瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压
2012-06-26 11:01:02
1660 更高密度的低功率SMPS设计需要越来越多的高压MOSFET器件。英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出CoolMOS™ P7系列的新成员950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件。
2018-08-27 14:15:536744 作者：Sanjay Havanur，Vishay Siliconix公司 自从30多年前首次推出以来，MOSFET已经成为高频开关电源转换的主流。该技术一直在稳步改进，目前我们已经拥有了对于毫欧姆
2021-01-26 15:47:306675 
本文简述功率在转换器电路中的转换传输过程，针对开关器件MOSFET在导通和关断瞬间，产生电压和电流尖峰的问题，进而产生电磁干扰现象，通过对比传统平面MOSFET与超结MOSFET的结构和参数，寻找使用超结MOSFET产生更差电磁干扰的原因，进行分析和改善。
2023-08-29 14:14:251322 
“超结”技术凭借其优异的性能指标，长期主导着耐压超过600V的功率MOSFET市场。本文阐述了工程师在应用超结功率器件时需关注的关键问题，并提出了一种优化解决方案，可显著提升电源应用的效率、功率密度及可靠性。
2025-09-11 16:21:5144476 
Limited （AOS, 纳斯达克代码:AOSL)推出 600V aMOS7™ 超结高压MOSFET。 aMOS7™ 是 AOS最新一代高压 MOSFET平台，旨在满足服务器、工作站、通信电源整流器
2023-05-11 13:52:151402 
超结MOSFET（Super-Junction MOSFET，简称SJ-MOS）是一种在高压功率半导体领域中突破传统性能限制的关键器件。它通过在器件结构中引入交替分布的P型与N型柱区，实现了在高耐压下仍保持低导通电阻的特性，显著提升了功率转换效率与功率密度。
2026-01-04 15:01:461622 
BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
称MOS管。是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET最早出现在大概上世纪60年代，首先出现在模拟电路的应用。功率MOSFET在上世纪80年代开始兴起，在如今已成为半导体领域
2023-02-21 15:53:05
mosfet里的jte结终端拓展是什么意思？
2017-12-05 10:03:10
电路内，意法半导体最新超结MOSFET与IGBT技术能效比较 图1: 垂直布局结构 4 功率损耗比较 在典型工作温度 Tj = 100 °C范围内，我们从动静态角度对两款器件进行了比较分析。在
2018-11-20 10:52:44
=oxh_wx3、【周启全老师】开关电源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超结功率MOSFET技术白皮书资料来自网络
2019-06-26 20:37:17
作为一款强大的多物理场仿真软件，为超材料和超表面的研究提供了强大的仿真工具。本文将重点介绍COMSOL Multiphysics在周期性超表面透射反射分析中的应用，以期为相关领域的研究提供
2024-02-20 09:20:23
LED光源的性能优势有哪些？石油化工领域对LED防爆灯具的应用状况分析阻碍LED灯具在石油化工行业全面应用的因素分析
2021-04-13 06:03:35
的结温是影响各项性能指标的主要因素，也是严重影响LED光衰和使用寿命的关键因素，这些参数对普通照明而言都是极其重要的照明质量评价指标，这已经在照明业界达成共识。把LED灯条密闭在充有混合气体的玻璃球泡
2018-03-19 09:14:39
LED照明方案迅速发展的一个重要原因是LED本身价格的下降。因此，安装人员和消费者不仅仅希望LED电源可以在更小的空间内实现更优的性能，也期待看到类似的价格下调 （这意味着设计人员需要减少元件
2020-10-30 07:06:12
基于超级结技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS(on)，同时具有更少的栅极和和输出电荷，这有助于在任意给定频率下保持更高的效率。在超级结MOSFET出现之前
2017-08-09 17:45:55
晶圆工艺:
采用2.5代深槽（ Deep-Trench ）超结工艺 ，更少的光罩层数，生产周期更短，更具成本优势
低内阻:
特殊的超结结构让高压超结MOS内阻在同样面积情况下降低到VDMOS的1
2025-12-02 08:02:07
本文重点介绍为电源用高压超结MOSFET增加晶圆级可配置性的新方法。现在有一种为高压超结MOSFET增加晶圆级可配置性的新方法，以帮助解决电源电路问题。MOSFET 在压摆率、阈值电压、导通电
2023-02-27 10:02:15
