8.2.10.3 4H-SiC反型层迁移率的实验结果∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
8.2.10.3 4H-SiC反型层迁移率的实验结果
8.2.10 反型层电子迁移率
第８章单极型功率开关器件
《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
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