0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

碳化硅功率器件的基本原理、应用领域及发展前景

国晶微第三代半导体碳化硅SiC 来源:国晶微第三代半导体碳化 2023-12-21 09:43 次阅读

一、引言

随着电力电子技术的不断发展,碳化硅(SiC)功率器件作为一种新型的半导体材料,逐渐在电力电子领域崭露头角。与传统的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高导热率和高电子饱和迁移率,使得碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高可靠性等优点。本文将介绍碳化硅功率器件的基本原理、应用领域以及发展前景。

二、碳化硅功率器件的基本原理

碳化硅功率器件主要包括二极管晶体管等,它们的工作原理与硅功率器件类似,主要依赖于半导体材料的能带结构。然而,碳化硅的能带结构与硅有所不同,这使得碳化硅功率器件具有一些独特的性能。

碳化硅二极管

碳化硅二极管是一种具有整流作用的功率器件,其工作原理与硅二极管类似。当外加正向电压时,碳化硅二极管中的电子从N区注入P区,形成正向电流。当外加反向电压时,碳化硅二极管中的空穴从P区注入N区,形成反向电流。由于碳化硅的能带结构具有高禁带宽度和高电子饱和迁移率,使得碳化硅二极管具有高耐压、高电流密度、高效率等优点。

碳化硅晶体管

碳化硅晶体管是一种具有放大作用的功率器件,其工作原理与硅晶体管类似。当外加电压时,碳化硅晶体管中的电子和空穴在基区中形成电流,并通过集电区的收集作用形成输出电流。由于碳化硅的能带结构具有高禁带宽度和高电子饱和迁移率,使得碳化硅晶体管具有高耐压、高电流密度、高效率等优点。

三、碳化硅功率器件的应用领域

新能源汽车

随着新能源汽车市场的不断扩大,碳化硅功率器件在新能源汽车中的应用也越来越广泛。碳化硅功率器件的高效率、高功率密度和高可靠性,使得它成为新能源汽车逆变器电机控制器等核心部件的首选。

轨道交通

轨道交通对于电力电子设备的要求非常高,而碳化硅功率器件的高效率、高功率密度和高可靠性正好满足这一要求。因此,碳化硅功率器件在轨道交通领域的应用也越来越广泛,如牵引逆变器、辅助电源等。

智能电网

智能电网是未来电力系统的必然趋势,而碳化硅功率器件的高效率、高功率密度和高可靠性正好满足智能电网的需求。因此,碳化硅功率器件在智能电网中的应用也越来越广泛,如无功补偿器、有源滤波器等。

四、发展前景

随着电力电子技术的不断发展,碳化硅功率器件的应用前景越来越广阔。未来,随着技术的不断进步和成本的逐渐降低,碳化硅功率器件将在更多领域得到应用。同时,随着新能源汽车、轨道交通、智能电网等领域的不断发展,碳化硅功率器件的市场需求也将不断增长。因此,碳化硅功率器件的发展前景非常广阔。

五、结论

本文介绍了碳化硅功率器件的基本原理、应用领域以及发展前景。可以看出,碳化硅功率器件作为一种新型的半导体材料,具有高效率、高功率密度、高可靠性等优点,未来将在更多领域得到应用并实现更大发展。

无锡国晶微半导体技术有限公司是宽禁带第三代半导体碳化硅SiC功率器件、氮化镓GaN光电器件以及常规集成电路研发及产业化的高科技创新型企业,从事碳化硅场效应管,碳化硅肖特基二极管、GaN光电光耦继电器、单片机集成电路等产品芯片设计、生产与销售并提供相关产品整体方案设计配套服务,总部位于江苏省无锡市高新技术开发区内,并在杭州、深圳和香港设有研发中心和销售服务支持中心及办事处。

公司具有国内领先的研发实力,专注于为客户提供高效能、低功耗、低阻值、品质稳定的碳化硅高低功率器件及光电集成电路产品,同时提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务,使客户的系统性能优异、灵活可靠,并具有成本竞争力。