测量和校核开关电源、电机驱动以及一些电力电子变换器的功率器件结温，如 MOSFET 或 IGBT 的结温，是一个不可或缺的过程，功率器件的结温与其安全性、可靠性直接相关。测量功率器件的结温常用二种方法：
2021-03-11 07:53:26
我的电源输入在10-24V之间，我想采用MOS管来设计防止电源反结，请问该怎么设计呢？
2020-05-20 04:37:33
芯源MOSFET采用超级结技术，主要有以下几种应用：
1）电脑、服务器的电源--更低的功率损耗；
2）适配器（笔记本电脑、打印机等）--更轻、更便捷。
3）照明（HID灯、工业照明、道路照明等）--更高的功率转换效率；
4）消费类电子产品（液晶电视、等离子电视等）--更轻、更薄、更高能效。
2025-12-12 06:29:10
晶圆工艺:采用2.5代深槽（ Deep-Trench ）超结工艺 ，更少的光罩层数，生产周期更短，更具成本优势
低内阻:特殊的超结结构让高压超结MOS内阻在同样面积情况下降低到VDMOS的1
2025-11-28 07:35:59
晶圆工艺: 采用2.5代深槽（ Deep-Trench ）超结工艺，更少的光罩层数，生产周期更短，更具成本优势
低内阻：特殊的超结结构让高压超结MO S内阻在同样面积情况下降低到VDMOS的1
2025-12-29 07:54:43
广，不管是在居民区、商业区或是高速公路服务区，都能使用充电桩为新能源电动汽车便捷充电。安森德凭借在半导体功率器件和封装领域的技术积累，研发出同类别性能优异的超级结MOSFET，具备更高性能、能效和更低
2023-06-13 16:30:37
我的电源输入在10-24V之间，我想采用MOS管来设计防止电源反结，请问该怎么设计呢？
2016-08-03 14:52:19
MOSFET和超级结MOSFET。简而言之，就是在功率晶体管的范围，为超越平面结构的极限而开发的就是超级结结构。如下图所示，平面结构是平面性地构成晶体管。这种结构当耐压提高时，漂移层会增厚，存在导通电阻增加
2018-11-28 14:28:53
等级，同时，在器件导通时，形成一个高掺杂N+区，作为功率MOSFET导通时的电流通路，也就是将反向阻断电压与导通电阻功能分开，分别设计在不同的区域，就可以实现上述的要求。基于超结
2018-10-17 16:43:26
摘 要： 对超结理论的产生背景及其发展过程进行了介绍。以应用超结理论的COOLMOSTM 器件为例，介绍了超结器件的工作原理、存在的缺点以及提出的改进方法；并对其他基于超结
2008-11-14 15:32:10
0 超结理论的产生与发展及其对高压MOSFET器件设计的影响:对超结理论的产生背景及其发展过程进行了介绍。以应用超结理论的COOLMOSTM 器件为例，介绍了超结器件的工作原理、存在的缺
2009-12-13 19:57:2731 英飞凌欲借新一代超结MOSFET树立硬开关应用基准
英飞凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET产品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP两个产品系列的优势，可降低设
2009-06-23 21:17:44728 LED光源在照明领域的应用
2009-12-31 15:40:522378 结合近年来浙江广电集团在LED灯具运用的实践体会，对LED灯具在影视照明领域的应用提出以下特性分析。
2011-03-01 10:54:524740 众所周知，超级结MOSFET的高开关速度自然有利于减少开关损耗，但它也带来了负面影响，例如增加了EMI、栅极振荡、高峰值漏源电压。在栅极驱动设计中，一个关键的控制参数就是外部串联栅电阻（Rg）。这会抑制峰值漏-源电压，并防止由功率MOSFET的引线电感和寄生电容引起的栅极振铃。
2013-02-25 09:01:443841 
基于超级结技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS（on），同时具有更少的栅极和和输出电荷，这有助于在任意给定频率下保持更高的效率。在超级结MOSFET出现之前
2017-11-10 15:40:039 如今，LED行业进入后照明时代，具体表现为普通照明增长疲软，新应用的兴起。在诸如智能照明、汽车照明、植物照明以及新型显示等诸多领域，照明巨头之间的较量已经开始打响。
2018-07-16 14:27:444880 
东芝宣布推出新一代超结功率MOSFET，新器件进一步提高电源效率。在这个连小学生做作业都讲求高效率的年代，还有什么是高效率不能解决的呢？
2018-09-13 15:54:155921 保护功能的充电桩对于实现以尽可能短的充电时间续航更远的里程至关重要。常用的半导体器件有IGBT、超结MOSFET和碳化硅（SiC）。安森美半导体为电动汽车OBC和直流充电桩提供完整的系统方案，包括通过
2020-01-01 17:02:009515 
逐渐成为新的市场需求。 为了满足这种新需求，亚成微推出了新型高压超结MOSFET-RMX65R系列，该系列采用业内先进的多层外延工艺，全面提升了器件的开关特性和导通特性，比导通电阻（Ronsp）和栅极电荷（Qg）更低，开关速度更快，
