0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

简单认识碳化硅功率器件

国晶微第三代半导体碳化硅SiC 来源:国晶微第三代半导体碳化 2024-02-21 09:27 次阅读

一、引言

随着能源危机和环境污染日益加剧,电力电子技术在能源转换、电机驱动、智能电网等领域的应用日益广泛。碳化硅(SiC)功率器件作为第三代半导体材料的代表,具有高温、高速、高效、高可靠性等优点,被誉为“未来电力电子的新星”。本文将详细介绍碳化硅功率器件的基本原理、性能优势、应用领域以及未来发展趋势。

二、碳化硅功率器件的基本原理

碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的半导体器件,主要包括碳化硅二极管、碳化硅晶体管等。碳化硅材料具有高硬度、高导热、高饱和电子迁移率等特性,使得碳化硅功率器件在高温、高频、高功率等极端条件下具有优异的性能。

碳化硅功率器件的工作原理与传统硅基功率器件类似,都是通过控制半导体材料的导电性来实现电能的转换与控制。然而,由于碳化硅材料具有更高的禁带宽度和更高的临界电场强度,碳化硅功率器件的耐压能力、开关速度和热稳定性均优于传统硅基功率器件。

三、碳化硅功率器件的性能优势

高温稳定性:碳化硅材料具有较高的热导率和较低的热膨胀系数,使得碳化硅功率器件在高温环境下仍能保持稳定的性能。因此,碳化硅功率器件适用于高温、高负荷的电力电子设备,如电动汽车、航空航天等领域。

高开关速度:碳化硅功率器件具有更高的临界电场强度和饱和电子迁移率,使得其开关速度比传统硅基功率器件更快。这有助于提高电力电子设备的效率和可靠性,降低能耗和热量产生。

高功率密度:碳化硅功率器件具有更高的耐压能力和更低的热阻,使得其可以在更高的功率密度下运行。这有助于减小电力电子设备的体积和重量,提高系统的整体性能。

高可靠性:碳化硅功率器件的耐高温、高开关速度和高功率密度等特性使得其具有较高的可靠性。此外,碳化硅材料具有优异的抗辐照性能,使得碳化硅功率器件在恶劣环境下仍能保持稳定运行。

四、碳化硅功率器件的应用领域

电动汽车:碳化硅功率器件在电动汽车领域具有广泛应用,如电机驱动、充电设施、电池管理系统等。碳化硅功率器件的高温稳定性、高开关速度和高功率密度使得电动汽车具有更高的性能、更低的能耗和更长的续航里程。

航空航天:碳化硅功率器件在航空航天领域同样具有重要应用,如卫星通信、导航系统、导弹制导等。碳化硅功率器件的高温稳定性和抗辐照性能使得其在极端环境下仍能稳定工作,为航空航天设备的正常运行提供有力保障。

新能源发电:碳化硅功率器件在新能源发电领域如风力发电、太阳能发电等也有广泛应用。碳化硅功率器件的高效率和高可靠性有助于提高新能源发电设备的运行效率和稳定性,降低维护成本。

工业自动化:碳化硅功率器件在工业自动化领域如电机控制变频器逆变器等同样具有广泛应用。碳化硅功率器件的高性能有助于提高工业自动化设备的效率和可靠性,降低能耗和排放。

五、碳化硅功率器件的未来发展趋势

技术创新:随着碳化硅功率器件技术的不断发展,未来将有更多新型碳化硅功率器件问世。例如,通过优化材料结构、提高制造工艺等手段,进一步提高碳化硅功率器件的性能和可靠性。

成本降低:目前,碳化硅功率器件的制造成本仍然较高,限制了其广泛应用。未来,随着技术的不断进步和产业链的完善,碳化硅功率器件的制造成本有望逐渐降低,从而推动其在更多领域的应用。

应用拓展:随着碳化硅功率器件性能的不断提高和成本的降低,其应用领域将进一步拓展。例如,在智能电网、分布式能源等领域,碳化硅功率器件有望发挥更大的作用。

六、结论

碳化硅功率器件作为第三代半导体材料的代表,具有高温、高速、高效、高可靠性等优点,是未来电力电子领域的重要发展方向。随着技术的不断创新和成本的降低,碳化硅功率器件将在电动汽车、航空航天、新能源发电、工业自动化等领域发挥越来越重要的作用。我们有理由相信,碳化硅功率器件将成为未来电力电子领域的新星,为我们的生活带来更多便利和惊喜。

无锡国晶微半导体技术有限公司是宽禁带第三代半导体碳化硅SiC功率器件、氮化镓GaN光电器件以及常规集成电路研发及产业化的高科技创新型企业,从事碳化硅场效应管,碳化硅肖特基二极管、GaN光电光耦继电器、单片机集成电路等产品芯片设计、生产与销售并提供相关产品整体方案设计配套服务,总部位于江苏省无锡市高新技术开发区内,并在杭州、深圳和香港设有研发中心和销售服务支持中心及办事处。

公司具有国内领先的研发实力,专注于为客户提供高效能、低功耗、低阻值、品质稳定的碳化硅高低功率器件及光电集成电路产品,同时提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务,使客户的系统性能优异、灵活可靠,并具有成本竞争力。

