领域

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2022-01-05 13:59:37493

8.2.10.2 反型层迁移率的器件相关定义∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

8.2.10.2反型层迁移率的器件相关定义8.2.10反型层电子迁移率8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第8章单极型功率开关器件碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件
2022-03-04 10:19:46276

6.1.6 离子注入及后续退火过程中的缺陷行成∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.1.6离子注入及后续退火过程中的缺陷行成6.1离子注入第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.1.5高温退火和表面粗糙化∈《碳化硅技术基本原理——生长
2021-12-31 14:13:05466

6.4.2.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.4.2.1基本原理6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.4.1.2SiC上的肖特基接触∈《碳化硅技术
2022-01-24 10:09:121034

6.1.5 高温退火和表面粗糙化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.1.5高温退火和表面粗糙化6.1离子注入第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.1.4半绝缘区域的离子注入∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件
2021-12-31 14:25:52549

7.3 pn与pin结型二极管∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

7.3pn与pin结型二极管第7章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:7.2肖特基势磊二极管(SBD)∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件
2022-02-10 09:18:15614

8.1.4 比通态电阻∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

8.1.4比通态电阻8.1结型场效应晶体管(JFET)第8章单极型功率开关器件碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:8.1.3饱和漏极电压∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征
2022-02-20 16:16:46636

6.2.1 反应性离子刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.2.1反应性离子刻蚀6.2刻蚀第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.1.6离子注入及后续退火过程中的缺陷行成∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件
2021-12-31 10:57:22817

6.3.4.8 其他方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.4.8其他方法6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.3.4.7电导法∈《碳化硅
2022-01-11 17:26:05445

6.4.2.2 n型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.4.2.2n型SiC的欧姆接触6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技术
2022-01-25 09:18:08743

7.3.1 大注入与双极扩散方程∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

7.3.1大注入与双极扩散方程7.3pn与pin结型二极管第7章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:7.3pn与pin结型二极管∈《碳化硅技术基本原理
2022-02-11 09:25:07541

8.1 结型场效应晶体管(JFET)∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

8.1.1夹断电压8.1结型场效应晶体管(JFET)第8章单极型功率开关器件碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:7.4结势垒肖特基(JBS)二极管与混合pin肖特基(MPS
2022-02-16 09:43:48325

6.2.2 高温气体刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.2.2高温气体刻蚀6.2刻蚀第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.2.1反应性离子刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.1.6
2021-12-31 10:31:17723

8.1.5 增强型和耗尽型工作模式∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

8.1.5增强型和耗尽型工作模式8.1结型场效应晶体管(JFET)第8章单极型功率开关器件碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:8.1.4比通态电阻∈《碳化硅技术基本原理——生长
2022-02-20 14:15:56384

8.2.8 UMOS的先进设计∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

8.2.8UMOS的先进设计8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第8章单极型功率开关器件碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:8.2.7DMOSFET的先进
2022-03-01 10:36:06605

8.1.6 功率JFET器件的实现∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

8.1.6功率JFET器件的实现8.1结型场效应晶体管(JFET)第8章单极型功率开关器件碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:8.1.5增强型和耗尽型工作模式∈《碳化硅技术
2022-02-21 09:29:28537

6.3.4.2 MOS电容等效电路∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.4.2MOS电容等效电路6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.3.4.1SiC
2022-01-07 14:24:25420

5.3.2.1 寿命控制∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.3.2.1寿命控制5.3.1SiC中的主要深能级缺陷5.3SiC中的点缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技术《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:5.3.2载流子寿命“杀手
2022-01-06 09:38:25510

5.3.2 载流子寿命“杀手”∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.3.2载流子寿命“杀手”5.3.1SiC中的主要深能级缺陷5.3SiC中的点缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技术《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:5.3.1.2杂质∈《碳化硅
2022-01-06 09:37:40535

8.2.4 饱和漏极电压∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

8.2.4饱和漏极电压8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第8章单极型功率开关器件碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:8.2.3MOSFET电流-电压关系
2022-02-25 09:29:27469