2021-05-27 17:06:182505 ST超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷（Qrr）和超快快恢复时间（trr），以及出色的品质因数（RDS（on）x Qg），能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率和功率水平，适用于工业和汽车应用。
2022-05-24 16:02:012335 超结MOS也叫COOlMOS，是在普通MOS基础上使用新型超结结构设计的MOS管。超结MOS管主要在500V、600V、650V及以上高电压场合使用。
2022-07-15 17:12:369503 
LED作为新型照明光源，具有高效节能、工作寿命长等优点，目前已广泛使用于LED显示、车用电子、生活照明等各种照明场景。LED恒流驱动特征需要特定的AC-DC恒流驱动电源，为了提高电源能效，LED的驱动电源一般采用单级PFC的拓扑。
2022-07-20 17:23:263606 
超级结又称超结，是制造功率场效应晶体管的一种技术，其名称最早岀现于1993年。传统高压功率MOSFET的击穿电压主要由n型外延层和p型体区形成的pn结耗尽区的耐压决定，又因p型体区掺杂浓度较高，耗尽区承压主要在外延n-层。
2022-09-13 14:38:579199 超结也称为超级结，是英文Super Junction 的直译，而英飞凌之前将这种技术称之为CoolMOS。因而超结（Super Junction，CoolMOS）一直混用至今。瑞森半导体多年前就进军超结领域，经过多年研发生产，目前已拥有完整的超结系列产品。
2022-10-14 11:54:285165 
650 V SUPERFET III FRFET 新型快速反向恢复超结 MOSFET，适用于高效率和可靠的电动汽车充电应用
2022-11-15 20:17:570 维安高压超结MOSFET，轻松解决LED电源浪涌
2022-12-30 17:07:221505 
WAYON维安高压超结MOSFET，轻松解决LED电源浪涌
2023-01-06 13:04:511315 
上一篇介绍了近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的产品定位，以及近年来的高耐压Si-MOSFET的代表超级结MOSFET（以下简称“SJ-MOSFET”）的概要。
2023-02-10 09:41:012717 
新型硅基快速恢复体二极管超结 MOSFET系列为全桥相移ZVS拓扑提供理想的效率和可靠性 ST超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷(Qrr)和超快快恢复时间(trr)，以及出色
2023-02-22 15:26:581508 的电气参量;然后研究分析了功率器件结温测量的各类方法， 并重点阐述了温敏电参数 (TSEP) 法在 SiC MOSFET 结温评估领域的应用前景， 从线性度、 灵敏度等 6 个方面对比分析了 各方
2023-04-15 10:03:067735 安森德历经多年的技术积累，攻克了多层外延超结（SJ）MOSFET技术，成功研发出具备自主知识产权的超结（SJ）MOSFET系列产品
2023-06-02 10:23:101909 
美浦森超结MOS在照明电源中的应用芯晶图电子潘17633824194随着电源技术和功率器件以及通信技术的发展，目前的照明产品越来越趋向于智能化，小型化。对电源的体积和功率密度的要求也越来越高。因此
2022-04-29 16:27:012983 
继先后推出成熟化的全系列碳化硅二极管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模块产品后，2023年7月 森国科正式对外推出650V超结MOSFET系列新品 ，相较于传统的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:162414 
摘要: 针对传统结构超结 IGBT 器件在大电流应用时的电导调制效应较弱，削弱了 IGBT 器
件低饱和导通压降优点的问题，设计了 p 柱浮空的超结 IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:000 SLH60R028E7是一款600VN沟道多层外延工艺的超结MOS，由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，故在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要。超结
2023-08-18 08:32:562019 
照明是运用多种光源来照亮工作、生活场所或特定物体的方法。根据光源的来源，可以将其分为两类：利用自然光源如太阳和天空的称为“天然采光”；而利用人工光源的被称为“人工照明”。
2023-09-08 10:52:521286 
超结VDMOS是一种发展迅速、应用广泛的新型功率半导体器件。