公司的碳化硅功率器件涵盖650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A-80A等系列,产品已经投入批量生产,产品完全可以对标国际品牌同行的先进品质及水平。先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级、车规级可靠性测试的碳化硅MOSFET系列产品,性能达到国际先进水平,应用于太阳能逆变电源、新能源电动汽车及充电桩、智能电网、高频电焊、轨道交通、工业控制特种电源、国防军工等领域。由于其具有高速开关和低导通电阻的特性,即使在高温条件下也能体现优异的电气特性,大幅降低开关损耗,使元器件更小型化及轻量化,效能更高效,提高系统整体可靠性,可使电动汽车在续航里程提升10%,整车重量降低5%左右,并实现设计用充电桩的高温环境下安全、稳定运行。

特别在高低压光耦半导体技术方面更是拥有业内领先的研发团队。在国内创先设计开发了28nm光敏光栅开关PVG芯片技术,并成功量产应用于60V、400V、600V高低压、低内阻、低电容的光电耦合继电器芯片、涵盖1500kVrms SOP超小封装及3750kVrms隔离增强型常规SMD、DIP等不同封装,单路、双路、混合双路、常开常闭等电路产品,另包括200V SOI MOS/LIGBT集成芯片、100V CMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit单片机等集成电路产品,均获得市场及各重点科研单位、检测机构的新产品认定。

公司核心研发团队中大部分工程师拥有硕士及以上学位,并有多名博士主持项目的开发。公司建立了科技创新和知识产权管理的规范体系,在电路设计、半导体器件及工艺设计、可靠性设计、器件模型提取等方面积累了众多核心技术,拥有多项国际、国内自主发明专利。

“国之重器,从晶出发,自强自主,成就百年”是国晶微半导体的企业目标,我们为员工提供精彩的发展空间,为客户提供精良的产品服务,我们真诚期待与您携手共赢未来。

审核编辑:汤梓红

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体
    +关注

    关注

    328

    文章

    24520

    浏览量

    202178
  • 功率器件
    +关注

    关注

    40

    文章

    1533

    浏览量

    89488
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    24

    文章

    2433

    浏览量

    47540

原文标题:碳化硅功率器件:未来电力电子的新星

文章出处:【微信号:国晶微第三代半导体碳化硅SiC,微信公众号:国晶微第三代半导体碳化硅SiC】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    碳化硅(SiC)肖特基二极管的特点

    PN结器件优越的指标是正向导通电压低,具有低的导通损耗。  但硅肖特基二极管也有两个缺点,一是反向耐压VR较低,一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。  二、碳化硅半导体材料和用它制成的功率
    发表于 01-11 13:42

    碳化硅深层的特性

    碳化硅的颜色,纯净者无色透明,含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝,浅绿等色,少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射,在紫外光下发黄、橙黄色光,无
    发表于 07-04 04:20

    【罗姆BD7682FJ-EVK-402试用体验连载】基于碳化硅功率器件的永磁同步电机先进驱动技术研究

    项目名称:基于碳化硅功率器件的永磁同步电机先进驱动技术研究试用计划:申请理由:碳化硅作为最典型的宽禁带半导体材料,近年来被越来越广泛地用于高频高温的工作场合。为了提高永磁同步电机伺服控
    发表于 04-21 16:04

    碳化硅半导体器件有哪些?

      由于碳化硅具有不可比拟的优良性能,碳化硅是宽禁带半导体材料的一种,主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等,因此被应用于各种半导体材料当中,碳化硅器件主要包括
    发表于 06-28 17:30

    碳化硅基板——三代半导体的领军者

    超过40%,其中以碳化硅材料(SiC)为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体
    发表于 01-12 11:48

    碳化硅器件是如何组成逆变器的?

    进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
    发表于 03-16 07:22

    碳化硅器件的特点是什么

    今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
    发表于 03-16 08:00

    碳化硅陶瓷线路板,半导体功率器件的好帮手

    材料的两倍以上。因此,SiC所能承受的温度更高,一般而言,使用碳化硅(SiC)陶瓷线路板的功率器件所能达到的最大工作温度可到600 C。2) 高阻断电压与Si材料相比,SiC的击穿场强是Si的十倍多
    发表于 03-25 14:09

    传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)

    传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生,以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件
    发表于 09-23 15:02

    功率模块中的完整碳化硅性能怎么样?

      本文重点介绍赛米控碳化硅功率模块中的性能,特别是SEMITRANS 3模块和SEMITOP E2无基板模块。  分立器件(如 TO-247)是将碳化硅集成到各种应用中的第一步,但
    发表于 02-20 16:29

    归纳碳化硅功率器件封装的关键技术

    摘要: 碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作为一种宽禁带器件,具有耐高压、高温,导通电阻低,开关速度快等优点。如何充分发挥碳化
    发表于 02-22 16:06

    浅谈硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动的区别

      硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大,碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件,主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面,具体如下
    发表于 02-27 16:03

    图腾柱无桥PFC中混合碳化硅分立器件的应用

    功率半导体器件选型,并给出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解决方案。  02  图腾柱无桥PFC拓扑分析  在正半周期(VAC大于0)的时候,T2为主开关管。  当T2开通时,电感
    发表于 02-28 16:48

    碳化硅功率模组有哪些

    碳化硅功率模组有哪些 碳化硅功率器件系列研报深受众多专业读者喜爱,本期为番外篇,前五期主要介绍了碳化硅
    发表于 05-31 09:43 425次阅读

    碳化硅功率器件简介、优势和应用

    碳化硅(SiC)是一种优良的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点,因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率
    的头像 发表于 01-09 09:26 800次阅读