声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
MOS
+关注
关注
32文章
1611浏览量
99750
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
倾佳电子碳化硅MOSFET高级栅极驱动设计:核心原理与未来趋势综合技术评述
倾佳电子碳化硅MOSFET高级栅极驱动设计:核心原理与未来趋势综合技术评述 倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块,助力电力电子行业自主可控
【新启航】碳化硅外延片 TTV 厚度与生长工艺参数的关联性研究
一、引言
碳化硅外延片作为功率半导体器件的核心材料,其总厚度偏差(TTV)是衡量产品质量的关键指标,直接影响器件的性能与可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多种因素影响,其中生长工艺参
碳化硅器件的应用优势
碳化硅是第三代半导体典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有着高击穿场强和高热导率的优势,在高压、高频、大功率的场景下更适用。碳化硅的晶体结构稳定,哪怕是在超过300℃的高温环境下,打破了传统材料下
基本半导体碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在电力电子领域的应用
基本半导体碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在电力电子领域的应用 一、引言 在电力电子技术飞速发展的今天,碳化硅(SiC)MOSFET
碳化硅功率器件有哪些特点
随着全球对绿色能源和高效能电子设备的需求不断增加,宽禁带半导体材料逐渐进入了人们的视野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到广泛关注。碳化硅功率器件在电力电子、可再生能源以及电动汽车等领域的应用不断拓展,成为现代电子
碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常见问题Q&A
碳化硅(SiC)MOSFET作为替代传统硅基IGBT的新一代功率器件,在电动汽车、可再生能源、高频电源等领域展现出显著优势,随着国产碳化硅MOSFE
碳化硅MOSFET的优势有哪些
随着可再生能源的崛起和电动汽车的普及,全球对高效能、低能耗电力电子器件的需求日益增加。在这一背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件,以其优越的性能在功率电子领
BASiC基本股份国产SiC碳化硅MOSFET产品线概述
变革潮头: 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块的必然趋势! 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管的必然趋势! 倾佳电子杨茜咬住
桥式电路中碳化硅MOSFET替换超结MOSFET技术注意事项
在桥式电路中,国产碳化硅(SiC)MOSFET(如BASiC基本股份)替换超结(SJ)MOSFET具有显著优势,但也需注意技术细节。倾佳电子杨茜从性能优势和
40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅
发表于 01-22 10:43
什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?
随着电力电子技术的不断进步,碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐,成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET
发表于 01-04 12:37
碳化硅MOSFET栅极氧化层缺陷的检测技术
在高效电能转换应用领域具有不可替代的优势,正逐渐成为功率半导体领域的主流选择。碳化硅器件的技术挑战尽管SiC器件性能优越,但其单晶和外延材料价格较高,工艺不成熟,

8.2.12 MOSFET 瞬态响应∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》


评论