2023-09-18 10:15:008919 
MOS管在微型逆变器上的应用:推荐瑞森半导体超结MOS系列+低压MOS系列
2023-10-21 10:09:001598 
MOS管在微型逆变器上的应用
推荐瑞森半导体超结MOS系列+低压MOS系列
2023-10-23 09:31:201706 
【科普小贴士】MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
2023-12-13 14:16:161895 
，这些差异对它们的雪崩耐量和性能产生一定影响。在选择哪种类型的MOSFET时需要仔细评估应用的需求和要求。在本篇文章中，我们将详细探讨平面型VDMOS和超结型VDMOS的差异并讨论如何选择适合的类型。 平面型VDMOS与超结型VDMOS的基本结构有所不同。平面型VDMOS的结构相对简单
2023-11-24 14:15:432352 瑞森半导体在工业电源上的应用上：主推碳化硅(SiC)二极管/超结MOS，助力厂家及品牌，打造高质、高性能产品。
2023-12-11 11:33:131122 
瑞森半导体在工业电源上的应用上：主推碳化硅(SiC)二极管/超结MOS，助力厂家及品牌，打造高质、高性能产品。
2023-12-11 11:56:421218 
MOS管在5G电源上的应用——PFC线路、Fly back线路，推荐瑞森半导体超结MOS系列，同步整流线图推荐低压SGT MOS系列。
2023-12-18 10:06:171040 
MOS管在5G电源上的应用——PFC线路、Fly back线路，推荐瑞森半导体超结MOS系列，同步整流线路推荐低压SGT MOS系列。
2023-12-18 10:26:431070 
舞台灯电源的PFC与LLC线路，推荐使用多层外延超结MOS系列，具有低导通电阻，提升功率密度，有效降低电源电路开关损耗，提高整个电源系统的效率
2024-01-17 17:09:45820 
舞台灯电源的PFC与LLC线路，推荐使用多层外延超结MOS系列，具有低导通电阻，提升功率密度，有效降低电源电路开关损耗，提高整个电源系统的效率
2024-01-17 17:31:281035 
AGV无人搬运车推荐使用，多层外延超结MOS系列，优异抗EMI及抗浪涌能力
2024-02-29 16:05:59998 
Si-MOSFET根据制造工艺可分为平面栅极MOSFET和超结MOSFET。平面栅极MOSFET在提高额定电压时，漂移层会变厚，导致导通电阻增加的问题。
2024-03-19 13:57:2211603 
全桥电路MOS管选型，推荐瑞森半导体超结MOS系列
2024-05-29 14:46:471228 
PowerMasterSemiconductor(PMS)是一家韩国半导体器件公司，团队在电力半导体行业拥有超过二十年的经验，他们专注于开发和生产先进的碳化硅(SiC)二极管和MOSFET，以及超结
2024-06-11 10:49:211020 
根据Global Market Insights的调查，超级结MOSFET在去年在能源和电力领域中的市场份额超过30%，覆盖了电动车充电桩、服务器和数据中心电源、LED驱动、太阳能逆变器、家电控制等多个领域。预计到2032年，全球超级结MOSFET市场的年复合增长率将超过11.5%。
2024-07-29 14:38:451237 
电子公司如何利用其先进的MOSFET技术，为LED照明电源提供高效、稳定的MOS解决方案。MOSFETMOSFET，即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种广泛用于电
2024-08-09 08:36:451122 
随着科技的不断进步，电视作为家庭娱乐的中心，其显示技术也在不断更新换代。而背光照明系统作为电视显示技术的重要组成部分，其性能直接影响着电视的显示效果。本文将探讨仁懋电子MOS产品在TV电源领域
2024-08-30 13:16:00902 
作者：Pete Bartolik 投稿人：DigiKey 北美编辑 2024-06-12 长期以来，超结功率 MOSFET 在高电压开关应用中一直占据主导地位，以至于人们很容易认为一定有更好的替代
2024-10-02 17:51:001664 
在我们进入超结MOSFET的细节之前，我们先了解一些背景知识。
2024-10-15 14:47:482578 
超结MOSFET体二极管性能优化 END
2024-11-28 10:33:16885 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件
2025-01-23 16:27:431780 
倾佳电子杨茜以48V 3000W 5G电源应用为例分析BASiC基本股份国产碳化硅MOSFET B3M040065Z替代超结MOSFET的优势，并做损耗仿真计算： 倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC
2025-02-10 09:37:55746 
在桥式电路中，国产碳化硅（SiC）MOSFET（如BASiC基本股份）替换超结（SJ）MOSFET具有显著优势，但也需注意技术细节。倾佳电子杨茜从性能优势和技术注意事项两方面进行深度分析： 倾佳电子
