0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

6.4.2.2 n型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

深圳市致知行科技有限公司 2022-01-25 09:18 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

6.4.2.2 n型SiC的欧姆接触

6.4.2 n型和p型SiC的欧姆接触

6.4 金属化

第6章碳化硅器件工艺

《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6998962e-7d3c-11ec-8beb-dac502259ad0.jpg

69af1430-7d3c-11ec-8beb-dac502259ad0.jpg

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    32

    文章

    3501

    浏览量

    68046
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    Wolfspeed碳化硅技术实现大规模商用

    的专利申请量就增长了约 200%。Wolfspeed 强大的知识产权组合支撑着材料和器件方面的关键突破,这些突破使得碳化硅 (SiC) 技术得以实现大规模商用。
    的头像 发表于 09-22 09:31 501次阅读

    【新启航】碳化硅外延片 TTV 厚度与生长工艺参数的关联性研究

    一、引言 碳化硅外延片作为功率半导体器件的核心材料,其总厚度偏差(TTV)是衡量产品质量的关键指标,直接影响器件的性能与可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多种因素影响,其中生长工艺参
    的头像 发表于 09-18 14:44 552次阅读
    【新启航】<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延片 TTV 厚度与<b class='flag-5'>生长</b>工艺参数的关联性研究

    碳化硅功率器件有哪些特点

    随着全球对绿色能源和高效能电子设备的需求不断增加,宽禁带半导体材料逐渐进入了人们的视野。其中,碳化硅SiC)因其出色的性能而受到广泛关注。碳化硅功率器件在电力电子、可再生能源以及电动
    的头像 发表于 04-21 17:55 984次阅读

    碳化硅功率器件的种类和优势

    在现代电子技术飞速发展的背景下,功率器件的性能和效率面临着越来越高的要求。碳化硅SiC)作为一种新兴的宽禁带半导体材料,凭借其优异的电气特性和热性能,逐渐成为功率电子
    的头像 发表于 04-09 18:02 1140次阅读

    全球功率半导体变革:SiC碳化硅功率器件中国龙崛起

    功率器件变革中SiC碳化硅中国龙的崛起:从技术受制到全球引领的历程与未来趋势 当前功率器件正在经历从传统的硅基功率
    的头像 发表于 03-13 00:27 678次阅读

    SiC碳化硅二极管公司成为国产碳化硅功率器件行业出清的首批对象

    结合国产碳化硅功率半导体市场的竞争格局和技术发展趋势,SiC碳化硅二极管公司已经成为国产碳化硅功率器件
    的头像 发表于 02-28 10:34 680次阅读

    国内碳化硅功率器件设计公司的倒闭潮是市场集中化的必然结果

    碳化硅行业观察:国内碳化硅功率器件设计公司加速被行业淘汰的深度分析 近年来,碳化硅SiC)功率器件
    的头像 发表于 02-24 14:04 877次阅读
    国内<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>设计公司的倒闭潮是市场集中化的必然结果

    SiC碳化硅MOSFET功率器件双脉冲测试方法介绍

    碳化硅革新电力电子,以下是关于碳化硅SiC)MOSFET功率器件双脉冲测试方法的详细介绍,结合其技术原理、关键步骤与应用价值,助力电力电子
    的头像 发表于 02-05 14:34 1452次阅读
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET功率<b class='flag-5'>器件</b>双脉冲测试方法介绍

    碳化硅功率器件的封装技术解析

    碳化硅SiC)功率器件因其低内阻、高耐压、高频率和高结温等优异特性,在电力电子系统中得到了广泛关注和应用。然而,要充分发挥SiC器件的性能
    的头像 发表于 02-03 14:21 1181次阅读

    SiC碳化硅MOSFET功率模块在工商业储能变流器PCS中的应用

    *附件:国产SiC碳化硅MOSFET功率模块在工商业储能变流器PCS中的应用.pdf
    发表于 01-20 14:19

    钟罩式热壁碳化硅高温外延片生长装置

    一、引言 随着半导体技术的飞速发展,碳化硅SiC)作为一种具有优异物理和化学性质的材料,在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。高质量、大面积的
    的头像 发表于 01-07 15:19 423次阅读
    钟罩式热壁<b class='flag-5'>碳化硅</b>高温外延片<b class='flag-5'>生长</b>装置

    什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?

    随着电力电子技术的不断进步,碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐,成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分,栅极氧化层对
    发表于 01-04 12:37

    高温大面积碳化硅外延生长装置及处理方法

    碳化硅SiC)作为一种具有优异物理和化学性质的半导体材料,在电力电子、航空航天、新能源汽车等领域展现出巨大的应用潜力。高质量、大面积的SiC外延生长是实现高性能
    的头像 发表于 01-03 15:11 382次阅读
    高温大面积<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延<b class='flag-5'>生长</b>装置及处理方法

    8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构

    随着碳化硅SiC)材料在电力电子、航空航天、新能源汽车等领域的广泛应用,高质量、大面积的SiC外延生长技术变得尤为重要。8英寸
    的头像 发表于 12-31 15:04 398次阅读
    8英寸单片高温<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延<b class='flag-5'>生长</b>室结构

    碳化硅MOSFET栅极氧化层缺陷的检测技术

    在高效电能转换应用领域具有不可替代的优势,正逐渐成为功率半导体领域的主流选择。碳化硅器件技术挑战尽管SiC器件性能优越,但其单晶和外延材料
    的头像 发表于 12-06 17:25 2041次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET栅极氧化层缺陷的检测<b class='flag-5'>技术</b>