公司的碳化硅功率器件涵盖650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A-80A等系列,产品已经投入批量生产,产品完全可以对标国际品牌同行的先进品质及水平。先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级、车规级可靠性测试的碳化硅MOSFET系列产品,性能达到国际先进水平,应用于太阳能逆变电源、新能源电动汽车及充电桩、智能电网、高频电焊、轨道交通、工业控制特种电源、国防军工等领域。由于其具有高速开关和低导通电阻的特性,即使在高温条件下也能体现优异的电气特性,大幅降低开关损耗,使元器件更小型化及轻量化,效能更高效,提高系统整体可靠性,可使电动汽车在续航里程提升10%,整车重量降低5%左右,并实现设计用充电桩的高温环境下安全、稳定运行。

特别在高低压光耦半导体技术方面更是拥有业内领先的研发团队。在国内创先设计开发了28nm光敏光栅开关PVG芯片技术,并成功量产应用于60V、400V、600V高低压、低内阻、低电容的光电耦合继电器芯片、涵盖1500kVrms SOP超小封装及3750kVrms隔离增强型常规SMD、DIP等不同封装,单路、双路、混合双路、常开常闭等电路产品,另包括200V SOI MOS/LIGBT集成芯片、100V CMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit单片机等集成电路产品,均获得市场及各重点科研单位、检测机构的新产品认定。

公司核心研发团队中大部分工程师拥有硕士及以上学位,并有多名博士主持项目的开发。公司建立了科技创新和知识产权管理的规范体系,在电路设计、半导体器件及工艺设计、可靠性设计、器件模型提取等方面积累了众多核心技术,拥有多项国际、国内自主发明专利。

“国之重器,从晶出发,自强自主,成就百年”是国晶微半导体的企业目标,我们为员工提供精彩的发展空间,为客户提供精良的产品服务,我们真诚期待与您携手共赢未来。

审核编辑:汤梓红

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体
    +关注

    关注

    328

    文章

    24506

    浏览量

    202142
  • 功率器件
    +关注

    关注

    40

    文章

    1529

    浏览量

    89486
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    27

    文章

    2435

    浏览量

    61404
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    24

    文章

    2432

    浏览量

    47533

原文标题:碳化硅功率器件:推动电力电子发展的新动力

文章出处:【微信号:国晶微第三代半导体碳化硅SiC,微信公众号:国晶微第三代半导体碳化硅SiC】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    碳化硅基板——三代半导体的领军者

    超过40%,其中以碳化硅材料(SiC)为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的
    发表于 01-12 11:48

    7.3.4 电流-电压关系∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    7.3.4电流-电压关系7.3pn与pin结型二极管第7章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:7.3.3“i”区的电势下降∈《
    的头像 发表于 02-14 09:44 846次阅读
    7.3.4 电流-电压关系∈《<b class='flag-5'>碳化硅</b>技术<b class='flag-5'>基本原理</b>——生长、表征、<b class='flag-5'>器件</b>和应用》

    6.5 总结∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    6.5总结第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.4.2.3p型SiC的欧姆接触∈《
    的头像 发表于 01-27 09:16 899次阅读
    6.5 总结∈《<b class='flag-5'>碳化硅</b>技术<b class='flag-5'>基本原理</b>——生长、表征、<b class='flag-5'>器件</b>和应用》

    6.4.1.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    6.1.1.1基本原理6.4.1n型和p型SiC的肖特基接触6.4金属化第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、
    的头像 发表于 01-24 14:08 852次阅读
    6.4.1.1 <b class='flag-5'>基本原理</b>∈《<b class='flag-5'>碳化硅</b>技术<b class='flag-5'>基本原理</b>——生长、表征、<b class='flag-5'>器件</b>和应用》

    7.2 肖特基势磊二极管(SBD)∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    7.2肖特基势磊二极管(SBD)第7章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:7.1.3双极型功率
    的头像 发表于 02-09 09:27 470次阅读
    7.2 肖特基势磊二极管(SBD)∈《<b class='flag-5'>碳化硅</b>技术<b class='flag-5'>基本原理</b>——生长、表征、<b class='flag-5'>器件</b>和应用》