2025-02-11 22:27:58833 
#超结硅功率MOS电源管理芯片U8621展现低功耗特性#在全负载范围内，相比传统功率器件，超结硅功率MOS电源管理芯片U8621能为用户节省更多的电能。同时，在空载状态下，U8621的低功耗特性得以
2025-02-20 16:37:581050 
随着BASiC基本半导体等企业的650V碳化硅MOSFET技术升级叠加价格低于进口超结MOSFET，不少客户已经开始动手用国产SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET,电源客户从超结MOSFET升级至650V碳化硅MOSFET的根本驱动力分析。
2025-03-01 08:53:441054 
碳化硅（SiC）MOSFET全面取代超结（SJ）MOSFET的趋势分析及2025年对电源行业的影响 一、SiC MOSFET取代SJ MOSFET的必然性 性能优势显著 高频高效 ：SiC
2025-03-02 11:57:01899 
、产业链整合及市场应用拓展上的重大跨越。以下从关键阶段、技术突破与产业现状三个维度展开深度分析： --- 一、早期奠基：陈星弼院士与超结MOSFET的开拓 1. **陈星弼的科研贡献与技术困境** 陈星弼院士是中国功率半导体领域的先驱，其研究成
2025-03-27 07:57:17684 在智能照明的应用领域内，工程师关注的重点一直在灯光的稳定表现和使用寿命方面。功率MOSFET作为电路的核心器件，通过控制电流的精确通断，影响了LED照明系统的许多关键性能指标，包括亮度稳定性、能效表现、使用寿命等。今天，合科泰带您深入了解照明领域内MOS管的核心作用与选型。
2025-04-15 09:23:051096 
超结MOS采用垂直结构设计，在漂移区内交替排列垂直的P型柱区和N型柱区，形成“超级结”单元，通过电荷补偿技术突破传统功率半导体“硅极限”的高压器件，其核心设计通过优化电场分布实现低导通电阻与高击穿
2025-05-06 15:05:381499 
推荐超结MOS管在TV电视上的应用超结MOS管是现在大屏幕彩电中使用比较广泛的功率开关管，它具有体积小、可靠性高、效率高等优点。随着TV电视的不断创新，功率器件的设计及性能也在不断地优化升级。在电源
2025-05-07 14:36:38714 
由于芯片结构的改变，超结MOS的结电容比传统MOS有很大的降低，超结MOS具有极低的内阻，在相同的芯片面积下，超结MOS芯片的内阻甚至只有传统MOS的一半以上。较低的内阻，能降低损耗，减少发热。今天
2025-05-13 11:11:14636 随着AI技术井喷式快速发展，进一步推动算力需求，服务器电源效率需达97.5%-98%，通过降低能量损耗，来支撑高功率的GPU。为了抓住市场机遇，瑞能半导体先发制人，推出的第三代超结MOSFET，能全面满足高效能需求。
2025-05-22 13:58:35726 
在可靠性检验中，不仅展现出样本间的高度一致性，更实现了零老化问题。 •瑞能超级结 MOSFET 展现出卓越的抗静电(ESD)能力。 升温表现 测试环境 测试平台: 1200W 服务器电源 输入
2025-05-22 13:59:30491 
在功率半导体领域，突破硅材料的物理极限一直是工程师们的终极挑战。随着电力电子设备向高压、高效方向快速发展，传统MOSFET结构已逐渐触及性能天花板。本文将深入解析超结MOSFET技术如何通过创新
2025-06-25 10:26:291701 
新品650VCoolMOS8超结(SJ)MOSFET英飞凌推出全新650VCoolMOS8引领全球高压超结SJMOSFET技术，为行业技术和性价比树立了全球标准。该系列为高功率应用提供了额外的50V
2025-07-04 17:09:031017 
革新电源设计：B3M040065R SiC MOSFET全面取代超结MOSFET，赋能高效高密度电源系统 ——倾佳电子助力OBC、AI算力电源、服务器及通信电源升级 引言：功率器件的代际革命 在
2025-08-15 09:52:38609 
倾佳电子电源LLC深度研究分析与SiC碳化硅MOSFET在LLC应用中取代超结MOSFET的优势和逻辑 倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要
2025-09-01 09:50:372523 
倾佳电子阳台光储电源系统架构及SiC器件替代超结MOSFET的技术优势 倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业电源、电力电子设备
2025-09-23 08:28:001058 
龙腾半导体最新推出650V/40A/99mΩ超结MOSFET，其内置FRD，适应LLC应用，并适合多管应用，具有更快的开关速度，更低的导通损耗；极低的栅极电荷（Qg），大大提高系统效率和优异的EMI性能。
2025-09-26 17:39:511274 
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