声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
二极管
+关注
关注
149文章
10314浏览量
176518
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
onsemi碳化硅肖特基二极管NDSH40120CDN:高性能电源解决方案
、1200 V的碳化硅肖特基二极管NDSH40120CDN,包括其技术特点、性能参数、典型特性以及封装尺寸等方面,为电子工程师在电源设计中提供有价值的参考。
安森美10A、1200V碳化硅肖特基二极管NDSH10120C-F155解析
作为电子工程师,我们在电源设计领域总是不断追求更高的效率、更快的频率和更小的体积。碳化硅(SiC)肖特基二极管的出现,为我们带来了新的解决方案。今天就来详细分析安森美(onsemi)的一款碳化
碳化硅肖特基二极管NDSH30120CDN:开启高效电源设计新时代
在电源设计领域,器件的性能直接影响着整个系统的效率、可靠性和成本。今天,我们要深入探讨的是安森美(onsemi)的碳化硅(SiC)肖特基二极管NDSH30120CDN,这款
探索 onsemi NDSH30120C-F155:碳化硅肖特基二极管的卓越性能
在电子工程领域,功率半导体器件的性能对于整个系统的效率、可靠性和成本起着至关重要的作用。今天,我们将深入探讨 onsemi 的 NDSH30120C-F155 碳化硅(SiC)肖特基二极管
SiC MOSFET与肖特基势垒二极管的完美结合,提升电力转换性能
使用反向并联的肖特基势垒二极管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在电力转换应用中的性能和可靠性。本文将展示两家SiC器件制造商在集成SBD
SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册
:SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性 通过 AEC-Q101 认证 TO-263-2 封装 超快速
SiC碳化硅二极管公司成为国产碳化硅功率器件行业出清的首批对象
器件能力的企业之所以面临被淘汰的风险,主要源于以下多维度原因: 1. 碳化硅二极管技术门槛低导致市场同质化与价格战 碳化硅
SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册
/DC转换器等,满足多种电子设备的电源转换需求。 *附件:SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性 符合 AEC-Q101 标准 超快开
SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册
的电源转换需求。 *附件:SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性 符合 AEC-Q101 标准 超快开关速度 零反向恢复电流
SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册
:SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性 超快开关速度 零反向恢复电流 适用于高频操作 正向电压
SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册
SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特点 符合 AEC-Q101 标准 超快开关速度 零反向恢复电流 适用于高频操作 正向电压具有正
PSC2065L碳化硅肖特基二极管在TO247 R2P应用
电子发烧友网站提供《PSC2065L碳化硅肖特基二极管在TO247 R2P应用.pdf》资料免费下载
发表于 02-14 15:21
•0次下载
为什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二极管全面取代FRD快恢复二极管
为什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二极管全面取代FRD快恢复二极管 在科技政策与法规的推动下,半导体行业正经历一场深刻的变革。随着对高效能、低能耗电子设备需求的不断增长,BA

7.2 肖特基势磊二极管(SBD)∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》





评论