5.3.1.2 杂质∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

基本原理——生长、表征、器件和应用》5.3SiC中的点缺陷5.2.3扩展缺陷对SiC器件性能的影响∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》5.2.1SiC
2022-01-06 09:30:23552

5.3.1.1 本征缺陷∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.3.1.1本征缺陷5.3.1SiC中的主要深能级缺陷5.3SiC中的点缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技术《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:5.2.3扩展缺陷对SiC器件性能
2022-01-06 09:27:16693

6.4.2.3 p型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.4.2.3p型SiC的欧姆接触6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.4.2.2n型SiC的欧姆接触
2022-01-26 10:08:16636

5.2.3 扩展缺陷对SiC器件性能的影响∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.2.3扩展缺陷对SiC器件性能的影响5.2SiC的扩展缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技术《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:5.2.1SiC主要的扩展缺陷&5.2.2
2022-01-06 09:25:55621

碳化硅二极管的应用领域优势你知道吗

今天鑫环电子就为大家讲解一下碳化硅二极管的应用领域优势。  一、太阳能逆变器。  碳化硅二极管是太阳能发电用二极管的基本原材料,碳化硅二极管在各项技术指标上都优于普通双极二极管技术。碳化硅二极管
2022-12-14 11:36:05843

碳化硅功率器件基本原理、特点和优势

碳化硅(SiC)功率器件是一种基于碳化硅材料的半导体器件,具有许多优势和广泛的应用前景。
2023-06-28 09:58:092319

碳化硅功率器件基本原理优势

汽车领域中得到了广泛的应用。本文将从AD820ARZ碳化硅功率器件基本原理优势及应用等方面进行分析。 一、碳化硅功率器件基本原理 碳化硅功率器件是由碳化硅材料制成的半导体器件,它的工作原理与传统的硅功率器件基本相同,
2023-09-05 09:04:421880

碳化硅功率器件优势应用领域及未来趋势

随着科技的不断进步,电力电子设备在各种领域中的应用越来越广泛。然而,传统的硅基功率器件已逐渐达到其性能极限。为了满足不断增长的性能需求,碳化硅(SiC)功率器件作为一种新兴的电力电子设备,正逐渐取代传统的硅基功率器件,成为新一代电力电子设备的基石。
2023-12-13 09:32:03335

碳化硅功率器件基本原理应用领域及发展前景

随着电力电子技术的不断发展,碳化硅(SiC)功率器件作为一种新型的半导体材料,逐渐在电力电子领域崭露头角。与传统的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高导热率和高电子饱和迁移率,使得碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高可靠性等优点。本文将介绍碳化硅功率器件基本原理应用领域以及发展前景。
2023-12-21 09:43:38353

碳化硅肖特基二极管的优势应用领域

在当今快速发展的电力电子领域碳化硅(SiC)材料因其出色的物理性能而备受关注。作为一种宽禁带半导体材料,碳化硅在制造高效、高温和高速的电子器件方面具有巨大潜力。其中,碳化硅肖特基二极管作为一种重要
2023-12-29 09:54:29188

碳化硅功率器件优势应及发展趋势

随着科技的不断进步,碳化硅(SiC)作为一种新型的半导体材料,在功率器件领域的应用越来越广泛。碳化硅功率器件在未来具有很大的发展潜力,将在多个领域展现出显著的优势。本文将介绍未来碳化硅功率器件优势
2024-01-06 14:15:03353

碳化硅功率器件简介、优势和应用

碳化硅(SiC)是一种优良的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点,因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379

简单认识碳化硅功率器件

随着能源危机和环境污染日益加剧,电力电子技术在能源转换、电机驱动、智能电网等领域的应用日益广泛。碳化硅(SiC)功率器件作为第三代半导体材料的代表,具有高温、高速、高效、高可靠性等优点,被誉为“未来电力电子的新星”。本文将详细介绍碳化硅功率器件基本原理性能优势应用领域以及未来发展趋势。
2024-02-21 09:27:13210

碳化硅功率器件的工作原理和性能优势

的物理性能和潜力巨大的市场应用前景,受到了业界的广泛关注。本文将深入探讨碳化硅功率器件的工作原理、性能优势应用领域以及未来的发展趋势。
2024-02-25 10:37:01165

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