0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

8.2.11 氧化层可靠性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

深圳市致知行科技有限公司 2022-03-07 09:51 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

8.2.11 氧化层可靠性

8.2 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)

第8章单极型功率开关器件

《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

cfe63a2e-9ca6-11ec-8b86-dac502259ad0.jpg

cff18276-9ca6-11ec-8b86-dac502259ad0.jpg

d0013590-9ca6-11ec-8b86-dac502259ad0.jpg

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    32

    文章

    3854

    浏览量

    70097
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    博世碳化硅技术路线图持续演进

    、第四代和第五代产品的逐步推出,碳化硅器件将在性能、成本与可靠性方面实现持续跃升,为电动汽车市场的规模化发展提供关键支撑。
    的头像 发表于 03-24 16:34 382次阅读

    技术突围与市场破局:碳化硅焚烧炉内胆的氮化硅陶瓷升级路径

    耐火材料与纯碳化硅材料面临极限挑战时,氮化硅陶瓷的技术指标为这一领域提供了更具针对的升级方案。 一、产品细节:氮化硅陶瓷的
    发表于 03-20 11:23

    碳化硅MOS管测试技术及仪器应用(上)

    、保障系统可靠性的关键,而示波器作为信号捕获与分析的核心仪器,在动态特性表征中发挥着不可替代的作用。本文将系统阐述碳化硅MOS管的核心测试项目、技术要点,重点解析示波器及
    的头像 发表于 02-28 11:51 285次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>MOS管测试<b class='flag-5'>技术</b>及仪器应用(上)

    【新启航】碳化硅外延片 TTV 厚度与生长工艺参数的关联研究

    一、引言 碳化硅外延片作为功率半导体器件的核心材料,其总厚度偏差(TTV)是衡量产品质量的关键指标,直接影响器件的性能与可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多种因素影响,其中
    的头像 发表于 09-18 14:44 1062次阅读
    【新启航】<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延片 TTV 厚度与<b class='flag-5'>生长</b>工艺参数的关联<b class='flag-5'>性</b>研究

    碳化硅功率器件的基本特性和主要类型

    随着全球对能源效率和可持续发展的关注日益加深,碳化硅(SiC)功率器件作为一种新兴的半导体材料,正在快速崛起。SiC以其优异的电气性能、高温稳定性和抗辐射,成为现代电力电子技术中不可
    的头像 发表于 09-03 17:56 1782次阅读

    碳化硅器件的应用优势

    碳化硅是第三代半导体典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有着高击穿场强和高热导率的优势,在高压、高频、大功率的场景下更适用。碳化硅的晶体结构稳定,哪怕是在超过300℃的高温环境下,打破了传统材料下
    的头像 发表于 08-27 16:17 1955次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>器件</b>的应用优势

    【新启航】如何解决碳化硅衬底 TTV 厚度测量中的各向异性干扰问题

    摘要 本文针对碳化硅衬底 TTV 厚度测量中各向异性带来的干扰问题展开研究,深入分析干扰产生的机理,提出多种解决策略,旨在提高碳化硅衬底 TTV 厚度测量的准确可靠性,为
    的头像 发表于 08-08 11:38 1159次阅读
    【新启航】如何解决<b class='flag-5'>碳化硅</b>衬底 TTV 厚度测量中的各向异性干扰问题

    B2M030120N SiC碳化硅MOSFET完美契合半导体射频电源对效率、可靠性和紧凑化的严苛需求

    B2M030120N SiC碳化硅MOSFET完美契合半导体射频电源对效率、可靠性和紧凑化的严苛需求
    的头像 发表于 07-23 18:09 952次阅读
    B2M030120N SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET完美契合半导体射频电源对效率、<b class='flag-5'>可靠性</b>和紧凑化的严苛需求

    氧化镓功率器件动态可靠性测试方案

    在氮化镓和碳化硅之后,氧化镓(Ga₂O₃)正以超高击穿电压与低成本潜力,推动超宽禁带功率器件进入大规模落地阶段。
    的头像 发表于 07-11 09:12 3301次阅读
    <b class='flag-5'>氧化</b>镓功率<b class='flag-5'>器件</b>动态<b class='flag-5'>可靠性</b>测试方案

    EAB450M12XM3全碳化硅半桥功率模块CREE

    模块的可靠性和耐用。低电感设计:电感值为6.7 nH,有助于降低系统中的电感效应,提高功率转换效率。采用全新的第3代碳化硅MOSFETs:提供更好的性能和效率。集成化温度传感器
    发表于 06-25 09:13

    碳化硅在多种应用场景中的影响

    碳化硅技术进行商业化应用时,需要持续关注材料缺陷、器件可靠性和相关封装技术。本文还将向研究人员和专业人士介绍一些实用知识,帮助了解
    的头像 发表于 06-13 09:34 1617次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>在多种应用场景中的影响

    基本半导体碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在电力电子领域的应用

    。其中,关断损耗(Eoff)作为衡量器件开关性能的重要指标,直接影响着系统的效率、发热和可靠性。本文将聚焦于基本半导体碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性,深入探讨其技术优势及在电
    的头像 发表于 06-10 08:38 1174次阅读
    基本半导体<b class='flag-5'>碳化硅</b> MOSFET 的 Eoff 特性及其在电力电子领域的应用

    碳化硅MOS驱动电压如何选择

    碳化硅MOS驱动电压选择15V还是18V,是电力电子设计中的关键权衡问题。这两种电压对器件的导通损耗、开关特性、热管理和系统可靠性有显著影响。
    的头像 发表于 06-04 09:22 2390次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>MOS驱动电压如何选择

    碳化硅功率器件在汽车领域的应用

    器件不仅提高了能效,还改善了系统的可靠性和性能。本文将探讨碳化硅功率器件在汽车领域的应用及其带来的优势。
    的头像 发表于 05-29 17:32 1377次阅读

    提供半导体工艺可靠性测试-WLR晶圆可靠性测试

    潜在可靠性问题;与传统封装级测试结合,实现全周期可靠性评估与寿命预测。 关键测试领域与失效机理 WLR技术聚焦半导体器件的本征可靠性,覆盖以
    发表于 05-07 20:34