    7.1.3 双极型功率器件优值系数∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    7.1.3双极型功率器件优值系数7.1SiC功率开关器件简介第7章单极型和双极型功率二极管《碳化硅
    的头像 发表于 02-09 09:25 405次阅读
    7.1.3 双极型<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>优值系数∈《<b class='flag-5'>碳化硅</b>技术<b class='flag-5'>基本原理</b>——生长、表征、<b class='flag-5'>器件</b>和应用》

    8.2.6 功率MOSFET 的实施:DMOSFET和UMOSFET∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    8.2.6功率MOSFET的实施:DMOSFET和UMOSFET8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第8章单极型功率开关器件碳化硅技术
    的头像 发表于 02-28 11:20 1105次阅读
    8.2.6 <b class='flag-5'>功率</b>MOSFET 的实施:DMOSFET和UMOSFET∈《<b class='flag-5'>碳化硅</b>技术<b class='flag-5'>基本原理</b>——生长、表征、<b class='flag-5'>器件</b>和应用》

    7.1.2 单极型功率器件优值系数∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    7.1.2单极型功率器件优值系数7.1SiC功率开关器件简介第7章单极型和双极型功率二极管《碳化硅
    的头像 发表于 02-07 15:01 421次阅读
    7.1.2 单极型<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>优值系数∈《<b class='flag-5'>碳化硅</b>技术<b class='flag-5'>基本原理</b>——生长、表征、<b class='flag-5'>器件</b>和应用》

    6.4.2.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    6.4.2.1基本原理6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、
    的头像 发表于 01-24 10:09 1085次阅读
    6.4.2.1 <b class='flag-5'>基本原理</b>∈《<b class='flag-5'>碳化硅</b>技术<b class='flag-5'>基本原理</b>——生长、表征、<b class='flag-5'>器件</b>和应用》

    7.3 pn与pin结型二极管∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    7.3pn与pin结型二极管第7章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:7.2肖特基势磊二极管(SBD)∈《
    的头像 发表于 02-10 09:18 648次阅读
    7.3 pn与pin结型二极管∈《<b class='flag-5'>碳化硅</b>技术<b class='flag-5'>基本原理</b>——生长、表征、<b class='flag-5'>器件</b>和应用》

    6.4.2.2 n型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    6.4.2.2n型SiC的欧姆接触6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件
    的头像 发表于 01-25 09:18 786次阅读
    6.4.2.2 n型SiC的欧姆接触∈《<b class='flag-5'>碳化硅</b>技术<b class='flag-5'>基本原理</b>——生长、表征、<b class='flag-5'>器件</b>和应用》

    7.3.1 大注入与双极扩散方程∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    7.3.1大注入与双极扩散方程7.3pn与pin结型二极管第7章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:7.3pn与pin结型二极管∈《
    的头像 发表于 02-11 09:25 565次阅读
    7.3.1 大注入与双极扩散方程∈《<b class='flag-5'>碳化硅</b>技术<b class='flag-5'>基本原理</b>——生长、表征、<b class='flag-5'>器件</b>和应用》

    8.1.6 功率JFET器件的实现∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    8.1.6功率JFET器件的实现8.1结型场效应晶体管(JFET)第8章单极型功率开关器件碳化硅技术
    的头像 发表于 02-21 09:29 557次阅读
    8.1.6 <b class='flag-5'>功率</b>JFET<b class='flag-5'>器件</b>的实现∈《<b class='flag-5'>碳化硅</b>技术<b class='flag-5'>基本原理</b>——生长、表征、<b class='flag-5'>器件</b>和应用》

    碳化硅功率器件基本原理、特点和优势

    碳化硅(SiC)功率器件是一种基于碳化硅材料的半导体器件,具有许多优势和广泛的应用前景
    发表于 06-28 09:58 2668次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>基本原理</b>、特点和优势

    碳化硅功率器件基本原理及优势

    汽车领域中得到了广泛的应用。本文将从AD820ARZ碳化硅功率器件基本原理、优势及应用等方面进行分析。 一、
    的头像 发表于 09-05 09:04 2009次阅读