0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

8.2.6 功率MOSFET 的实施:DMOSFET和UMOSFET∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

深圳市致知行科技有限公司 2022-02-28 11:20 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

8.2.6 功率MOSFET 的实施:DMOSFET和UMOSFET

8.2 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)

第8章单极型功率开关器件

《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

b87235b2-9726-11ec-9d5f-dac502259ad0.jpg

b8832426-9726-11ec-9d5f-dac502259ad0.jpg

b8965ee2-9726-11ec-9d5f-dac502259ad0.jpg

b8a628cc-9726-11ec-9d5f-dac502259ad0.jpg


声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOSFET
    +关注

    关注

    150

    文章

    9440

    浏览量

    229757
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件功率模块规格书深度解析与应用指南

    倾佳电子碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件功率模块规格书深度解析与应用指南 倾佳电子(Changer Tech)是一家专注于功率
    的头像 发表于 11-24 09:00 315次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b> (SiC) <b class='flag-5'>MOSFET</b> 分立<b class='flag-5'>器件</b>与<b class='flag-5'>功率</b>模块规格书深度解析与应用指南

    倾佳电子碳化硅MOSFET高级栅极驱动设计:核心原理与未来趋势综合技术评述

    ! 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然,勇立功率半导体器件变革潮头: 倾佳
    的头像 发表于 10-18 21:22 259次阅读
    倾佳电子<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>高级栅极驱动设计:核心原理与未来趋势综合<b class='flag-5'>技术</b>评述

    【新启航】碳化硅外延片 TTV 厚度与生长工艺参数的关联性研究

    一、引言 碳化硅外延片作为功率半导体器件的核心材料,其总厚度偏差(TTV)是衡量产品质量的关键指标,直接影响器件的性能与可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多种因素影响,其中
    的头像 发表于 09-18 14:44 574次阅读
    【新启航】<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延片 TTV 厚度与<b class='flag-5'>生长</b>工艺参数的关联性研究

    碳化硅功率器件有哪些特点

    随着全球对绿色能源和高效能电子设备的需求不断增加,宽禁带半导体材料逐渐进入了人们的视野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到广泛关注。碳化硅功率器件在电力电子、可再生能源以及电动
    的头像 发表于 04-21 17:55 1010次阅读

    碳化硅功率器件的种类和优势

    在现代电子技术飞速发展的背景下,功率器件的性能和效率面临着越来越高的要求。碳化硅(SiC)作为一种新兴的宽禁带半导体材料,凭借其优异的电气特性和热性能,逐渐成为
    的头像 发表于 04-09 18:02 1172次阅读

    全球功率半导体变革:SiC碳化硅功率器件中国龙崛起

    功率器件变革中SiC碳化硅中国龙的崛起:从技术受制到全球引领的历程与未来趋势 当前功率器件正在经
    的头像 发表于 03-13 00:27 703次阅读

    碳化硅MOSFET的优势有哪些

    随着可再生能源的崛起和电动汽车的普及,全球对高效能、低能耗电力电子器件的需求日益增加。在这一背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件,以其优越的性能在
    的头像 发表于 02-26 11:03 1284次阅读

    碳化硅功率器件的特性和应用

    随着全球能源需求的快速增长和对可再生能源的重视,电力电子技术正经历着前所未有的变革。在这一过程中,碳化硅(SiC)功率器件作为一种新兴的宽禁带半导体材料,凭借其优越的性能,正在逐步取代
    的头像 发表于 02-25 13:50 1490次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的特性和应用

    国内碳化硅功率器件设计公司的倒闭潮是市场集中化的必然结果

    器件设计公司正在加速被市场抛弃:碳化硅功率器件设计公司出现倒闭潮,这是是市场集中化的必然结果。结合英飞凌、安森美等企业的业务动态,可从以下维度分析这一趋势: 1.
    的头像 发表于 02-24 14:04 885次阅读
    国内<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>设计公司的倒闭潮是市场集中化的必然结果

    桥式电路中碳化硅MOSFET替换超结MOSFET技术注意事项

    杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块,助力电力电子行业自主可控和产业升级! 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率
    的头像 发表于 02-11 22:27 734次阅读
    桥式电路中<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>替换超结<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>技术</b>注意事项

    SiC碳化硅MOSFET功率器件双脉冲测试方法介绍

    碳化硅革新电力电子,以下是关于碳化硅(SiC)MOSFET功率器件双脉冲测试方法的详细介绍,结合其技术
    的头像 发表于 02-05 14:34 1479次阅读
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>双脉冲测试方法介绍

    碳化硅功率器件的散热方法

    产生大量热量,如果散热不良,会导致器件性能下降甚至失效。因此,高效的散热方法对于确保碳化硅功率器件的稳定运行至关重要。本文将详细介绍碳化硅
    的头像 发表于 02-03 14:22 1187次阅读

    碳化硅功率器件的封装技术解析

    碳化硅(SiC)功率器件因其低内阻、高耐压、高频率和高结温等优异特性,在电力电子系统中得到了广泛关注和应用。然而,要充分发挥SiC器件的性能,封装
    的头像 发表于 02-03 14:21 1197次阅读

    产SiC碳化硅MOSFET功率模块在工商业储能变流器PCS中的应用

    *附件:国产SiC碳化硅MOSFET功率模块在工商业储能变流器PCS中的应用.pdf
    发表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?

    随着电力电子技术的不断进步,碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐,成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅
    发表于 01-04 12:37